0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶閘管和場效應管的主要區(qū)別

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-08-25 15:54 ? 次閱讀

晶閘管和場效應管的主要區(qū)別

晶閘管(SCR)和場效應管(FET)是電子元件中最為常見的兩種半導體器件。SCR是一種雙極型半導體器件,傳統(tǒng)應用在直流電路的開關(guān)和耦合等方面,而FET則是一種單極型半導體器件,傳統(tǒng)應用在低噪音放大和開關(guān)電路等領(lǐng)域。本文將對這兩種器件進行詳盡、詳實和細致的比較,重點分析它們的應用、工作原理、優(yōu)缺點等方面。

一、應用領(lǐng)域的比較

晶閘管主要應用在直流電路的開關(guān)和控制方面,例如電機起動、調(diào)速和電磁爐等大功率直流負載的控制。晶閘管的工作原理是利用PNP結(jié)和NPN結(jié)之間的耦合來實現(xiàn)控制電路的導通和截止,具有較高的耐壓性和電流承載能力。

場效應管則主要應用在低噪音放大和開關(guān)電路方面。在放大電路中,場效應管的輸入阻抗很高,對信號源的阻抗要求不高,尤其適合高頻放大。在開關(guān)電路中,場效應管具有開關(guān)速度快、控制電路簡單、穩(wěn)定性好的優(yōu)點。

二、工作原理的比較

晶閘管的核心是一個由PNP和NPN兩個晶體管組成的雙穩(wěn)態(tài)開關(guān)電路。當晶閘管的柵極加正電壓時,PNP結(jié)進入正向?qū)顟B(tài),此時NPN結(jié)也進入正向?qū)顟B(tài),晶閘管導通;當柵極加負電時,PNP結(jié)進入反向截止狀態(tài),同時NPN結(jié)進入反向截止狀態(tài),晶閘管截止。晶閘管的控制方式是通過加柵極電壓的正負極性來控制其開關(guān)狀態(tài),需要一定的觸發(fā)電流才能讓晶閘管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止狀態(tài)。

場效應管的核心是一個柵-源結(jié),其阻抗可通過控制柵極電位來調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)電流和電壓的控制。場效應管的導通和截止狀態(tài)取決于柵極電位與源極電位之間的電勢差。當柵極電勢高于源極電勢時,場效應管進入導通狀態(tài),此時可以通過增加柵極電壓來增加電流;當柵極電勢低于源極電勢時,場效應管進入截止狀態(tài),此時電流非常小。

三、性能優(yōu)缺點的比較

晶閘管具有很高的電壓承受能力和電流承載能力,可以控制大功率負載,具有較高的可靠性和穩(wěn)定性。同時,晶閘管的整流效率很高,可以提高直流信號的有效值,是直流電源中必不可少的元器件。但是,晶閘管的控制電路比較復雜,需要一定的觸發(fā)電流才能讓其從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂範顟B(tài),因此對于開關(guān)速度要求較高的場合并不適用。

場效應管具有輸入阻抗高、控制電路簡單、穩(wěn)定性好的優(yōu)點,能夠在高頻環(huán)境下可靠地工作。同時,場效應管的開關(guān)速度非??欤梢詫崿F(xiàn)高速的開關(guān)控制,因此在高速開關(guān)電路中應用非常廣泛。但是,場效應管的電壓阻抗比較低,電壓承受能力較差,通常只適合小功率場合。

四、結(jié)論

晶閘管和場效應管是兩種不同種類的半導體器件,各自具有很強的應用優(yōu)勢。晶閘管適合于需要控制大功率直流負載的場合,具有較高的穩(wěn)定性和耐壓能力;場效應管適合于低噪音放大和高速開關(guān)電路,具有輸入阻抗高、控制電路簡單、速度快和穩(wěn)定性好的特點。在實際應用中,可以根據(jù)具體場合的需要來選擇晶閘管或場效應管,充分發(fā)揮其特點和優(yōu)勢,提高電路的工作效率和可靠性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 場效應管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    46

    文章

    1136

    瀏覽量

    63657
  • 晶閘管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    35

    文章

    1097

    瀏覽量

    76975
  • SCR
    SCR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    149

    瀏覽量

    44074
  • 電磁爐
    +關(guān)注

    關(guān)注

    88

    文章

    549

    瀏覽量

    81174
  • FET
    FET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    624

    瀏覽量

    62786
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    什么是N溝道場效應管和P溝道場效應管

    場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導體材料導電性能的電子器件。根據(jù)導電溝道中載流子的類型,場效應管可以分為N溝道場效應管和P溝道
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:41 ?362次閱讀

