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復(fù)位要求和復(fù)位電路
共有十四種類型的復(fù)位。這些復(fù)位在Arm Cortex-M4器件和Arm Cortex-M33器件之間略有不同。
表11. Arm Cortex-M4器件復(fù)位
表12. Arm Cortex-M33器件復(fù)位
6.1 引腳復(fù)位
當(dāng)RES#引腳電平被拉低時(shí),所有處理都將中止,MCU進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。要在運(yùn)行中復(fù)位MCU,應(yīng)在指定的復(fù)位脈沖寬度內(nèi)將RES#保持為低電平。有關(guān)時(shí)序要求的更詳細(xì)信息,請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》中“電氣特性”一章的“復(fù)位時(shí)序”部分。另請(qǐng)參見本系列文章的第2節(jié)“仿真器支持”,了解與調(diào)試支持相關(guān)的復(fù)位電路的詳細(xì)信息。
無(wú)需在RES#線路上使用外部電容,因?yàn)镻OR電路在內(nèi)部將其保持為低電平以實(shí)現(xiàn)良好的復(fù)位,并且需要最小的復(fù)位脈沖來(lái)啟動(dòng)此過(guò)程。
6.2 上電復(fù)位
有兩種情況會(huì)產(chǎn)生上電復(fù)位 (POR):
1
如果RES#引腳在接通電源后處于高電平狀態(tài)。
2
如果RES#引腳在VCC低于VPOR時(shí)處于高電平狀態(tài)。
在VCC超過(guò)上電復(fù)位電壓 (VPOR) 并經(jīng)過(guò)上電復(fù)位時(shí)間 (tPOR) 之后,芯片將從上電復(fù)位狀態(tài)釋放。上電復(fù)位時(shí)間是允許外部電源和MCU達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間。有關(guān)電壓大小和時(shí)序的詳細(xì)信息,請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》中“電氣特性”一章的“POR和LVD特性”部分。
由于POR電路依賴于RES#與VCC同時(shí)為高電平,因此請(qǐng)勿在復(fù)位引腳上放置電容。這將減慢RES#相對(duì)于VCC的上升時(shí)間,從而妨礙POR電路正確識(shí)別上電條件。
當(dāng)電源 (VCC) 降至不超過(guò)VPOR時(shí),如果RES#引腳為高電平,則會(huì)產(chǎn)生上電復(fù)位。在VCC上升到VPOR以上并且經(jīng)過(guò)tPOR之后,芯片將從上電狀態(tài)釋放。
上電復(fù)位后,RSTSR0中的PORF位置1。引腳復(fù)位后,PORF清零。
這是由獨(dú)立看門狗定時(shí)器 (IWDT) 產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。
當(dāng)IWDT下溢時(shí),可以選擇產(chǎn)生獨(dú)立看門狗定時(shí)器復(fù)位(可以改為產(chǎn)生NMI),并且RSTSR1中的IWDTRF位置1。短暫延遲(通常為320μs)后,將退出IWDT復(fù)位。
6.4 看門狗定時(shí)器復(fù)位
這是看門狗定時(shí)器 (WDT) 產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。
當(dāng)WDT下溢時(shí),可以選擇產(chǎn)生看門狗定時(shí)器復(fù)位(可以改為產(chǎn)生NMI),并且RSTSR1中的WDTRF位置1。短暫延遲(通常為320μs)后,將退出WDT復(fù)位。
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原文標(biāo)題:RA6快速設(shè)計(jì)指南 [6] 復(fù)位要求和復(fù)位電路 (上)
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