IGBT產(chǎn)品預計2026年全球市場規(guī)模約84億美元，年復合增長率7.5%

6月5日，杭州飛仕得科技股份有限公司（以下簡稱“飛仕得”）披露首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書（申報稿）。

功率半導體的全球市場規(guī)模方面，根據(jù)Omdia統(tǒng)計，2021年全球功率半導體市場規(guī)模為583.83億美元，其中功率分立器件市場規(guī)模為200.50億美元、功率模塊市場規(guī)模為74.52億美元、功率IC市場規(guī)模為308.81億美元。

中國是全球最大的功率半導體消費國，中國功率半導體的市場規(guī)模在全球的占比仍在逐步提升，根據(jù)Omdia統(tǒng)計，2021年中國功率半導體市場規(guī)模約為211.51億美元，占全球市場比重約為36.2%。

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年，全球功率器件市場規(guī)模約為275.02億美元，中國已經(jīng)成為全球最大功率器件消費市場。據(jù)英飛凌（全球功率器件領(lǐng)先企業(yè)）年報統(tǒng)計，2021財年英飛凌在中國地區(qū)銷售收入占其全部收入的37.9%，中國是其全球最大的銷售區(qū)域。

據(jù)Omida數(shù)據(jù)，中國功率器件市場規(guī)模約為105.82億美元，相較2020年增長21.7%。IGBT和MOSFET是國際功率器件市場的主力軍。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年，全球功率器件MOSFET市場約占43.6%，約120億美元；IGBT（含IGBT分立器件、IGBT模塊、IPM模塊）市場占30.6%，約84億美元。SiC基和GaN基功率器件由于成本和技術(shù)限制，目前占比較低，其是未來功率器件重要發(fā)展方向之一。

市場規(guī)模方面，功率器件驅(qū)動器與功率器件搭配使用，二者市場協(xié)同發(fā)展。市場上功率器件驅(qū)動器產(chǎn)品主要針對IGBT和MOSFET兩類產(chǎn)品，根據(jù)Omdia及英飛凌數(shù)據(jù)，2020年，IGBT和MOSFET合計約占全球功率器件市場規(guī)模的70.54%。因此，通過IGBT和MOSFET的市場需求可間接反映功率器件驅(qū)動器的市場規(guī)模。

A、IGBT市場規(guī)模：IGBT按照封裝進行分類，可分為IGBT單管（即IGBT分立器件）、IGBT模塊和智能功率模塊（IPM）三類產(chǎn)品，其中IPM模塊內(nèi)置驅(qū)動電路，主要應用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機等家用電器及消費電子。IGBT全球市場空間增速較快，根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年IGBT的全球市場規(guī)模約為59億美元（含IGBT分立器件、IGBT模塊），預計至2026年全球市場規(guī)模約為84億美元，年復合增長率為7.5%。中國IGBT市場需求快速增長，主要受益于下游行業(yè)市場需求的推動，特別是新能源汽車、新能源發(fā)電、碳達峰、碳中和發(fā)展規(guī)劃等一系列國家政策的驅(qū)動。

B、MOSFET市場規(guī)模：硅基MOSFET具有開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，常應用于低電壓（600V以下）、較低功率、高工作頻率場景，因此硅基MOSFET多應用于消費電子、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域。硅基MOSFET全球市場規(guī)模較為穩(wěn)定，據(jù)Yole統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2020年全球硅基MOSFET（分立器件+功率模塊）市場規(guī)模約為66.41億美元，隨著汽車和工業(yè)細分領(lǐng)域的需求快速增長，預計2026年硅基MOSFET全球市場規(guī)模約為94億美元，年復合增長率為3.8%。隨著SiC基功率半導體器件的技術(shù)發(fā)展趨于成熟，SiC MOSFET器件由于其高功率密度的特性，市場空間廣闊。據(jù)Omdia及Yole數(shù)據(jù)，SiC MOSFET將成為SiC材料應用最廣泛的器件，2021年，全球SiC功率器件市場規(guī)模約為11.29億美元，預計至2027年增長至62.97億美元，CAGR約34.00%；中國SiC功率器件市場增速高于全球增速，根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年，中國SiC功率器件的市場規(guī)模為4.19億美元，增長率約為62.00%。

