0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

CMP工藝影響下的版圖優(yōu)化

jf_BPGiaoE5 ? 來源:光刻人的世界 ? 2023-06-20 10:51 ? 次閱讀

編者按

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報告,實現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。

考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關(guān)注的實用技術(shù),征得教師和學(xué)生的同意,本公眾號將陸續(xù)展示一些學(xué)生的調(diào)研結(jié)果。這些報告還很初步,甚至有少許謬誤之處,請業(yè)界專家批評指正。

以下為報告PPT:

b3509b06-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b36f33fe-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b386610a-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b3a3f3f0-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b3bce5e0-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b3d543f6-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b3f33c6c-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b40c0c24-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b42703bc-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b43f322a-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b45be6f4-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b477392c-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b48f6a9c-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b4a6ce9e-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b4bfe078-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b4e4bb3c-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b501f648-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b517fba0-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

b5348202-0c3b-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5371

    文章

    11249

    瀏覽量

    359761
  • 工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    550

    瀏覽量

    28724
  • CMP
    CMP
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    141

    瀏覽量

    25892
  • 光刻技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    140

    瀏覽量

    15767

原文標(biāo)題:【Study】CMP工藝影響下的版圖優(yōu)化

文章出處:【微信號:光刻人的世界,微信公眾號:光刻人的世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    CMP工藝技術(shù)淺析

    在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續(xù)推進(jìn)之時,CMP技術(shù)應(yīng)運而生,是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光和化學(xué)拋光去除速率
    的頭像 發(fā)表于 02-03 10:27 ?4751次閱讀
    <b class='flag-5'>CMP</b><b class='flag-5'>工藝</b>技術(shù)淺析

    INA205 cmp1復(fù)位引腳拉高、cmp1 in沒有輸入的情況cmp1 out會輸出高電平,為什么?

    在初始化階段,INA205 cmp1復(fù)位引腳拉高、cmp1 in沒有輸入的情況,cmp1 out會輸出高電平 ,請問是什么原因
    發(fā)表于 07-30 06:55

    版圖設(shè)計-上海

    、calibre等版圖工具的使用; 3、了解CMOS工藝、熟悉CMOS及高壓BCD設(shè)計規(guī)則; 4、能讀懂Command file文件; 5、具有良好的溝通能力和團(tuán)隊合作精神。歡迎朋友自薦或推薦!我的QQ:2860394305電話:0755-66606920 有意者簡歷可發(fā)
    發(fā)表于 03-28 18:04

    如何利用SMIC55nm工藝設(shè)計VCO版圖?

    本人利用SMIC55nm工藝設(shè)計VCO版圖,采用starRC提取出寄生參數(shù)網(wǎng)表, 結(jié)合前仿真網(wǎng)表,利用spectre -raw psf input.scs,生成后仿真數(shù)據(jù)psf,最后導(dǎo)入ADE查看數(shù)據(jù)。本人能力有限,如果存在問題,歡迎指正。
    發(fā)表于 06-24 07:22

    國科大《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》課程分享之二:浸沒式光刻工藝缺陷種類、特征及自識別方法

    中國科學(xué)院大學(xué)(以下簡稱國科大)微電子學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院,國科大微電子學(xué)院開設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》課程是國內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程,而開設(shè)課程
    發(fā)表于 10-14 09:58

    化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題

    器件制造具有以下優(yōu)點[1] (1) 片子平面的總體平面度: CMP 工藝可補(bǔ)償亞微米光刻中步進(jìn)機(jī)大像場的線焦深不足。 (2) 改善金屬臺階覆蓋及其相關(guān)的可靠性: CMP工藝顯著地提高了
    發(fā)表于 09-19 07:23

    IC設(shè)計基礎(chǔ)(流程、工藝版圖、器件)筆試題

    IC設(shè)計基礎(chǔ)(流程、工藝、版圖、器件) 筆試集錦 1、 我們公司的產(chǎn)品是集成電路,請描述一你對集成電路的認(rèn)識,列舉一些與集成電路 相關(guān)的內(nèi)容(如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、
    發(fā)表于 10-28 10:06 ?0次下載

    大規(guī)模集成電路第2章_集成電路工藝基礎(chǔ)及版圖設(shè)計1

    集成電路工藝的基礎(chǔ)和版圖設(shè)計
    發(fā)表于 07-18 08:43 ?0次下載

    IC工藝版圖設(shè)計的電容版圖設(shè)計的詳細(xì)中文資料概述

    本文檔介紹的是IC工藝版圖設(shè)計的電容版圖設(shè)計的詳細(xì)中文資料概述主要內(nèi)容是:布線寄生電容,電容類型及其容值變化,電容寄生效應(yīng),各種電容比較,電容匹配布局
    發(fā)表于 06-15 08:00 ?0次下載
    IC<b class='flag-5'>工藝</b>和<b class='flag-5'>版圖</b>設(shè)計的電容<b class='flag-5'>版圖</b>設(shè)計的詳細(xì)中文資料概述

    先進(jìn)工藝節(jié)點的芯片設(shè)計需考慮更多變量

    性能、功耗和面積 (PPA) 目標(biāo)受多個靜態(tài)指標(biāo)影響,包括時鐘和數(shù)據(jù)路徑時序、版圖規(guī)劃以及特定電壓水平的功耗。這些指標(biāo)會進(jìn)一步推動技術(shù)庫的表征,設(shè)計優(yōu)化和簽核收斂。 先進(jìn)工藝節(jié)點設(shè)計
    的頭像 發(fā)表于 05-06 11:12 ?2080次閱讀

    DHF在氧化后CMP清洗工藝中的應(yīng)用

    晶圓-機(jī)械聚晶(CMP)過程中產(chǎn)生的漿體顆粒對硅晶片表面的污染對設(shè)備工藝中收率(Yield)的下降有著極大的影響。
    發(fā)表于 03-14 10:50 ?1348次閱讀
    DHF在氧化后<b class='flag-5'>CMP</b>清洗<b class='flag-5'>工藝</b>中的應(yīng)用

    半導(dǎo)體制造CMP工藝后的清洗技術(shù)

    的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜,包括從微粉化一邊倒到三維化,半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化,用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP
    發(fā)表于 03-21 13:39 ?4195次閱讀
    半導(dǎo)體制造<b class='flag-5'>CMP</b><b class='flag-5'>工藝</b>后的清洗技術(shù)

    基于人工智能技術(shù)的版圖優(yōu)化設(shè)計流程

    近日,法動科技聯(lián)合杭州電子科技大學(xué)陳世昌教授科研團(tuán)隊,成功開發(fā)出基于人工智能技術(shù)的版圖優(yōu)化設(shè)計流程,有效改善高頻電路版圖設(shè)計自動化程度低的現(xiàn)狀,提升功率放大器性能和設(shè)計效率。
    的頭像 發(fā)表于 09-15 11:11 ?1613次閱讀

    化學(xué)機(jī)械拋光工藝(Chemical Mechanical Polishing,CMP

    CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機(jī)、拋光液(又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(End Point)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:48 ?1.4w次閱讀

    cmp是什么意思 cmp工藝原理

    CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝
    發(fā)表于 07-18 11:48 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>cmp</b>是什么意思 <b class='flag-5'>cmp</b><b class='flag-5'>工藝</b>原理