９.１.８ 共發(fā)射極電流增益：溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
９.１.８共發(fā)射極電流增益：溫度特性
９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）
第９章雙極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
代理產(chǎn)品線：
1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明
2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機IC
9、中國芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401
10、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
6688瀏覽量
131497
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅器件的基本特性都有哪些？
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表，近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
碳化硅器件的類型及應(yīng)用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩(wěn)定
發(fā)表于 04-16 11:54
?643次閱讀
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導(dǎo)率。
發(fā)表于 03-19 11:12
?500次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些
發(fā)表于 02-29 14:23
?1471次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用
碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率
三種碳化硅外延生長爐的差異
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質(zhì)量的
碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢？
中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其
發(fā)表于 10-27 12:45
?4289次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論