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英飛凌將在馬來西亞建新廠,與意法正面硬鋼

百能云芯電子元器件 ? 來源:百能云芯電子元器件 ? 作者:百能云芯電子元器 ? 2023-08-11 16:16 ? 次閱讀

8月11日?qǐng)?bào)導(dǎo)顯示,碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)升級(jí),英飛凌(Infineon)宣布將在馬來西亞興建全球最大的8英寸SiC晶圓廠,為長(zhǎng)期合約訂單背書,此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8英寸晶圓的SiC龍頭意法互別苗頭的意味。

近年來,隨著8英寸SiC晶圓的成本競(jìng)爭(zhēng)力逐漸凸顯,多家SiC制造商相繼增加8英寸晶圓產(chǎn)能,英飛凌此舉有如向SiC領(lǐng)域投下一顆深水炸彈,英飛凌與意法互的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,其他集成電路制造商也紛紛踏入競(jìng)爭(zhēng)陣營(yíng),這一局面可從幾個(gè)角度審視。

首先,雙方都將目光投向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。年初,英飛凌與國(guó)內(nèi)SiC晶圓廠天岳、天科合達(dá)簽訂了備受關(guān)注的合同,共同為國(guó)內(nèi)SiC基板品質(zhì)保駕護(hù)航。外資機(jī)構(gòu)分析指出,英飛凌此前的基板供應(yīng)方還包括WolfSpeed、安森美(On-Semi)、日本羅姆(Rohm)等,不過國(guó)內(nèi)基板供應(yīng)已占據(jù)其需求的約20%,今后幾個(gè)季度有望大幅提升。

面對(duì)良率難以掌握的問題,「擁SiC基板、擁天下」成顯學(xué)。英飛凌是極少數(shù)未自制SiC基板的IDM廠商之一,年初采取多樣化布局被視為新的SiC晶圓工廠即將登場(chǎng)的信號(hào),這是朝著2023年在SiC市場(chǎng)占據(jù)30%市場(chǎng)份額的目標(biāo)邁進(jìn)。

市場(chǎng)曾觀望英飛凌是否會(huì)像一線汽車供應(yīng)商博世(Bosch)一樣加大對(duì)美國(guó)SiC投資,從而助力供應(yīng)鏈壯大?鑒于中美關(guān)系考慮,這使得國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈略感緊張,而如今英飛凌選擇在馬來西亞建廠,則使國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈稍感寬松。

此外,根據(jù)東盟貿(mào)易協(xié)定的免稅政策以及地理位置,該工廠有可能更多地支持國(guó)內(nèi)和亞洲市場(chǎng),不過這也意味著英飛凌在國(guó)內(nèi)建廠的機(jī)會(huì)相對(duì)減少。與之形成對(duì)比的是,SiC的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手意法與三安合作,在重慶建8英寸SiC晶圓廠,三安還將為其量身打造8英寸基板新廠。

其次,雙方鎖定不同的客戶群。英飛凌的新工廠將依靠各客戶的預(yù)付款和長(zhǎng)期合同,其中包括來自汽車、再生能源、儲(chǔ)能、工業(yè)等領(lǐng)域的客戶。汽車領(lǐng)域的客戶有福特、上汽、奇瑞,還有SolarEdge等大型太陽(yáng)能逆變器制造商,以及國(guó)內(nèi)三家太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商。另外,全球能源管理和自動(dòng)化巨頭施耐德電機(jī)也已預(yù)定了SiC功率產(chǎn)品。

最后,雙方在技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)加劇。英飛凌強(qiáng)調(diào),其新建的8英寸工廠將采用行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC溝槽式技術(shù),這有助于市場(chǎng)區(qū)隔,是該技術(shù)的代表工廠。另一方面,意法互主導(dǎo)平面型技術(shù)。

此外,業(yè)內(nèi)人士補(bǔ)充道,溝槽式技術(shù)結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,難以控制良率,但可以節(jié)約SiC基板用量;而平面型技術(shù)則相對(duì)簡(jiǎn)單穩(wěn)定,但需要更多的基板。這兩種技術(shù)目前仍在激烈競(jìng)爭(zhēng)中,很難說哪一種更優(yōu)越。

然而,值得注意的是,最初的決戰(zhàn)點(diǎn)似乎出現(xiàn)在特斯拉Model 3率先采用了平面型技術(shù),這使得意法互在SiC領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,也引領(lǐng)其他汽車制造商的跟進(jìn)。而此刻,英飛凌正加大溝槽式技術(shù)的產(chǎn)能,同時(shí)也在多個(gè)領(lǐng)域積極推進(jìn),以侵蝕以汽車為主的平面型市場(chǎng)。實(shí)際上,許多廠商也在積極轉(zhuǎn)向溝槽式技術(shù),比如安森美正在開發(fā)溝槽式SiC金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET),計(jì)劃在2024年推出樣本。

審核編輯 黃宇

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