國(guó)芯思辰|鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128在條型顯示屏控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

顯示屏控制系統(tǒng)需要大量的內(nèi)存來(lái)對(duì)信息進(jìn)行存儲(chǔ)，在以前的系統(tǒng)中主要是使用靜態(tài)RAM加后備鋰電池及電源管理芯片組成，系統(tǒng)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較復(fù)雜，不可靠因素相對(duì)增加。而且后備鋰電池還需定期進(jìn)行充電以保證內(nèi)存中的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問(wèn)題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問(wèn)題就將迎刃而解。

將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏控制系統(tǒng)，不會(huì)存在任何運(yùn)行維護(hù)的問(wèn)題，整個(gè)系統(tǒng)的可靠性也會(huì)大大增強(qiáng)，且PB85RS128的性能完全兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

PB85RS128應(yīng)用特點(diǎn)如下：

1、PB85RS128支持SPI串行接口，最大25MHz工作頻率，可滿足主控芯片快速通信需求；

2、采用SOP8小封裝，節(jié)省PCB板設(shè)計(jì)空間，便于布局；

3、任何扇區(qū)編程擦除周期典型值達(dá)100萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保留年限典型值25年，可充分滿足產(chǎn)品可靠性要求；

4、最大功耗為5mA，最大待機(jī)電流僅僅10μA，可有效降低功耗，延長(zhǎng)儀表電池使用時(shí)間；

5、PB85RS128配置為16,384×8位，通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，有效提高數(shù)據(jù)的安全性。

6、PB85RS128的工作電壓為2.7V至3.6V，待機(jī)功耗僅有7μA，完全滿足系統(tǒng)低功耗需求，而且工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，在更多場(chǎng)景下使用也能保證數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的的穩(wěn)定性。

PB85RS128除了具有優(yōu)異的性能之外，國(guó)芯思辰還可以提供優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務(wù)和穩(wěn)定的供貨支持。

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