ME300D-SE是Firstack總結(jié)12年IGBT/SiC MOSFET測試經(jīng)驗(yàn),并經(jīng)歷了ME100D,ME200D,ME300D三代產(chǎn)品迭代,最新研制推出的功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),致力于讓每一個(gè)電力電子領(lǐng)域企業(yè)、高校、研究機(jī)構(gòu)都擁有一臺“保姆”級雙脈沖設(shè)備,為測試工程師們提供更方便、更高效、更高準(zhǔn)確性的測試方案,幫助工程師更好的評估IGBT/SiC MOSFET等功率器件。
讓我們一起來看看它擁有哪些黑科技。
一、功率數(shù)字化測試軟件DPowerTest解決您的測試?yán)_
大家在做雙脈沖測試時(shí),可能會有以下幾個(gè)困擾:
1.不同的測試項(xiàng)目、實(shí)驗(yàn)順序、測試工況,測試流程多,任務(wù)重;
2. 測試數(shù)據(jù)丟失,無法查詢分析歷史測試數(shù)據(jù)及波形;
3. 測試標(biāo)準(zhǔn)不一致,引起測試結(jié)果偏差;
4. 實(shí)驗(yàn)異常時(shí),無法判斷是系統(tǒng)哪個(gè)模塊失效;
5.上下電,調(diào)整脈寬,卡點(diǎn)存圖,測試繁瑣,耗時(shí)長;
6. 想買臺設(shè)備,但是已有示波器,不想重復(fù)購買;
7. 在示波器上手動卡點(diǎn),計(jì)算開關(guān)過程的時(shí)間、尖峰、損耗等數(shù)據(jù)。
我們的DPowerTest是如何解決這些困擾的呢?一起來看看吧~
01 自定義測試流程
在測試流程界面,自由選擇單脈沖、雙脈沖等實(shí)驗(yàn)類型,實(shí)驗(yàn)順序、試驗(yàn)次數(shù)任意調(diào)整;可進(jìn)行單一工況測試,也可批量添加工況。測試流程可保存,修改,便于下次使用。
02 測試結(jié)果追溯
測試結(jié)果自動保存在數(shù)據(jù)庫,支持檢索、查詢、上傳服務(wù)器。軟件界面上可對波形進(jìn)行放大縮小,查看波形細(xì)節(jié)和卡點(diǎn)位置。
03 自定義測試標(biāo)準(zhǔn)
行業(yè)內(nèi)通用測試IGBT的標(biāo)準(zhǔn)是IEC-60747-9,測試MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)是IEC-60747-8,隨著新材料、新拓?fù)?、新封裝的新型功率器件層出不窮,固化的測試標(biāo)準(zhǔn)不能完全包絡(luò)復(fù)雜的應(yīng)用場景,因此DPowerTest不僅可以按照IEC標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,還支持用戶自定義標(biāo)準(zhǔn)。
04設(shè)備模塊化管理
硬件功能(示波器、高壓直流電源、加熱平臺、低壓直流程控電源、負(fù)載電感、信號發(fā)生器等)可實(shí)現(xiàn)模塊化管理,比如,單獨(dú)調(diào)試高壓電源升壓/下電、信號發(fā)生器發(fā)送不同脈寬的PWM、電感切換到不同的擋位、驅(qū)動板門極參數(shù)的調(diào)整等。在提供了手動測試的平臺同時(shí),還提高了設(shè)備子系統(tǒng)的利用率。
05單工況測試時(shí)間小于20s
DPowerTest可在20s內(nèi)完成一次雙脈沖試驗(yàn),高效來自于飛仕得自研的高壓直流電源技術(shù)和軟件算法。充電1200V只需要9s(電容2mF),軟件對波形分析處理需要9s。
06適配主流的國內(nèi)外品牌示波器
在軟件上,我們打通了多款主流示波器的通訊協(xié)議,用戶在使用ME300D-SE時(shí),可以更自由地選擇示波器的品牌。打通協(xié)議后,可實(shí)現(xiàn)軟件操控示波器完成通道設(shè)置和探頭衰減倍數(shù)等設(shè)置,另外自動卡點(diǎn)計(jì)算波形。
二、智能硬件
01 MIRACLE PS 智能電源系統(tǒng)
閉環(huán)控制精準(zhǔn)充放電,電壓精度1%FS+3V,電源升壓時(shí)間0-1200V時(shí)長8.5s@2mF,1200V降壓時(shí)間5.5s@2mF。
02 MIRACLE CAL示波器探頭相位校準(zhǔn)裝置
一鍵完成示波器及探頭相位延時(shí)校準(zhǔn),減小測量誤差,提升測量精度。
