薩科微推出IGBT40T120FL系列，引領電力電子行業(yè)發(fā)展

深圳市薩科微半導體公司公司，是以研究制造第三代半導體新材料碳化硅功率器件元器件發(fā)展起來的公司，薩科微slkoric于2022年獲授“國家級高新技術企業(yè)”，原始取得關于MOS管、IGBT管、元器件封測等發(fā)明專利幾十項，通過了歐盟標準的ROHS及REACH檢測。薩科微slkormicro不斷研究新技術創(chuàng)新工藝和推出新產品，最近推出了SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運算放大器SLA333系列等產品，促進公司進步的同時也引領電力電子行業(yè)的不斷發(fā)展。薩科微研發(fā)技術骨干由北京清華大學和延世大學專家組成，研發(fā)、生產、封測、銷售等關鍵環(huán)節(jié)已經成功往中國轉移，在集成電路的“國產替代”中取得不俗成績。

薩科微半導體最近推出了IGBT單管SL40T120FL系列,該型號功率(Pd)可達417W、集射極擊穿電壓(Vces)為1.2kV、集電極電流(Ic)為40A，集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Vge)為1.8V，可應用在交流電機、變頻器、開關電源、照明電路和牽引傳動等場景。薩科微技術顧問清華大學李健雄老師介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），也叫絕緣柵雙極型晶體管，是由MOSFET（絕緣柵型場效應晶體管）和BJT(雙極型晶體管)相結合的電壓驅動式功率器件，既有MOSFET管輸入阻抗高、控制功率小、易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又結合了雙極晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點。IGBT還被稱為電力電子電路的“CPU”，是電力能源變換與傳輸的核心器件，具有一定的放大電壓的功能，導通時可以看做短路線，截止時看做開路。薩科微新開發(fā)的SL40T120FL系列高性能、高可靠性與低成本的IGBT芯片，不僅僅需要在設計端不斷優(yōu)化器件結構，對晶圓制造和封裝及其散熱的要求更高，薩科微slkormicro半導體這兩年也在逐點突破。

審核編輯 黃宇