普通ESD和回掃ESD對(duì)比
如今是5G時(shí)代,相比4G線路程控設(shè)備等,5G信號(hào)的傳輸速度更快,IC的敏感度更高,在電磁兼容的靜電防護(hù)需求就提升到了一個(gè)更高的高度。
可回掃ESD以往在普通IC中發(fā)揮不了很大的應(yīng)用區(qū)別,但目前在華為等電信設(shè)備商的測(cè)試需求中,專門強(qiáng)調(diào)了防靜電ESD的回掃特性(snapback)。
那什么是靜電器件的回掃特性呢?
可以對(duì)比下以下圖片。
圖一普通ESD的特性曲線
圖二Snapback 回掃特性曲線ESD曲線
圖三回掃ESD的特性參數(shù)
從以上圖片的區(qū)別看出,回掃ESD最大的特點(diǎn)是在Vt觸發(fā)電壓之后,芯片會(huì)在瞬間降低ESD兩端的鉗位電壓,這個(gè)電壓Vh范圍在工作電壓和觸發(fā)電壓之間,然后在隨著電流的增大,而電壓逐步增加。在同樣Ipp電流的情況下,Vc鉗位電壓比常規(guī)的ESD器件低30%以上,極大的保證了被保護(hù)IC乃至整個(gè)電路的安全。
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原文標(biāo)題:普通ESD和回掃ESD特性對(duì)比
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