基于反向恢復(fù)時(shí),由于雜散電感LS存在,VCE會有電壓平臺,根據(jù)公式Vt=VDC-Ls*(di/dt) 來擬合出一個(gè)Vt曲線,精準(zhǔn)定位相位差時(shí)間。
03 MIRACLE GDU高性能SiC數(shù)字驅(qū)動器
CMTI≥100kV/μs;柵極電壓精度0.1V,電源范圍-15-25V軟件自動可調(diào),正極性(10-25V)可調(diào),負(fù)極性(-15-0V)可調(diào);門極驅(qū)動回路寄生電感<3nH。
04 MIRACLE Fixture分立器件測試工裝
門級電壓可調(diào):負(fù)壓-15-0V,正壓10-25V,精度0.1V
兼容封裝:TO247-3,TO247-4,TO263封裝類型
高溫測試:室溫至200℃寄生電感:<10nH
電壓等級:1200V 電流等級:5-450A
電壓測試:支持差分探頭和光隔離探頭
差分探頭 | 光隔離探頭 | |
共模抑制比 |
低 測量上管電壓存在共模噪聲引起的跳變 |
高 可以精準(zhǔn)測量上管電壓 |
測試環(huán)路 |
較大 探頭前端較長,寄生電感大;探頭包圍面積大,天線效應(yīng)耦合磁場 |
最小 得益于高性能的連接件和附件 |
共模范圍和衰減倍數(shù) | 高共模范圍和低衰減倍數(shù)不兼得。測量高壓,則量化誤差和系統(tǒng)噪聲大 | 兼具高共模范圍和低衰減倍數(shù)。測量高壓也可以有很小的量化誤差和系統(tǒng)噪聲 |
帶寬 |
低 無法測量頻率較高的震蕩(200MHz) |
高 可以測量出高頻震蕩(1GHz) |
電流測試:支持羅氏線圈和shunt電阻
羅氏線圈 | Shunt電阻 | |
功率回路 |
非侵入式測量 不破壞功率回路,回路雜感較小 |
侵入式測量 破壞功率回路,引入額外回路雜感 |
是否隔離 |
隔離式測量 無共電壓問題,安全 |
非隔離測量 存在共模電壓問題,不當(dāng)使用存在安全隱患 |
準(zhǔn)確度 |
低 存在延時(shí) |
高 延時(shí)較低 |
帶寬 |
低,最高50MHz 無法測量頻率較高的震蕩 |
可高達(dá)2GHz 可以測量出高頻電流震蕩 |
三、系統(tǒng)規(guī)格
測試范圍 | 電壓20~1200V;電流5~4000A,短路電流12000A(max) |
測試項(xiàng)目 | 單脈沖測試,雙脈沖測試,短路測試 |
測試對象 | IGBT,SiC MOSFET |
溫度范圍 | 室溫~200℃ |
負(fù)載電感 | 10/20/50/100/200/500μH手動可調(diào) |
尺寸 | 920*750*1500(單位:mm) |
重量 | 170kg |
指標(biāo) | 測試范圍 | 指標(biāo) | 測試范圍 |
tdon | 1-10000ns | IC(actual) | 5-4000A |
tr | 1-10000ns | VCE(actual) | 20-1200V |
tdoff | 1-10000ns | IRM | 5-8000A |
tf | 1-10000ns | VRM | 20-2000V |
ton | 1-10000ns | -diF/dt | 10–50000A/us |
toff | 1-10000ns | VGEmax | 0-30V |
trr | 1-10000ns | di/dt(Diode) | 10–50000A/us |
Eon | 1-10000mJ | dv/dt(Diode) | 10–50000A/us |
Eoff | 1-10000mJ | tSC | 1-100μs |
Erec | 1-10000mJ | ESC | 0-100J |
Etot | 1-10000mJ | QG | 10-1000000nC |
VCEmax | 20-2000V | ISC | 10–12000A |
di/dt(on) | 10–50000A/us | ɑstatic | 0-100% |
dv/dt(on) | 10–50000V/us | ɑon | 0-100% |
di/dt(off) | 10–50000A/us | ɑoff | 0-100% |
dv/dt(off) | 10–50000V/us | tDTmin | 0-30μs |
四、高性價(jià)比
ME300D-SE在提供高效率、高準(zhǔn)確度、智能化的測試解決方案的同時(shí),保留了極具誘惑力的價(jià)格。
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