0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

?國產(chǎn)高端芯片取得突破性進展的背后

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-07-29 14:32 ? 次閱讀

2023年已經(jīng)過半,在全球芯片市場低迷,以及美國限制政策的雙重作用下,中國半導(dǎo)體業(yè)在上半年的表現(xiàn)如何?產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化率發(fā)展到了什么水平?下面具體介紹一下。

中國國家統(tǒng)計局公布的數(shù)據(jù)顯示,2023年前兩個月,中國芯片產(chǎn)量同比下降17%,芯片進口量下降26.5%,出口下降20.9%。而隨著國產(chǎn)化浪潮漸起,以及芯片市場供過于求開始向供需平衡轉(zhuǎn)變,中國芯片產(chǎn)量逐漸增加,工信部發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,今年前5個月,我國芯片產(chǎn)量達到1401億個,同比增長0.1%。

近期,中國海關(guān)總署披露的全國進出口重點商品量值表顯示,今年1-6月,中國芯片進口數(shù)量和進口總額同比都明顯減少,其中,進口數(shù)量為2277.7億個,同比減少18.5%,進口總額為1626.09億美元,同比減少了22.4%。

與此同時,上半年,中國共出口芯片1275.8億個,同比減少了10%。

可見,上半年本土芯片產(chǎn)量同比略有增加,但進出口總量都明顯減少??傮w來看,喜憂參半,中國本土芯片產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)還需要繼續(xù)努力,才能更加自如地應(yīng)對各種變化帶來的負面影響。

01

中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的發(fā)展和變化

下面就從半導(dǎo)體設(shè)備、芯片設(shè)計和制造等環(huán)節(jié)入手,看一看近半年來中國本土相關(guān)企業(yè)和產(chǎn)品取得的進步,以及存在的問題和不足之處。

首先看半導(dǎo)體設(shè)備。

根據(jù)中國本土晶圓廠設(shè)備采購數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計,結(jié)果顯示,截至6月,去膠設(shè)備國產(chǎn)化率達到 90%以上,代表廠商是屹唐半導(dǎo)體;清洗設(shè)備國產(chǎn)化率約為58%,代表廠商是盛美、北方華創(chuàng)和至純科技;刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率約為44%,代表廠商是中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體;CMP設(shè)備國產(chǎn)化率為32%,代表廠商是華海清科;熱處理設(shè)備國產(chǎn)化率約為25%,代表廠商是北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體;CVD設(shè)備國產(chǎn)化率為29%,代表廠商是北方華創(chuàng)和拓荊科技;PVD 設(shè)備國產(chǎn)化率為 10%;涂膠顯影設(shè)備國產(chǎn)化率為29%,代表廠商是芯源微;離子注入機國產(chǎn)化率為7%,代表廠商是萬業(yè)企業(yè)(凱世通);量測設(shè)備國產(chǎn)化率為4%,代表廠商是精測電子。此外,28nm制程光刻設(shè)備也實現(xiàn)了零的突破。

從半導(dǎo)體設(shè)備招投標情況來看,今年6月,可統(tǒng)計中標設(shè)備數(shù)共計21臺,同比增長65.63%,其中,薄膜沉積設(shè)備3臺,輔助設(shè)備12臺,檢測設(shè)備4臺,刻蝕設(shè)備1臺,真空設(shè)備1臺。6月,北方華創(chuàng)、正帆科技、上海精測、武漢精測、上海微電子都有設(shè)備中標。

上半年1-6月,可統(tǒng)計設(shè)備中標數(shù)共計254臺,同比下降37.90%,其中,薄膜沉積設(shè)備中標38臺,同比增長80.95%,輔助設(shè)備16臺,同比減少60.98%,高溫?zé)Y(jié)設(shè)備17臺,同比增長112.50%,光刻設(shè)備1臺,同比持平,檢測設(shè)備139臺,同比減少33.18%,刻蝕設(shè)備21臺,同比減少61.11%,拋光設(shè)備3臺,同比減少40.00%,清洗設(shè)備1臺,熱處理設(shè)備12臺,同比減少7.69%,真空設(shè)備4臺,同比增長33.33%。

