華為公開“集成電路及其制作方法、場效應晶體管”專利

華為科技有限公司近日新增多項專利信息，其中一項專利名稱為“一種集成電路及其制作方法、場效應晶體管”，公開編號為cn116636017a。

根據(jù)專利摘要，本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場效應晶體管，可以簡化集成電路的制造過程，降低生產(chǎn)費用。集成電路由設置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。第一聲道層包括層層交替的第一半導體層和第二半導體層。第一半導體層的材料和第二半導體層的材料不同。gaafet和/或forksheet fet包含第二聲道層。第二聲道層包括層層交替的第三半導體層和控制層?？刂茖影艠O延長部和設置在柵極延長部側(cè)面的第一個網(wǎng)格介質(zhì)層。柵極的延長部分與第二柵極接觸。其中多層的第一半導體層與多層的第三半導體層相對應，多層的第一半導體層中的一層與多層的第三半導體層相對應的一層屬于同一圖案的一層。

據(jù)了解，截至2022年底，華為擁有有效授權(quán)專利超過12萬項，主要分布在中國、歐洲、美洲、亞太、中東、非洲。華為在中國和歐洲分別擁有4萬多項專利，在美國擁有22000多項專利。