9.5.10 極紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5 光掩模和光刻膠材料

第9章 集成電路專用材料

《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)

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往期內(nèi)容：

9.5.9 KrF和ArF深紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.8 g線和i線的紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.7 光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.6 硬掩模∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.5 極紫外光掩?！省都呻娐樊a(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.4 移相光掩模∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.3 勻膠鉻版光掩?！省都呻娐樊a(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.2 光掩模基板材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5.1 集成電路對(duì)光掩模材料的要求及發(fā)展∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.5 光掩模和光刻膠材料

9.4.15 化合物量子點(diǎn)材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.14 化合物量子阱材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.12 碳化硅單晶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.11 藍(lán)寶石晶體與襯底材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.10 氮化鎵薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.9 氮化鎵單晶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.8 銦鎵砷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.7 磷化銦單晶制備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.6 磷化銦的性質(zhì)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.5砷化鎵外延∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.4 砷化鎵熱處理和晶片加工∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.3 砷化鎵單晶的制備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.2 集成電路對(duì)化合物半導(dǎo)體材料的要求∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4.1 化合物半導(dǎo)體材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.4 化合物半導(dǎo)體

9.3.14 誘生微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.13 外延缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.12 氧化誘生層錯(cuò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.11 失配位錯(cuò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.10 滑移位錯(cuò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.9 直拉單晶硅中的金屬雜質(zhì)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.8 直拉單晶硅中的氮∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.7 直拉單晶硅中的碳∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.6 直拉單晶硅中的氧∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.5 微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.4 體缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.3 面缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.2 線缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3.1 點(diǎn)缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)

9.2.7 硅片清洗與包裝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2.6 拋光工藝和拋光片∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2.5 研磨工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2.4 切片工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2.3 晶錠切斷工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2.2 晶體定向∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2.1 晶體熱處理∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.2 硅片加工

9.1.12 硅基發(fā)光材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.11 硅基石墨烯∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.10 硅基碳管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.9 硅基應(yīng)變硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.8 硅基SiGe薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.7 SOI材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.6 硅外延單晶薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.5 納米硅材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.4 非晶硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.3 單晶硅∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.2 高純多晶硅∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1.1 集成電路對(duì)硅材料的要求∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

9.1 硅材料

第9章 集成電路專用材料

8.13.6 液體顆粒計(jì)數(shù)儀（LPC）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

8.13 生產(chǎn)線其他相關(guān)設(shè)備

8.12.8 測(cè)試議表∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

8.12 集成電路測(cè)試設(shè)備

8.11.14 反應(yīng)腔室∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

8.11 主要公用部件

8.10.16 激光打標(biāo)設(shè)備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

8.9 工藝檢測(cè)設(shè)備8.8.12 電化學(xué)鍍銅設(shè)備（Cu-ECP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
8.8 濕法設(shè)備
8.7.18 等離子體刻蝕設(shè)備中的靜電吸盤(pán)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
8.7 等離子體刻蝕設(shè)備
8.6.25 勻膠機(jī)（Spin Coater）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》8.6薄膜生長(zhǎng)設(shè)備8.5.9 快速熱處理設(shè)備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
8.5擴(kuò)散及離子注入設(shè)備
8.4.14 濕法去膠設(shè)備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
8.4光刻設(shè)備