總體來看,半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化率依然偏低,且由于上半年芯片市場很低迷,晶圓廠產(chǎn)能利用率不足,導(dǎo)致采購設(shè)備意愿不足,國產(chǎn)設(shè)備中標數(shù)量同比呈下降態(tài)勢,不知道這種狀況在下半年會不會明顯好轉(zhuǎn)。

下面看一下芯片設(shè)計。

相對于在芯片制造方面與國際先進水平存在的差距,中國芯片設(shè)計能力并不弱,也一直在進步。中國芯片設(shè)計企業(yè)與國際大廠之間的差距,主要體現(xiàn)在對EDA工具、IP和制程工藝的依賴程度,例如,使用同樣一款較為先進的EDA工具,國際大廠都夠在18個月內(nèi)設(shè)計出一款較為成熟的7nm芯片,且能取得較高的流片成功率,而中國排名靠前的設(shè)計公司,使用同樣的工具,只能設(shè)計出14nm的芯片,且流片成功率與國際先進大廠之間也存在差距。

在提升設(shè)計水平,積累更多設(shè)計know-how認知方面,中國本土設(shè)計公司一直在努力。與此同時,本土芯片采購企業(yè)將更多的訂單給到了本土芯片公司,使得中國芯片設(shè)計公司有了更多在市場上歷練的機會,這對于磨練設(shè)計水平很有幫助。

IP方面,受美國限制政策影響,國外高端IP進口到中國大陸市場的難度越來越大,國內(nèi)IP短板在這種形勢下凸顯出來,同時也激發(fā)了中國本土半導(dǎo)體IP企業(yè)的發(fā)展動力,一批新勢力涌現(xiàn)出來。

高速SerDes接口IP已成為以數(shù)據(jù)中心為代表的HPC應(yīng)用的關(guān)鍵,這方面的本土代表企業(yè)是芯動科技,該公司可提供16/32/56/64Gbps多標準SerDes解決方案,25G/32Gbps SerDes已經(jīng)量產(chǎn),56Gbps SerDes已經(jīng)發(fā)布。另一家公司牛芯半導(dǎo)體則推出了25/28/32Gbps的SerDes IP。此外,燦芯、和芯微可提供1.25Gbps-12.5Gbps多速率SerDes IP,銳成芯微、納能微電子也有各種SerDes IP產(chǎn)品。

與Chiplet相關(guān)的接口IP方面,芯動科技和芯原微電子已經(jīng)推出了相關(guān)產(chǎn)品。芯原是中國大陸首批加入UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的公司,推出了基于Chiplet架構(gòu)設(shè)計的高端應(yīng)用處理器平臺,該平臺12nm SoC版本已經(jīng)完成流片,正在進行Chiplet版本的迭代。

芯耀輝正在集中力量研發(fā)28nm/14nm/12nm及更先進工藝IP,該公司還開發(fā)了DDR PHY IP產(chǎn)品,目前尚不清楚其所能支持的DDR應(yīng)用有哪些。目前,芯耀輝正從可靠的SI(信號完整性)和PI電源完整性)分析、高可靠性訓(xùn)練設(shè)計、高性能DDR IO設(shè)計和多頻點快速切換這四方面入手,攻克DDR PHY技術(shù)難關(guān)。

最后看一下最重要的部分——芯片制造。

芯片制造是中國大陸的薄弱環(huán)節(jié),特別是在先進制程(10nm以下)方面,鮮有能進入市場的量產(chǎn)芯片。近兩年,中國本土晶圓廠也在努力攻克技術(shù)難關(guān),爭取補齊本土高端芯片制造能力不足的短板。

近一段時間,有兩個關(guān)于本土高端芯片制造的好消息傳出,非常值得關(guān)注,一是BAW濾波器實現(xiàn)了本土量產(chǎn),二是華為將于今年年底推出自家設(shè)計,由本土晶圓代工廠生產(chǎn)的5G手機處理器。

