0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第四代磁傳感器——TMR隧道磁阻傳感器

廣東微電科技有限公司 ? 2021-12-23 09:41 ? 次閱讀

?

傳感器

磁傳感器是種類繁多的傳感器中的一種,它能夠感知與磁現(xiàn)象有關(guān)的物理量的變化,并將其轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)進(jìn)行檢測(cè),從而直接或間接地探測(cè)磁場(chǎng)大小、方向、位移、角度、電流等物理信息,廣泛應(yīng)用于信息、電機(jī)電力電子、能源管理、汽車、磁信息讀寫(xiě)、工業(yè)自動(dòng)控制及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。

隨著科技進(jìn)步和信息技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)磁傳感器的尺寸、靈敏度、熱穩(wěn)定性及功耗等提出了越來(lái)越高的要求。

廣泛應(yīng)用的磁傳感器主要是基于電磁感應(yīng)原理、霍爾效應(yīng)及磁電阻效應(yīng)等。其中基于磁電阻效應(yīng)的傳感器由于其高靈敏度、小體積、低功耗及易
集成等特點(diǎn)正在取代傳統(tǒng)的磁傳感器。

目前市場(chǎng)上主要的磁傳感器芯片是基于霍爾效應(yīng)、各向異性磁電阻(AMR)和巨磁電阻(GMR)效應(yīng)而開(kāi)發(fā)的,而由于TMR磁傳感器芯片擁有的小型化、低成本、低功耗、高度集成、高響應(yīng)頻率和高靈敏度特性,使其將會(huì)成為未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。

TMR隧道磁阻傳感器

主流的磁傳感器仍然是半導(dǎo)體霍爾器件,但其本身存在的靈敏度低、容易受應(yīng)力和溫度影響、響應(yīng)頻率低以及功耗大的缺點(diǎn),使其主導(dǎo)地位正不斷受到磁電阻傳感器的沖擊。

國(guó)外薄膜磁電阻傳感器(AMR/Sl,in-Valve/TMR)技術(shù)已經(jīng)成熟并已開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。TMR傳感器目前主要應(yīng)用在硬盤磁頭和磁性內(nèi)存領(lǐng)域,代表廠商:Seagate/WD/TDK;AMR器件代表廠商有:HoneyWell/NEC/日本旭化成/西門子;美國(guó)NVE公司小規(guī)模量產(chǎn)GMR傳感器和少量的Spin—Valve傳感器。


TMR磁傳感器芯片的研發(fā)和生產(chǎn)依賴于納米薄膜及納米級(jí)電子元器件的生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)工藝與技術(shù)以及芯片的設(shè)計(jì)等多個(gè)環(huán)節(jié)。TMR技術(shù)主要掌握在國(guó)外的硬盤制造企業(yè)手中,而磁傳感器制造企業(yè)普遍缺乏n很芯片制各技術(shù)、人才和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

在全世界范圍內(nèi),國(guó)際上也只有美國(guó)的兩家公司能夠小批量生產(chǎn)TIvIR磁傳感器芯片,包括美國(guó)的NVE和Micro Magnetics,而國(guó)內(nèi)受設(shè)備和人才的限制,直到2010年,才逐漸填補(bǔ)這一領(lǐng)域的空白。

TMR傳感器的原理和特性

基于磁電阻效應(yīng)磁信號(hào)可以轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào),除了龐磁電阻(CMR)效應(yīng)受到溫度區(qū)間和工作磁場(chǎng)的限制而很難應(yīng)用以外,其他AMR、GMR、TMR三種磁電阻效應(yīng)都可以應(yīng)用于磁傳感器中。

