基于大面積自組裝hBN薄膜的超低暗電流真空紫外光探測(cè)器

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

紫外光探測(cè)器(PDs)在軍事預(yù)警系統(tǒng)、火焰監(jiān)測(cè)、光通訊等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。hBN做紫外光探測(cè)器具有諸多優(yōu)勢(shì)，物理化學(xué)性能穩(wěn)定好，抗輻射能力強(qiáng)，能夠適應(yīng)各種惡劣的環(huán)境；熱穩(wěn)定強(qiáng)、熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低能夠避免器件因熱導(dǎo)致性能下降；禁帶寬度在5.7 eV以上，帶邊吸收系數(shù)高（7.5×105 cm-1）；介電常數(shù)低，使器件具有更低的噪聲和快的響應(yīng)速度；擊穿場(chǎng)強(qiáng)高，使器件能在高壓下工作，保證載流子高的漂移速度，有益于響應(yīng)度和速度的提升等。目前制備hBN薄膜均需要高真空、高溫、特殊氣體且對(duì)襯底要求高，一定程度上限制了hBN-PDs的制備。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，西安交通大學(xué)張啟凡帶來(lái)了“基于大面積自組裝hBN薄膜的超低暗電流真空紫外光探測(cè)器”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展。

六方氮化硼(hBN)是制備真空紫外探測(cè)器(VUV PDs)最有前途的候選材料之一。然而，大面積hBN的高效、低成本制備仍然面臨許多挑戰(zhàn)。

研究提出了一種經(jīng)濟(jì)有效的方法，即快速、高效率地利用hBN納米片(BNNSs)薄膜制備高性能VUV PDs。根據(jù)hBN特有的層狀結(jié)構(gòu)，通過(guò)超聲輔助法破壞hBN層與層之間弱的范德華力，從塊體hBN中剝離出少層的BNNSs。隨后在油水界面通過(guò)自組裝技術(shù)將剝離的BNNSs組裝成大面積有序的薄膜。

目前實(shí)驗(yàn)上已經(jīng)能輕松實(shí)現(xiàn)2英寸薄膜的制備。在這種薄膜中，由于每個(gè)BNNS均存在表面態(tài)，在每個(gè)相鄰的BNNSs的接觸界面存在一個(gè)結(jié)勢(shì)壘，這些結(jié)勢(shì)壘主導(dǎo)著薄膜的電阻率。薄膜中的電子的傳輸需要跨過(guò)結(jié)勢(shì)壘，從而導(dǎo)致大量的電子被結(jié)勢(shì)壘消耗，器件表現(xiàn)出超低的暗電流。光照產(chǎn)生的載流子能夠降低表面勢(shì)，使結(jié)勢(shì)壘高度降低，從而增強(qiáng)電流的強(qiáng)度。

審核編輯：劉清