濾波器是手機射頻前端模塊中的重要器件,主要分為聲表面波濾波器(Surface Acoustic Wave,SAW)和體聲波濾波器(Bulk Acoustic Wave,BAW)兩大類。

BAW濾波器的基本原理與SAW相同,差異在于BAW濾波器中聲波垂直傳播,能夠更有效地捕獲聲波,因為其在高頻段的出色表現(xiàn),插損低性能優(yōu)秀,適用于5G高頻濾波。BAW濾波器中的主流技術(shù)FBAR需要在有源區(qū)下方做高精度蝕刻,這就對芯片工藝提出了很高要求,BAW濾波器對薄膜沉積和微機械加工技術(shù)的要求極高,制造難度和成本比SAW高很多。另一方面,也需要同時了解器件物理特性和工藝的工程師來完成結(jié)合工藝的器件設(shè)計。

目前,BAW濾波器市場Broadcom(博通)一家獨大,市占率達到87%,Qorvo占據(jù)8%的市場份額。

在這樣的背景下,中國的賽微電子實現(xiàn)了BAW濾波器量產(chǎn),作為重要的合作伙伴,武漢敏聲與賽微電子做到了工藝和器件設(shè)計的協(xié)同優(yōu)化,在賽微電子的晶圓廠用定制化工藝生產(chǎn)。

據(jù)悉,賽微電子量產(chǎn)的BAW濾波器將用于國內(nèi)某品牌手機當(dāng)中,并簽署了長期采購協(xié)議,涉及12款不同型號的BAW濾波器及其衍生器件(雙工器、四工器等),協(xié)議執(zhí)行期間為2023年8月-2024年12月,協(xié)議金額不少于1億元人民幣。不知道賽微電子的合作對象是不是華為。

除了BAW濾波器量產(chǎn),最近還有另一個重磅消息傳出:華為有望于今年年底在其新款旗艦手機中用上自家設(shè)計,本土制造的5G手機處理器。

自從被美國限購以后,華為既不能從高通那里購買5G手機處理器,也不能從臺積電和三星那里拿到先進制程代工產(chǎn)能,這使得華為高端手機市占率大幅下滑,一度跌出前六榜單,但是,最近半年,華為手機的市占率大幅提升,最新統(tǒng)計顯示,其在中國大陸的市占率已經(jīng)超過13%(排名第一品牌的市占率在18%左右),華為高端手機又復(fù)活了。

如果華為真能在今年推出的新款旗艦手機中搭載自主設(shè)計、本土晶圓廠生產(chǎn)的5G手機處理器,無疑是一個重大突破,也會給美國的封鎖政策以沉重打擊。

02

下一步如何走?

自2019年“半導(dǎo)體戰(zhàn)爭”爆發(fā)以來,中國本土相關(guān)產(chǎn)業(yè)問題進一步凸顯出來,正是因為如此,政府和本土產(chǎn)業(yè)鏈上各環(huán)節(jié)的企業(yè)也更加清醒了,目標也明確了,并在近三年取得了一定成績,但問題還沒有得到根本解決,需要全產(chǎn)業(yè)鏈繼續(xù)努力。

首先,就是發(fā)展模式,以及產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)之間的協(xié)作,如何做,才能進一步提升效率呢?我們認為,IDM的發(fā)展模式還是一個重要選項,雖說當(dāng)下全球芯片制造業(yè)更傾向于晶圓代工,各大IDM也有“輕量化”自有晶圓廠的意愿,但就中國大陸半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展階段和特點而言,要完全與國際“晶圓代工化”接軌,恐怕還不是時候。再有,面對美國將長期進行的限制政策,做符合中國市場特點的IDM(此IDM不同于美歐IDM大廠,中國的IDM涉及的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)可能會更長),會進一步提升效率。

近兩年,華為被限制后,無法拿到先進制程產(chǎn)能,很痛苦。為了盡早解決這個問題,該公司做了很多整合本土產(chǎn)業(yè)鏈的工作和投入,就是要提升效率,以期在中國本土制造出先進制程芯片。