目前,AMR傳感器已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用;GMR傳感器正方興未艾,快速發(fā)展。TMR傳感技術(shù)最早應(yīng)用于硬盤驅(qū)動(dòng)器讀出磁頭,大大提高了硬盤驅(qū)動(dòng)器的記錄密度。它集AMR的高靈敏度和GMR的寬動(dòng)態(tài)范圍優(yōu)點(diǎn)于一體,因而在各類磁傳感器技術(shù)中,TMR磁傳感器具有無(wú)可比擬的技術(shù)優(yōu)勢(shì),其各項(xiàng)性能指標(biāo)均遠(yuǎn)優(yōu)于其他類型的傳感器,表1給出了三種效應(yīng)的傳感器技術(shù)比較。

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

TMR效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理和特點(diǎn)

在鐵磁材料中, 由于量子力學(xué)交換作用, 鐵磁金屬的 3d軌道局域電子能帶發(fā)生劈裂, 使費(fèi)米( Ferm i)面附近自旋向上和向下的電子具有不同的能態(tài)密度。

在磁性隧道結(jié) MTJs中, TMR 效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理是自旋相關(guān)的隧穿效應(yīng)。MTJs的一般結(jié)構(gòu)為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層( FM / I/FM )的三明治結(jié)構(gòu).。飽和磁化時(shí),兩鐵磁層的磁化方向互相平行, 而通常兩鐵磁層的矯頑力不同, 因此反向磁化時(shí), 矯頑力小的鐵磁層磁化矢量首先翻轉(zhuǎn), 使得兩鐵磁層的磁化方向變成反平行。電子從一個(gè)磁性層隧穿到另一個(gè)磁性層的隧穿幾率與兩磁性層的磁化方向有關(guān)。

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

TMR效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理示意圖

若兩層磁化方向互相平行, 則在一個(gè)磁性層中, 多數(shù)自旋子帶的電子將進(jìn)入另一磁性層中多數(shù)自旋子帶的空態(tài), 少數(shù)自旋子帶的電子也將進(jìn)入另一磁性層中少數(shù)自旋子帶的空態(tài), 總的隧穿電流較大;若兩磁性層的磁化方向反平行, 情況則剛好相反, 即在一個(gè)磁性層中, 多數(shù)自旋子帶的電子將進(jìn)入另一磁性層中少數(shù)自旋子帶的空態(tài), 而少數(shù)自旋子帶的電子也將進(jìn)入另一磁性層中多數(shù)自旋子帶的空態(tài), 這種狀態(tài)的隧穿電流比較小。因此, 隧穿電導(dǎo)隨著兩鐵磁層磁化方向的改變而變化, 磁化矢量平行時(shí)的電導(dǎo)高于反平行時(shí)的電導(dǎo)。通過(guò)施加外磁場(chǎng)可以改變兩鐵磁層的磁化方向, 從而使得隧穿電阻發(fā)生變化, 導(dǎo)致TMR效應(yīng)的出現(xiàn)。

MTJs中兩鐵磁層電極的自旋極化率定義為

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

式中和 N 分別為鐵磁金屬費(fèi)米面處自旋向上和自旋向下電子的態(tài)密度。

由Julliere模型可以得到

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

或者

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

式中

圖片poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

?

圖片poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

?分別為兩鐵磁層磁化方向平行和反平行時(shí)的隧穿電阻,

圖片poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

?

圖片poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

?分別為兩鐵磁層電極的自旋極化率。顯然, 如果

圖片poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

?

圖片poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

?均不為零, 則 MTJs中存在 TMR 效應(yīng),且兩鐵磁層電極的自旋極化率越大,TMR 值也越高。

在研究中,不同的學(xué)者對(duì) TMR值的定義不同, 有的學(xué)者采用( 2)式的定義, 但最近幾年, 大部分學(xué)者都采用( 3)式的定義。

TMR磁傳感器產(chǎn)品應(yīng)用

TMR磁傳感器產(chǎn)品應(yīng)用TMR磁傳感器的應(yīng)用非常廣泛,包括工業(yè)控制、金融器具、生物醫(yī)療、消費(fèi)電子、汽車領(lǐng)域等,其典型特征是低功耗、小尺寸、高靈敏度。薛松生博士給我們舉了幾個(gè)案例。