    N溝道場效應管和P溝道場效應管有什么區(qū)別

    , P-Channel FET)是場效應管(Field Effect Transistor, FET)的兩種基本類型,它們在導電機制、極性、驅(qū)動電壓、導通電阻、噪聲特性、溫度特性以及應用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對這兩種場效應管區(qū)別的詳細闡述:
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:38 ?658次閱讀

    電力場效應管和MOSFET的區(qū)別

    電力場效應管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:20 ?385次閱讀

    簡單認識場效應管和集成運放

    場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET),又稱場效應管,是一種利用電場效應來控制半導體材料導電性能的電壓控制型半導體器件。它主要由柵極(G)、源極(S
    的頭像 發(fā)表于 08-15 15:25 ?360次閱讀

    場效應管的控制電壓的主要參數(shù)

    場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。場效應管具有輸入阻抗高、驅(qū)動功率
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:18 ?430次閱讀

    場效應管與IGBT能通用嗎

    在結(jié)構(gòu)、工作原理、應用領(lǐng)域等方面存在明顯差異,因此不能直接通用。 結(jié)構(gòu)差異 場效應管是一種電壓控制型器件,其結(jié)構(gòu)主要包括源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。柵極通過一個絕緣層
    的頭像 發(fā)表于 07-25 11:07 ?1342次閱讀

    場效應管燒毀的主要原因

    場效應管(Field Effect Transistor, FET)作為現(xiàn)代電子電路中的重要組成部分,其穩(wěn)定性和可靠性對電路的整體性能具有至關(guān)重要的影響。然而,在實際應用中,場效應管燒毀的現(xiàn)象
    的頭像 發(fā)表于 05-31 17:58 ?3020次閱讀

    逆變器中場效應管發(fā)熱的原因有哪些

    ,由于有導體存在,產(chǎn)生的電阻將會轉(zhuǎn)化為熱量。所以,導通電阻是場效應管發(fā)熱的主要原因之一。 2. 開關(guān)頻率發(fā)熱:逆變器是通過高頻開關(guān)來控制電路的,為了控制高頻開關(guān)的開關(guān)速度,場效應管必須具備快速開關(guān)速度的特點。在頻繁開
    的頭像 發(fā)表于 03-06 15:17 ?2522次閱讀

    什么是場效應管 MOS場效應管的電路符號

    場效應管,即場效應晶體管(簡稱FET),是一種電壓控制型半導體器件。
    的頭像 發(fā)表于 02-20 15:31 ?2136次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>場效應管</b> MOS<b class='flag-5'>場效應管</b>的電路符號

    逆變器的場效應管發(fā)熱原因

    。然而,在逆變器的工作過程中,場效應管往往會產(chǎn)生大量的熱量。本文將詳細探討逆變器場效應管發(fā)熱的原因。 首先,逆變器的場效應管發(fā)熱主要是由以下幾個方面原因引起的: 1.導通電阻:當
    的頭像 發(fā)表于 01-31 17:17 ?2502次閱讀

    場效應管的分類和區(qū)別

    1、結(jié)型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導電的主要離子,N溝道為電子,P溝道為空穴。 為使N溝道場效應管能夠正常工作,應在其柵源之間加負向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間
    發(fā)表于 01-30 11:51

    結(jié)型場效應管和金屬氧化物場效應管的分類

    ,在場效應管的輸出特性曲線主要分為可變電阻區(qū)和恒流區(qū),可變電阻區(qū)是靠近縱軸的區(qū)域,恒流區(qū)是面積最大的那個區(qū)域,怎么判斷場效應管工作在哪個區(qū)域?如果用場效應管實現(xiàn)放大的功能,他應該工作在
    發(fā)表于 01-30 11:38

    2586場效應管能不能使用3205場效應管代替?

    2586場效應管能不能使用3205場效應管代替? 場效應管(也稱為晶體)作為一種重要的電子元件,廣泛應用于各種電路中,包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等。然而,在一些場合下,我們可能需
    的頭像 發(fā)表于 01-15 15:49 ?930次閱讀

    場效應管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應管與IGBT

    Transistor,簡稱IGBT)是兩種常見的功率件。它們在應用領(lǐng)域、結(jié)構(gòu)、工作原理、特點以及性能參數(shù)等方面有著一些區(qū)別。以下是對這兩種件逐一進行詳盡、詳實、細致的比較解釋。 1. 應用領(lǐng)域的
    的頭像 發(fā)表于 11-22 16:51 ?7287次閱讀

    場效應管的介紹和用途

    場效應管是一種半導體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場效應管可以分為結(jié)型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOSFET)。其中,JFET是由一個pn結(jié)構(gòu)組成,而
    的頭像 發(fā)表于 11-17 16:29 ?3310次閱讀
    <b class='flag-5'>場效應管</b>的介紹和用途