功率器件驅(qū)動器市場發(fā)展趨勢

A、國內(nèi)廠商加快技術(shù)與產(chǎn)品追趕，國產(chǎn)替代趨勢明顯

全球市場競爭格局方面，國外生產(chǎn)商憑借其在半導體行業(yè)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，占據(jù)全球功率器件驅(qū)動器主要市場。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年，全球前五名驅(qū)動IC生產(chǎn)商均為國際廠商，占據(jù)全球驅(qū)動IC市場約80%市場份額。

國內(nèi)功率器件驅(qū)動器行業(yè)起步較晚，隨著2017年工信部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應用計劃”、國家“十三五”規(guī)劃等系列政策，國內(nèi)高新技術(shù)自主可控的需求迫切，功率器件驅(qū)動器國產(chǎn)替代需求上升，疊加中美貿(mào)易戰(zhàn)背景下全球半導體供應鏈緊張的情形，國產(chǎn)功率器件驅(qū)動器廠商獲得國產(chǎn)替代機會。驅(qū)動IC方面，納芯微、比亞迪半導、圣邦股份等公司的產(chǎn)品實現(xiàn)對德州儀器（TexasInstruments）、博通（Broadcom）等國際巨頭產(chǎn)品一定程度的國產(chǎn)替代；板級驅(qū)動器方面，國內(nèi)聯(lián)研國芯、青銅劍技術(shù)、落木源、飛仕得等公司基于多年技術(shù)研發(fā)和應用積累，逐步在功率器件驅(qū)動器中高壓應用領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢，公司產(chǎn)品已實現(xiàn)對PI、賽米控、英飛凌等公司產(chǎn)品一定程度的國產(chǎn)替代。

B、中高壓功率器件技術(shù)發(fā)展促進功率器件驅(qū)動器專業(yè)化生產(chǎn)需求

《中國“十四五”電力發(fā)展規(guī)劃研究》提出提升電力系統(tǒng)整體效率、高度重視節(jié)能增效要求，且隨著終端應用領(lǐng)域（如風電、光伏、新能源汽車）對功率輸出和空間占比要求不斷提升，明確電力電子產(chǎn)業(yè)高頻高功率密度的發(fā)展趨勢。SiC、GaN等寬禁帶半導體材料工藝的發(fā)展，突破硅基材料對功率與頻率的限制，將進一步提高功率器件的電壓、電流、開關(guān)頻率和容量。因此，用于驅(qū)動大功率器件的驅(qū)動器需求將迎來增長。此外，功率器件模塊化能有效提高功率密度，以IGBT模塊和SiC模塊為代表的中高壓功率器件模塊市場規(guī)模呈上升趨勢。中高壓功率器件的發(fā)展對功率器件驅(qū)動器提出了更高要求，包括驅(qū)動器的功能完善程度、高可靠性、高智能化等，專業(yè)化生產(chǎn)功率器件驅(qū)動器的企業(yè)具有產(chǎn)品及技術(shù)優(yōu)勢、豐富的實況應用積累等，有望進一步提升自身市場地位。

C、能源電子產(chǎn)業(yè)智能化、數(shù)字化需求促進數(shù)字驅(qū)動器發(fā)展

《“十四五”規(guī)劃綱要》明確了智慧電網(wǎng)、智慧電廠的建設(shè)目標，《“十四五”智能制造發(fā)展規(guī)劃》《“十四五”現(xiàn)代能源體系規(guī)劃》等系列政策明確提出面向工業(yè)場景的智能解決方案，促進電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)組件的智能化與數(shù)字化發(fā)展。智能電網(wǎng)要求數(shù)字化技術(shù)應用于電力系統(tǒng)的“源網(wǎng)荷儲”四大環(huán)節(jié)，即包括電能的生產(chǎn)、傳輸、存儲與消費環(huán)節(jié)；《工業(yè)和信息化部等六部門關(guān)于推動能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導意見》（工信部聯(lián)電子〔2022〕181號）提出促進能源電子產(chǎn)業(yè)智能制造和運維管理，推動提升智能設(shè)計、智能集成、智能運維水平，發(fā)展智慧能源系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)和電網(wǎng)智能調(diào)度運行控制與維護技術(shù)；國家能源局《國家能源局關(guān)于加快推進能源數(shù)字化智能化發(fā)展的若干意見》提出推動能源裝備智能感知與智能終端技術(shù)突破。