在流量計(jì)領(lǐng)域中,智能水表、智能熱量表一般都采用電池供電,因此對(duì)傳感器的功耗要求非常苛刻。當(dāng)前水表方案采用干簧管、低功耗霍爾器件以及韋根傳感器等,要么頻率響應(yīng)非常低導(dǎo)致測(cè)量精度不夠,要么就是功耗很大導(dǎo)致電池壽命很短。而采用韋根傳感器的智能熱量表電路復(fù)雜,可靠性差,小流量的測(cè)量也不精確。另外,采用霍爾器件的傳統(tǒng)電表方案溫度性能比較差,由于靈敏度低需要額外增加聚磁環(huán),導(dǎo)致體積和成本增加。目前,采用兩個(gè)TMR超低功耗磁傳感器的方案,根據(jù)葉輪轉(zhuǎn)動(dòng)的磁場(chǎng)變化測(cè)量轉(zhuǎn)速,得到水表的瞬時(shí)流量,并且功耗非常低(超低功耗全極磁開(kāi)關(guān)MMS2X1H,雙極磁開(kāi)關(guān)MMS1X1H,全時(shí)供電下只有1.5uA電流,頻響大于1KHZ)。在智能電表中,基于TMR磁傳感器(如TMR501、TMR503)的電表比傳統(tǒng)霍爾器件電表體積更小、成本更低、精度更高、溫度特性更好。

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

智能水表

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

智能氣表


在金融器具領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)的金融設(shè)備主要采用電感線圈和銻化銦磁頭,無(wú)論是檢測(cè)精度和信噪比,還是磁頭的尺寸,均無(wú)法與其他發(fā)達(dá)國(guó)家尤其是日本的金融磁頭相比,更加嚴(yán)重的是產(chǎn)品一致性存在問(wèn)題,量產(chǎn)工藝不穩(wěn)定,無(wú)法大批量生產(chǎn)。時(shí)至今日,全球(包括中國(guó))高端金融磁頭市場(chǎng)都被日本公司壟斷。TMR磁性識(shí)別傳感器(如MMGB015、MMGB065、MMGB18S)是專門用于紙幣、銀行票據(jù)、證券磁特性的檢測(cè)、識(shí)別的新型純阻抗驗(yàn)鈔磁頭,主要應(yīng)用于點(diǎn)驗(yàn)鈔機(jī)、清分設(shè)備、ATM、各類自動(dòng)售貨機(jī)讀鈔、驗(yàn)鈔模組和磁卡讀頭,具有高靈敏度、高信噪比、高頻響等特點(diǎn)。

圖片

?

poYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

(左)單通道TMR金融磁頭 (右上)6通道TMR金融磁頭 (右下)18通道TMR金融磁頭


在電梯、礦洞、橋梁等鋼絲繩無(wú)損探傷方面,基于TMR磁傳感器的產(chǎn)品(如TMR2703、TMR2705、TMR2901、TMR2903)能夠利用弱磁檢測(cè)精確定位繩索的表面缺陷和內(nèi)部缺陷,與目前幾萬(wàn)、幾十萬(wàn)的檢測(cè)系統(tǒng)相比精度更高、價(jià)格更加親民、檢測(cè)更加方便。

在智能停車管理系統(tǒng)領(lǐng)域,與傳統(tǒng)的地感線圈、超聲波、RFID、紅外線等判斷停車位上有無(wú)車輛相比,TMR線性磁傳感器能夠根據(jù)車輛對(duì)地磁的擾動(dòng)特征識(shí)別出來(lái),精度高、體積小、易于安裝維護(hù)、全天候工作。


在醫(yī)療領(lǐng)域,例如血槽中磁珠外表的生物膜跟血液中不同的病毒結(jié)合的實(shí)驗(yàn),通過(guò)血液中的磁珠體積變化從而判斷病人的病情,而TMR磁傳感器能夠精準(zhǔn)的監(jiān)測(cè)出磁珠體積是否變大。


