芯經驗——常用存儲器形式

1.ROM(Read-only memory)

ROM是一種非易失性存儲器，制造后內部儲存不能進行電子修改，斷電后儲存依然保留。這類存儲器可用于存儲電子設備壽命內極少更改的軟件，比如查表數據或boot代碼。當然，如需修復錯誤或者升級代碼，只能通過更換硬件實現。

嚴格意義上來說，ROM是指硬連接的存儲器，例如二極管矩陣或掩模ROM集成電路（IC），只能在制造階段寫入。為了便于用戶更改，又出現了可重復擦除和寫入的EPROM、EEPROM，這類存儲器速度相對較慢，擦除或寫入一般需要特殊工藝，可重復次數也有一定限制。

2.EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

EPROM是基于浮柵結構的ROM，一般指UV-EPROM。該存儲器燒寫后，可以通過將其暴露在強紫外光下進行擦除。所以這類器件封裝都有透窗，很容易辨認。

3.EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

EEPROM設計為支持電子修改，通過開始信號，就可以對其進行燒寫和擦除。最初的EEPROM僅限于單字節(jié)操作，導致速度較慢，現代EEPROM允許page/block操作（FLASH）。EEPROM的重復擦除和寫入次數最高可達一百萬次以上。

4.FLASH

FLASH是一種專為高速讀取和大容量存儲設計的EEPROM，特點是大block/page寫入（一般512字節(jié)以上）和有限的寫入周期數（一般為10,000次）。根據位線和字線是否拉高或拉低，FLASH分為 NOR FLASH和NAND FLASH兩種類型。

NAND FLASH可以按block/page進行擦除、寫入和讀取，NOR FLASH允許將單字寫入、位置或讀取。FLASH設備通常由一個或多個FLASH chip以及一個單獨的閃存控制器芯片組成。FLASH具有快速的讀取訪問時間，但一般不如靜態(tài)RAM或ROM快，并且單block/page寫入次數壽命較少。

FLASH與EEPROM沒有明確區(qū)分，一般“EEPROM”通常用于定義具有小block（小至一個字節(jié)）和長壽命（通常為1,000,000 次）的非易失性存儲器。近年來，FLASH已經大規(guī)模替代了EEPROM，并且部分FLASH成本已經低于EEPROM。

5.RAM(Random-Access Memory)

RAM是一種斷電即丟失的存儲形式。RAM可以按任何順序讀取和更改，允許在幾乎相同的時間內讀取或寫入數據，而與存儲物理位置無關。基于這一特點常用來存放工作數據和對實時性要求高的代碼。有時ROM或FLASH中代碼，先被復制到RAM中然后再運行，以提高運行速度。

RAM包含多路復用和多路分解電路，用于將數據線連接到尋址存儲以讀取或寫入條目。RAM往往有多條數據線，一般按照“8位”或“16位”等分類。RAM根據實現電路不同分為SRAM、DRAM、SDRAM、SGRAM等型號。

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