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變頻電源驅(qū)動IGBT控制原理是怎樣的?

吉事勵電子 ? 2021-03-29 17:01 ? 次閱讀

常用的過電流保護措施包括硬件關(guān)閉和軟件關(guān)閉。硬件關(guān)閉意味著在檢測到過流和短路信號時,頁腳的輸出為高,門信號被快速阻止以禁用IGBT。但是,一旦檢測到過電流信號就關(guān)閉了硬件,則輸出會連續(xù)跳躍,這可能會導致故障。為了提高保護電路的抗干擾能力,在硬件短路保護信號之后,即通過F信號,增加了軟件阻斷功能。

變頻電源驅(qū)動IGBT控制原理是怎樣的?

保護電路設(shè)置:如果負載繼續(xù)短路,則變頻器中的這些集成電路可能會使IGBT承受數(shù)毫秒的重復高電流脈沖。短路期間的強電流脈沖會危及IGBT的安全,并可能導致不可逆轉(zhuǎn)的損壞。因此,一旦負載短路,應(yīng)盡可能減少IGBT短路過電流的工作時間,從而應(yīng)通過外部電路來阻止輸入控制信號,以“防止IGBT短路”。持續(xù)傳輸。高電流脈沖。僅集成驅(qū)動器電路不足以完全保護IGBT,必須添加輔助保護電路以禁用輸入驅(qū)動信號。

IGBT的控制原理(部分或全部)取決于柵極射極電壓。

1、關(guān)閉。如果在柵極上施加負偏壓或柵極電壓低于閾值,則該溝道被禁止,N區(qū)域中不會注入空穴,在所有情況下,集電極電流都會隨著電流MOsF的快速下降而逐漸減小。開關(guān)階段,因為在開關(guān)開始之后,N層中仍然有載流子(少數(shù)載流子),剩余電流(工作后的電流)值的減小就完成了

2、導通。 IGBT硅芯片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)非常相似。主要區(qū)別在于IGBT的P增加。

3、反向阻斷。當對收集鼓施加反向偏壓時,它會受到反向偏壓的控制,并且耗盡層將關(guān)閉以擴展到N區(qū)域。如果您將該層的厚度減小得太多,將無法實現(xiàn)有效阻斷能力。因此,這種可能性非常重要。另一方面,如果您太大地增加了該區(qū)域的大小,它將繼續(xù)增加并增加壓降。

4、激活壓降。電導率調(diào)制效果降低了電阻Ra并降低了導通狀態(tài)下的電壓降;

IGBT提供的通用變頻電源已經(jīng)實現(xiàn)了實用化和串行化。討論了設(shè)備的主電路,控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)以及保持效果,抑制變壓器偏磁的方法。給出了單相變頻電源的控制電路,控制電路,保護電路和主要技術(shù)指標的設(shè)計原理。盡管第一個晶閘管的靜態(tài)靜態(tài)電源克服了變頻單元的許多缺點,但晶閘管的關(guān)斷取決于負載或附加的關(guān)斷電路,控制復雜,性能動態(tài)也不理想,難以取得新的突破,取得技術(shù)成就。

吉事勵電子(蘇州)有限公司專業(yè)致力于電力電子變換技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用,專業(yè)生產(chǎn)變頻電源、直流電源、交流負載、直流負載、回饋式電子負載、回饋式電網(wǎng)模擬器、電池模擬器、充電樁測試負載、光伏逆變器測試設(shè)備、新能源電機電控測試電源及自動化測試系統(tǒng)等產(chǎn)品制造及解決方案廠家,是國內(nèi)電源行業(yè)與測試系統(tǒng)核心技術(shù)自動化的高新技術(shù)企業(yè)。

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