基于TMR磁傳感器的產(chǎn)品在智慧家庭和智能汽車領(lǐng)域?qū)?huì)拓展更多的應(yīng)用。

由于 TMR材料同時(shí)具備工作磁場(chǎng)低、靈敏度高、熱穩(wěn)定性好等特性,因此,與 GMR 效應(yīng)相比,TMR效應(yīng)具有更為廣闊的應(yīng)用前景。研究與開(kāi)發(fā)室溫 TMR 值高、熱穩(wěn)定性好、 RA 值低、成本低的 TMR材料將是今后磁電阻材料領(lǐng)域工作的重點(diǎn)和關(guān)鍵。

?

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電子羅盤
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    123

    瀏覽量

    23259
  • 磁傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    242

    瀏覽量

    23391
  • TMR
    TMR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    75

    瀏覽量

    18939
  • 傾角傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    275

    瀏覽量

    25133
  • 姿態(tài)解算
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    49

    瀏覽量

    8228
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    MR角度傳感器磁阻傳感器有什么區(qū)別

    TMR(Tunneling Magneto Resistance,隧道磁電阻)角度傳感器磁阻傳感器在磁性測(cè)量領(lǐng)域都扮演著重要角色,但它們?cè)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 09-02 10:52 ?232次閱讀

    采用多維科技皮特級(jí)TMR傳感器芯片的健康成人心信號(hào)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)

    專注于隧道磁阻TMR)技術(shù)的傳感器制造商江蘇多維科技有限公司的研發(fā)人員與寧波大學(xué)未來(lái)無(wú)線研究院智能
    的頭像 發(fā)表于 08-13 16:08 ?292次閱讀
    采用多維科技皮特級(jí)<b class='flag-5'>TMR</b><b class='flag-5'>傳感器</b>芯片的健康成人心<b class='flag-5'>磁</b>信號(hào)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)

    多維科技推出全新超小型TMR角度傳感器芯片

    在全球矚目的Sensors Converge 2024展會(huì)上,中國(guó)專業(yè)隧道磁阻TMR傳感器制造商多維科技有限公司(MDT)宣布,其最新
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:49 ?750次閱讀

    多維科技TMR4101傳感器正式開(kāi)啟全球銷售業(yè)務(wù)

    在科技日新月異的今天,傳感器技術(shù)的發(fā)展成為了推動(dòng)工業(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)電子領(lǐng)域創(chuàng)新的關(guān)鍵力量。近日,在備受矚目的Sensor+Test 2024國(guó)際傳感器及測(cè)量測(cè)試展覽會(huì)上,國(guó)內(nèi)知名的隧道磁阻
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:47 ?8059次閱讀

    多維科技在 Sensor+Test 2024 推出 TMR4101 微米級(jí)高精度傳感器并開(kāi)展全球銷售

    2024年6月11日 /美通社/ -- 在Sensor+Test 2024?國(guó)際傳感器及測(cè)量測(cè)試展覽會(huì)上,專業(yè)的隧道磁阻?(TMR)
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:37 ?308次閱讀

    多維科技推出TMR4101微米級(jí)高精度傳感器并開(kāi)展全球銷售

    消息,在德國(guó) Sensor+Test 2024 國(guó)際傳感器及測(cè)量測(cè)試展覽會(huì)上,專業(yè)的隧道磁阻 (TMR)
    的頭像 發(fā)表于 06-11 15:56 ?628次閱讀
    多維科技推出<b class='flag-5'>TMR</b>4101微米級(jí)高精度<b class='flag-5'>磁</b>柵<b class='flag-5'>傳感器</b>并開(kāi)展全球銷售

    capsense第四代和第五在感應(yīng)模式上的具體區(qū)別是什么?

