半導體器件可靠性測試環(huán)境試驗

在器件使用的自然環(huán)境中，溫度和濕度是不可分割的兩個因素。不同地區(qū)，器件應用于不同的地理位置，所處工作環(huán)境的溫度、濕度也各不相同。溫濕度循環(huán)試驗可以用來確認產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下儲存、運輸以及使用適應性。

環(huán)境試驗的試驗范圍很廣，包括高溫，低溫，溫度沖擊（氣態(tài)及液態(tài)），浸漬，溫度循環(huán)，低壓，高壓，高壓蒸煮，砂塵，鹽霧腐蝕，霉菌，太陽輻射等。

下面舉幾個常見的溫濕度試驗：

1.偏壓濕熱（thb）。測試條件：85℃，85%濕度，一般試驗時間為1000h。參考測試標準jesd22-a101

2.高加速應力試驗（hast）。測試條件：133℃，85%濕度，偏壓250kpa，一般試驗時間為96h。參考測試標準：jesd22-a110

3.無偏壓高加速應力試驗（uhst）。測試條件：110℃，85%濕度。一般試驗時間為264h。參考測試標準：jedsd22-a118

thb/hast可造成的器件影響：191-0751-6775
（1）加速水分的侵入和雜質(zhì)移動
（2）影響電化學敏感的區(qū)域，例如地表面粘結(jié)墊發(fā)生腐蝕。
（3）器件周邊結(jié)果發(fā)生腐蝕
（4）水分通過縫隙、裂紋進入器件影響內(nèi)部

4.高壓蒸煮（ac）。測試條件：121℃，百%濕度，一般試驗時間為96h。參考測試標準：jeds22-a102。

5.無偏壓濕熱（th）。測試條件：85℃，85%濕度，一般試驗時間為1000h。參考測試標準：jeds22-a101。

設備能力:
溫度0～200(℃)；濕度0～100(%rh)

常規(guī)條件:
ppot：121℃,100％rh,205kpa(2atm),nobias

uhst：130℃,85％rh,250kpa,nobias

試驗常見的器件失效情況：鍵合處腐蝕，形成樹突。

審核編輯黃宇