6.4.2.1 基本原理
6.4.2 n型和p型SiC的歐姆接觸
6.4 金屬化
第6章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2691瀏覽量
62285
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
無(wú)線充電技術(shù)的基本原理和應(yīng)用領(lǐng)域
無(wú)線充電技術(shù)作為近年來(lái)快速發(fā)展的電力傳輸方式,其基本原理和應(yīng)用范圍廣泛,為人們的生活帶來(lái)了極大的便利。以下將詳細(xì)闡述無(wú)線充電技術(shù)的基本原理、主要類型、
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
發(fā)表于 03-19 11:12
?496次閱讀
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過(guò)利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1466次閱讀
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的
開關(guān)電源的基本原理與設(shè)計(jì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)電源的基本原理與設(shè)計(jì).rar》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-17 09:53
?3次下載
評(píng)論