在當今科技時代,數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長,NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
什么是pSLC
pSLC 是一種虛擬的 SLC 技術(shù),通過采用特殊的控制算法和管理方法,在 MLC 或 TLC 閃存芯片上模擬 SLC 存儲單元。
1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間,其性能接近于SLC;
2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)計,大幅提升Flash的性能和使用壽命,使得設(shè)備在極端的環(huán)境溫度下能穩(wěn)定運行
pSLC的性能
1、pSLC不管是小檔案傳輸還是全盤讀寫,寫速都會穩(wěn)定維持,而MLC/TLC模式,則會出現(xiàn)明顯的掉速。
2、針對不同應(yīng)用的場景加入AI技術(shù),使產(chǎn)品維持高性能。
eMMC 8GB pSLC (MKEMF008GT1E-IE) 實測數(shù)據(jù):
pSLC模式性能:
MLC/TLC模式性能:
pSLC 的可靠性
相較于 MLC、TLC 和 QLC 閃存技術(shù),pSLC 閃存具有更高的性能和耐久性。雖然 MLC/TLC/QLC 閃存在提供更高存儲密度方面更有優(yōu)勢,但其壽命相對較短。pSLC 閃存通過虛擬 SLC 特性,彌合了性能和壽命之間的鴻溝,為高要求應(yīng)用帶來了更好的選擇。
pSLC極大的提高了設(shè)備的使用壽命,P/E壽命可達30000~50000次
8GB eMMC pSLC 486hrs實測數(shù)據(jù):
1、極致的Wear-Leveling,WAF=1.15
2、TBW:8GB pSLC eMMC 高達489TB,接近MLC的25倍(8GB MLC僅20TB)
pSLC 的潛力
隨著技術(shù)的不斷進步,pSLC 閃存有望持續(xù)發(fā)展,進一步提高性能和壽命,并降低制造成本。這將使得 pSLC 閃存在更多領(lǐng)域中扮演更為重要的角色,滿足不斷增長的存儲需求。
pSLC 閃存作為一種高性能與低成本的創(chuàng)新技術(shù),為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的可能性。其虛擬 SLC 特性使其成為傳統(tǒng) SLC 閃存和現(xiàn)代 MLC/TLC/QLC 閃存之間的理想選擇。未來,pSLC 閃存的發(fā)展將進一步推動數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的進步,滿足不斷增長的存儲需求,為各個領(lǐng)域提供穩(wěn)定可靠的存儲解決方案。
MK-米客方德 pSLC產(chǎn)品選型表
容量 | 型號 | Flash類型 | 關(guān)鍵特征 | |
eMMC | 4GB(32Gbit) | MKEMC004GT1E-IE | pSLC | 工業(yè)級寬溫 |
8GB (64Gbit) | MKEMF008GT1E-IE | |||
16GB(128Gbit) | MKEMF016GT1E-IE | |||
32GB(256Gbit) | MKEMF032GT2E-IE | |||
SD NAND | 32Gbit | MKDN032GIL-AA | pSLC | P/E Cycles 3萬次, 工業(yè)級 |
64Gbit | MKDN064GIL-ZA | |||
8Gbit | MKDV008GIL-SSP | pSLC | P/E Cycles 3萬次,工業(yè)級 | |
16Gbit | MKDV016GIL-SSP | |||
32Gbit | MKDV032GIL-SSP | |||
Micro SD Card | 8GB | MKUS008G-IGT1 | pSLC | 工業(yè)寬溫 |
16GB | MKUS016G-IGT1 | |||
32GB | MKUS032G-IGT2 | |||
64GB | MKUS064G-IGT4 |
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