基于N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法

在這個設(shè)計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法。

在這種分立式雙向開關(guān)電路中，使用背靠背連接的N-香奈兒MOSFET。這種方法需要一個外部驅(qū)動器電路，以促進(jìn)從A到B和反向的雙向功率傳導(dǎo)。

肖特基二極管BA159用于多路復(fù)用來自A和B的電源，以激活電荷泵電路，以便電荷泵能夠為N溝道MOSFET產(chǎn)生必要的導(dǎo)通電壓。

電荷泵可以使用標(biāo)準(zhǔn)倍壓器電路或小型升壓開關(guān)電路構(gòu)建。

3.3 V用于為電荷泵提供最佳電源，而肖特基二極管直接從相應(yīng)的輸入（A/B）獲得柵極電壓，即使輸入電源低至6

V。然后，MOSFET柵極的電荷ump使該6 V電壓加倍。

較低的 N 溝道 MOSFET 用于根據(jù)所需規(guī)格控制雙向開關(guān)的 ON/OFF 開關(guān)。

與前面討論的P溝道相比，使用N溝道MOSFET的唯一缺點(diǎn)是這些額外的元件可能會占用PCB上的額外空間。然而，MOSFET的低R（on）和高效率傳導(dǎo)以及低成本的小尺寸MOSFET抵消了這一缺點(diǎn)。

也就是說，這種設(shè)計也不能提供任何有效的過熱保護(hù)，因此可以考慮將超大尺寸器件用于高功率應(yīng)用。