杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應用

杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應用

伴隨著65W氮化鎵快充的發(fā)展，電源技術(shù)在不斷迭代。從傳統(tǒng)控制器+驅(qū)動器+氮化鎵開關(guān)管，多顆芯片的原邊方案，再到控制器直驅(qū)氮化鎵兩顆芯片的電源方案，已經(jīng)大幅簡化了氮化鎵快充的電路。但隨著電源工程師們對集成度以及效率等參數(shù)的不斷追求，氮化鎵快充早已進入到合封時代。

杰華特推出了一款外圍極簡的高集成氮化鎵合封芯片JW1565，這款合封芯片采用WDFN6*8封裝，體積小巧，內(nèi)部集成反激控制器，氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵功率管，采用準諧振反激模式運行，能夠降低開關(guān)損耗，改善EMI并提高電源能效。JW1565適配65-100W應用，滿足手機和筆記本供電需求。

圖為杰華特 JW1565氮化鎵合封芯片，這款合封芯片將高頻氮化鎵直驅(qū)控制器，氮化鎵功率管合封在一個封裝內(nèi)部，能夠減小傳統(tǒng)設計中走線寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，同時采用負壓采樣，消除取樣電阻壓降對于氮化鎵驅(qū)動電壓精度的影響。JW1565支持260KHz開關(guān)頻率，支持90V供電電壓，無需外置LDO即可滿足3.3-21V寬電壓輸出。

杰華特JW1565是一顆采用反激拓撲，內(nèi)部集成氮化鎵的原邊合封芯片。JW1565支持高壓啟動和X電容放電，能夠有效減小充電器的待機功耗，內(nèi)置650V耐壓，導阻260mΩ的氮化鎵開關(guān)管，通過反激降低開關(guān)損耗，內(nèi)置抖頻提升EMI性能。JW1565支持65W快充應用，搭配PFC可用于100W快充應用。

杰華特JW1565內(nèi)置頻率限制以提高轉(zhuǎn)換效率，采用負壓電流采樣來減小氮化鎵的驅(qū)動環(huán)路，驅(qū)動電壓不受電流采樣電阻壓降影響，充分發(fā)揮氮化鎵性能優(yōu)勢并提高可靠性。同時芯片將功率走線和信號走線區(qū)分開，便于走線，進一步簡化電路設計。內(nèi)置可選的過流保護和過功率保護功能，用于不同的PD快充輸出保護。

JW1565內(nèi)置了豐富完善的保護功能，包括逐周期電流限制，供電過壓保護，電壓采樣過壓、欠壓保護，電流取樣電阻開路保護，過流保護和過功率保護，芯片內(nèi)置過熱保護等。

杰華特JW1565采用WDFN6*8-8封裝，芯片底部為大面積散熱焊盤，有助于降低大功率輸出的溫升。適用于PD快充適配器以及寬范圍輸出的開關(guān)電源設計。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

杰華特JW1565是一顆高集成度的氮化鎵合封芯片，內(nèi)部集成高壓啟動，支持高達90V的寬范圍供電電壓，無需額外使用其他芯片實現(xiàn)功能，簡化電源原邊設計。同時負壓采樣的應用，在合封降低寄生參數(shù)的前提下，進一步提高了氮化鎵驅(qū)動電壓精度，充分發(fā)揮了氮化鎵的性能優(yōu)勢。

JW1565滿足65-100W氮化鎵快充應用需求，支持單口寬電壓輸出和固定電壓多口輸出，全方位滿足快充設計要求。WDFN封裝易于散熱，有效降低器件溫升，降低散熱需求。