聯(lián)訊儀器PXIe源測量單元(SMU)集成高精度源和測量單元,可利用PXIe源測量單元構(gòu)建高密度并行測試系統(tǒng),以滿足大規(guī)模半導體集成電路的高通道密度,并增加配置的靈活性,最大化測試效率,降低測試成本。
聯(lián)訊儀器PXIe SMU基于先進的數(shù)字控制技術(shù),集成的Adaptive PFC(Precision-Fast Control)系統(tǒng)使用戶可根據(jù)負載特性,調(diào)整相關(guān)參數(shù)來獲得精確、快速的輸出特性, 即使在高容性負載情況下,也可最小化過沖和振蕩。
1
主要特點
01
高電壓高精度測量
S2013C 支持200V/1A直流/3A脈沖,分辨率100fA/100nV,電壓精度100μV,電流精度200pA
02
AdaptivePFC系統(tǒng)
用戶可利用Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng),用戶可根據(jù)負載特性,調(diào)整相關(guān)參數(shù),獲得更精確,快速的輸出特性
03
高速測量S2013C最高可支持1M的采樣率,NPLC和采樣率可根據(jù)需要設(shè)定,以滿足高速高精度的測量場景
2
Adaptive PFC系統(tǒng)
SMU采用閉環(huán)反饋控制,以確保源的輸出精確的加在負載上。實際使用中,對于不同的負載,要獲得理想的響應(yīng),源表的輸出特性需要可配置,然而傳統(tǒng)的SMU使用模擬硬件來實現(xiàn)控制循環(huán),負載會直接影響用于調(diào)節(jié)輸出電壓或電流的控制循環(huán)。因此傳統(tǒng)的模擬架構(gòu)很難實現(xiàn)既快又沒有過沖,設(shè)計剛好能為不同負載提供理想響應(yīng)的電路幾乎不現(xiàn)實。
聯(lián)訊PXIe源表采用數(shù)字控制系統(tǒng), 集成的Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng),可通過軟件優(yōu)化控制循環(huán),從而實現(xiàn)對不同負載的響應(yīng)進行優(yōu)化。該技術(shù)能夠提供最佳響應(yīng)時間,縮短測試時間,并且消除振蕩,提高測試的穩(wěn)定性。
通過數(shù)字閉環(huán)控制調(diào)節(jié)輸出特性
調(diào)整前輸出特性 調(diào)整后輸出特性
3
PXIe源測量單元在晶圓測試中的應(yīng)用
晶圓(Wafer)制作完成之后,成千上萬的裸Die規(guī)則的分布滿整個Wafer,芯片的管腳全部裸露在外,通過探針將裸露的芯片與源測試單元相連,進行各項電性能參數(shù)的表征。
聯(lián)訊儀器PXIe源表支持標準PXIe機箱,用戶可根據(jù)需求配置不同槽位的機箱,將PXIe源表安裝在機箱中,從而實現(xiàn)多路的并行測試,提高測試效率!
S2012C在CP(Chip Probing)測試中的應(yīng)用
4
聯(lián)訊源表系列
聯(lián)訊儀器可提供臺式源表(帶主機和觸摸屏)以及PXIe 插卡式源表(支持標準PXIe機箱),用戶可根據(jù)需求靈活選擇。
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