激勵功率的變化會引起晶體頻率和諧振阻抗的變化,S&A250B測試數(shù)據(jù)中的DLD2指的是:不同激勵電平下的負載諧振電阻的最大值與最小值的差值,值越小越好。
激勵電平相關(guān)性
DLD: Drive Level Dependency
晶振DLD2值過大,會怎么樣????????????????????
如果激勵功率過大可能破壞晶體的內(nèi)部機理,引起振蕩頻率異常、穩(wěn)定度下降、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象,更為嚴重的導致電極受損。
在電路設(shè)計時,KOAN小妹建議您確認所使用的激勵等級絕對不超過最大激勵等級。如果激勵功率過低,也會帶來DLD問題或者不起振。
DLD2值過高的原因???????
除電路設(shè)計的因素,晶振制作過程中殘留應力和制造污染也會造成DLD2值高?!毒д竦闹谱鬟^程》中,第七步“晶振焊封”中:無源諧振器真空密封/充氮氣;有源晶振還需要加入芯片,用金線與底座各引腳連接,最后用真空密封/充氮氣。
在沒有真空的情況下,晶振內(nèi)部存有少量水蒸氣,在低溫環(huán)境下會凝結(jié)成水滴附著于晶片表面。晶振內(nèi)部充氮氣優(yōu)于僅抽真空。氮氣是防止內(nèi)部金屬氧化,例如電極等,以進一步提升晶振的穩(wěn)定性。
晶振的設(shè)計關(guān)鍵:頻率穩(wěn)定?
晶振頻率穩(wěn)定是振蕩電路設(shè)計的關(guān)鍵點。振蕩電路設(shè)計中需要考慮的6大因素:
01 選用公差和諧振阻抗較小的晶體
02 選擇合適的激勵功率
03 合適的匹配電容(滿足相位條件)
04 振蕩寬限(滿足振幅條件)
05 選用合適的振蕩IC
06 其它因素:電路,環(huán)境……
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:晶振DLD2值過大,會怎么樣?
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