還有一點很重要,那就是做好先進制程和成熟制程的協(xié)調(diào)發(fā)展工作??梢哉f,在可預(yù)見的未來多年內(nèi),中國本土芯片制造一定是以成熟制程為主力的。

近些年,在美國政府限制政策,以及中國本土企業(yè)和政府共同努力等因素作用下,中國成熟制程技術(shù)和產(chǎn)能水平一直在提升,截至2022年,在全球50nm-180nm成熟制程產(chǎn)能中,中國大陸所占市場份額達到30%,以當(dāng)下的形勢和規(guī)劃的晶圓廠建設(shè)進程來看,未來5年內(nèi),這一占比有望提升至35%。

中國大陸不斷擴大的成熟制程產(chǎn)能對全球電子系統(tǒng)和設(shè)備廠商的吸引力越來越大,特別是對于中國本土的電動汽車、工業(yè)機器人、無人機物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備制造商來說,本土成熟制程芯片的性價比很高。與此同時,中國大陸不斷增長的產(chǎn)能和成本競爭力正在吸引越來越多的海外系統(tǒng)和設(shè)備制造商來此采購芯片。

接下來,中國需要在20nm-45nm這一制程區(qū)間發(fā)力,爭取更多的市場份額,而實現(xiàn)這一點的難度并不是很大,只要相關(guān)企業(yè)踏實工作,政府給予足夠的補貼和扶持,用不了多久,就會形成類似于50nm-180nm制程的市占率。

2023全年的電子半導(dǎo)體市場低迷已經(jīng)沒有懸念了,在迎來產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的2024年,中國本土產(chǎn)業(yè)鏈還有很多事情要去改善和提高,以應(yīng)對更多的市場和國際貿(mào)易挑戰(zhàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26658

    瀏覽量

    212886
  • 產(chǎn)業(yè)鏈
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1350

    瀏覽量

    25597
  • 高端芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    23

    瀏覽量

    3748

原文標題:?國產(chǎn)高端芯片取得突破性進展的背后

文章出處:【微信號:ICViews,微信公眾號:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    國產(chǎn)SOI晶圓技術(shù)迎來突破性進展,SOI賽道大有可為

    的意思,原理就是在硅晶體管之間,加入絕緣體物質(zhì),可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。 ? SOI制程工藝自出現(xiàn)以來就因為其獨特的優(yōu)勢吸引了業(yè)界關(guān)注,就在不久前,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所官方公眾號日前發(fā)布消息,稱魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破
    的頭像 發(fā)表于 10-29 06:28 ?3082次閱讀

    重大突破!九峰山實驗室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進展

    行業(yè)資訊
    北京中科同志科技股份有限公司
    發(fā)布于 :2024年10月11日 09:19:40

    哈爾濱工業(yè)大學(xué)在超分辨顯微成像技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進展

    近日,哈爾濱工業(yè)大學(xué)儀器學(xué)院先進光電成像技術(shù)研究室(IPIC)李浩宇教授團隊在生物醫(yī)學(xué)超分辨顯微成像技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進展。針對目前活體細胞超分辨成像領(lǐng)域中光子效率不足的難題,團隊提出一種基于無監(jiān)督
    的頭像 發(fā)表于 09-27 06:33 ?133次閱讀
    哈爾濱工業(yè)大學(xué)在超分辨顯微成像技術(shù)領(lǐng)域<b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>突破性</b><b class='flag-5'>進展</b>

    為空間受限的應(yīng)用提供突破性的動力

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為空間受限的應(yīng)用提供突破性的動力.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-26 14:28 ?0次下載
    為空間受限的應(yīng)用提供<b class='flag-5'>突破性</b>的動力

    三星Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進展

    在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力吸引了全球科技界的目光。據(jù)最新媒體報道,三星自主研發(fā)的Exynos 2500芯片在3nm工藝的研發(fā)上取得了顯著進展,這一里程碑式的成就不僅彰顯了三星在
    的頭像 發(fā)表于 07-16 10:37 ?623次閱讀