    據(jù)我所知,第五capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術(shù))和電感觸摸技術(shù)集成到了一起,snr信噪比是上一的十多倍,同時(shí)功耗僅是上一的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式
    發(fā)表于 05-23 06:24

    多維科技推出23位高速TMR編碼芯片—TMR3109和TMR3110

    2024年4月25日消息,專注于隧道磁阻TMR)技術(shù)的傳感器制造商江蘇多維科技有限公司 (MultiDimension Technolo
    的頭像 發(fā)表于 04-25 15:00 ?991次閱讀
    多維科技推出23位高速<b class='flag-5'>TMR</b><b class='flag-5'>磁</b>編碼<b class='flag-5'>器</b>芯片—<b class='flag-5'>TMR</b>3109和<b class='flag-5'>TMR</b>3110

    多維科技推出TMR215x系列線性傳感器芯片

    低噪音,低溫漂,模擬差分輸出,TMR線性傳感器芯片2024年1月10日消息,專注于隧道磁阻TMR
    的頭像 發(fā)表于 02-19 12:23 ?525次閱讀
    多維科技推出<b class='flag-5'>TMR</b>215x系列線性<b class='flag-5'>傳感器</b>芯片

    多維科技推出TMR215x系列線性傳感器芯片

    2024年1月10日消息,專注于隧道磁阻TMR)技術(shù)的傳感器制造商江蘇多維科技有限公司(MultiDimension Technolog
    的頭像 發(fā)表于 01-11 10:02 ?759次閱讀
    多維科技推出<b class='flag-5'>TMR</b>215x系列線性<b class='flag-5'>傳感器</b>芯片

    多維科技推出新型3pT級(jí)高精度低噪聲線性傳感器TMR8503

    專注于隧道磁阻TMR)技術(shù)的傳感器制造商江蘇多維科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd.,
    的頭像 發(fā)表于 01-02 16:54 ?767次閱讀
    多維科技推出新型3pT級(jí)高精度低噪聲線性<b class='flag-5'>磁</b><b class='flag-5'>傳感器</b>—<b class='flag-5'>TMR</b>8503

    Littelfuse推出54100和54140微型隧道磁阻效應(yīng)傳感器

    Littelfuse推出54100和54140微型隧道磁阻 (TMR) 效應(yīng)傳感器,具備無(wú)與倫比的敏感度和能效,為磁感應(yīng)行業(yè)帶來(lái)了一場(chǎng)革命。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 13:30 ?802次閱讀

    多維科技推出TMR3016和TMR3017角度傳感器芯片

    2023年12月21日消息,專注于隧道磁阻TMR)技術(shù)的傳感器制造商江蘇多維科技有限公司基于高靈敏度
    的頭像 發(fā)表于 12-22 11:24 ?1445次閱讀
    多維科技推出<b class='flag-5'>TMR</b>3016和<b class='flag-5'>TMR</b>3017角度<b class='flag-5'>傳感器</b>芯片

    什么是TMR傳感器?TMR的輸出響應(yīng)與GMR和AMR的比較

    TMR(穿隧磁阻,Tunneling Magnetoresistance)傳感器是一種利用量子現(xiàn)象提供優(yōu)于現(xiàn)有傳感器的性能優(yōu)勢(shì),可以替代主流霍爾效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 12-18 16:42 ?1w次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>TMR</b><b class='flag-5'>傳感器</b>?<b class='flag-5'>TMR</b>的輸出響應(yīng)與GMR和AMR的比較

    TDK 和 LEM (萊姆) 將合作開(kāi)發(fā)用于電氣化應(yīng)用的下一隧道磁阻式集成電流傳感器

    TDK株式會(huì)社(TSE:6762)和LEM International SA(萊姆)宣布雙方已就開(kāi)發(fā)用于下一集成式電流傳感器的定制化隧道磁阻模具的相關(guān)事宜達(dá)成合作協(xié)議。 TDK總部位
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:40 ?553次閱讀