無陰極短路點:
(1)正向特性
(2)反向特性
高壓雙向可控硅(SCR)具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽極電流上升率(di/dt)高、抗輻射能力強等特點。
器件設(shè)計考慮:一是原始高阻單晶硅材料參數(shù)(高阻單晶硅電阻率、厚度、少子壽命等) 的選擇及P-區(qū)(等效NPN晶體管基區(qū),薄基區(qū))、N-區(qū)(等效PNP晶體管基區(qū),厚基區(qū))結(jié)構(gòu)設(shè)計,同時滿足產(chǎn)品高阻斷電壓、低飽和壓降及低漏電流特性;二是芯片門極、陰極區(qū)結(jié)構(gòu)及芯片面積的設(shè)計,同時滿足大初始導(dǎo)通面積(高di/dt)、高dv/dt、高電流容量和低導(dǎo)通延遲;三是非對稱N+緩沖層的設(shè)計和實現(xiàn),N+緩沖層的制備方法選擇,通過調(diào)整N+緩沖層的摻雜濃度及雜質(zhì)濃度分布來獲得較好的非對稱特性,同時實現(xiàn)高阻斷特性和低通態(tài)壓降。
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