    日本TDK公司固態(tài)電池取得突破性進展

    在電子科技領(lǐng)域,電池技術(shù)的每一次突破都備受矚目。近日,日本電子零部件巨頭TDK宣布,在小型固態(tài)電池的材料研發(fā)上取得了顯著突破,這一創(chuàng)新預(yù)計將為無線耳機、智能手表等小型電子設(shè)備帶來性能的飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 06-17 16:33 ?788次閱讀

    里瑞通推出突破性晶片液冷技術(shù)

    在云計算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,里瑞通(Digital Realty)一直是技術(shù)創(chuàng)新的引領(lǐng)者。近日,該公司宣布推出了一項突破性的晶片液冷技術(shù),為高密度部署支持領(lǐng)域帶來了新的發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 05-31 11:22 ?503次閱讀

    在高維光場探測領(lǐng)域取得突破性進展

    從中科院長春光機所獲悉,該所科研團隊在國際上首次利用單個器件通過單次測量,對寬帶光譜范圍內(nèi)具有任意變化的偏振和強度的高維光場進行了全面表征,從而實現(xiàn)了高維度光場信息探測這一突破性進展。 光場包含強度
    的頭像 發(fā)表于 05-31 06:34 ?205次閱讀
    在高維光場探測領(lǐng)域<b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>突破性</b><b class='flag-5'>進展</b>

    量子互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵連接技術(shù)首次取得突破性進展

    量子互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵連接技術(shù)首次取得突破性進展 為了成功地解決量子信息在遠程傳輸過程中的損失問題,一項新的研究提供了一種創(chuàng)新的方案:將整個網(wǎng)絡(luò)劃分為較小的單元,再利用共享量子態(tài)將這些單元相互鏈接起來。這就
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:49 ?664次閱讀

    國產(chǎn)高端fpga芯片有哪些

    國產(chǎn)高端FPGA芯片有多種,以下是一些知名的國產(chǎn)FPGA芯片,
    的頭像 發(fā)表于 03-15 14:01 ?2275次閱讀

    拓撲量子器件的突破性進展

    1月18日,德累斯頓和維爾茨堡的量子物理學(xué)家們取得了顯著的科技突破。他們研發(fā)出一種半導(dǎo)體器件,其卓越的魯棒和敏感度得益于一種量子現(xiàn)象——拓撲保護作用,能夠免受外部干擾,實現(xiàn)前所未有的精準測量功能。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 14:59 ?493次閱讀
    拓撲量子器件的<b class='flag-5'>突破性</b><b class='flag-5'>進展</b>

    傳音Infinix在CES 2024上推出最新突破性技術(shù)E-Color Shift

    近日,傳音旗下品牌Infinix在CES 2024上推出最新突破性技術(shù)E-Color Shift,可以使手機背面面板在不消耗電力的情況下改變并保持鮮艷的顏色。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:39 ?1034次閱讀

    國內(nèi)首臺全國產(chǎn)可信DCS系統(tǒng)成功投運

    近日,華能威海電廠成功引入了國內(nèi)首臺全國產(chǎn)可信DCS系統(tǒng),這一突破性的技術(shù)進步標志著我國電力發(fā)電控制系統(tǒng)在自主可控方面取得了重大進展。作為該系統(tǒng)的基礎(chǔ)可信安全硬件,國民技術(shù)Z32H33
    的頭像 發(fā)表于 12-28 14:53 ?925次閱讀

    ADI公司突破性的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI公司突破性的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù).pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-27 09:52 ?1次下載
    ADI公司<b class='flag-5'>突破性</b>的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)

    北理工在室溫運行中波紅外探測器研究方面取得突破性進展

    北京理工大學(xué)郝群教授團隊在室溫運行中波紅外探測器研究方面取得突破性進展,相關(guān)論文于2023年1月發(fā)表于光學(xué)頂刊Light:Science & Applications,獲得封面論文。近日該論文入選ESI高被引。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:43 ?569次閱讀
    北理工在室溫運行中波紅外探測器研究方面<b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>突破性</b><b class='flag-5'>進展</b>