晶圓（Wafer-KGD）：650V Super-junction Power MOSFET
*All the data based on TO-220 package, unless otherwise specified.
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關注
關注
52文章
4781瀏覽量
127579
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-24 11:27
?0次下載
Navitas推出新一代650V SiC MOSFET，采用高效TOLL封裝
Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 18:01
?0次下載
650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 17:57
?1次下載
650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 17:10
?0次下載
650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-10 17:08
?0次下載
650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-08 17:15
?0次下載
瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導
瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續(xù)創(chuàng)新與技術突破。
瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
TC WAFER 晶圓測溫系統(tǒng) 儀表化晶圓溫度測量
“TC WAFER 晶圓測溫系統(tǒng)”似乎是一種用于測量晶圓（半導體制造中的基礎材料）溫度的系統(tǒng)。在半導體制造過程中，
新聞 | 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004EN
羅姆ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
工商網(wǎng)監(jiān)
評論