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光通信的信息載體是光波,為了進一步提高光通信系統(tǒng)中光信號的傳輸質(zhì)量,滿足光通信系統(tǒng)的使用要求,上海伯東美國 KRi 離子源通過離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統(tǒng)中實現(xiàn)光模塊, 光器件等薄膜元件的精密加工. 離子源典型應用例如, 在光纖連接面鍍 AR 增透膜 (減反射膜), 達到減少光纖對光的損耗, 增加光的透過率, 減少反射的工藝效果.

上海伯東美國 KRi 射頻離子源

與國產(chǎn)離子源對比, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源主要特點
無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 單次工藝時間更長, 非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度, 不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
清潔, 低污染工藝
優(yōu)良的反應沉積工藝, 沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
可控制的離子能量, 離子電流密度

KRi離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr

上海伯東美國 KRi 離子源 IBSD 濺射應用

美國KRiRF ICP射頻離子源技術(shù)參數(shù)

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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