為什么說(shuō)小電容通高頻，大電容通低頻？

為什么電容通高頻阻低頻？

解釋一：

電容器有一個(gè)充放電的時(shí)間問(wèn)題。當(dāng)交流電的正半周，給電容器充電的瞬間，電路是有電流流過(guò)的，相當(dāng)于通路，一旦電容器充電完畢，則電路就沒(méi)有電流流過(guò)了，相當(dāng)于斷路。當(dāng)交流電的負(fù)半周到來(lái)時(shí)，又將產(chǎn)生電流，先抵消掉原來(lái)充在電容上的那個(gè)相反的電荷，再繼續(xù)充電至充滿。

現(xiàn)在假設(shè)電容器需要的充電時(shí)間t一定，則當(dāng)一個(gè)頻率較高的交流電正半周結(jié)束時(shí)，假設(shè)電容器容量夠大，還未充滿電，負(fù)半周就到來(lái)了，則電路會(huì)一直流著電流，相當(dāng)于電容器對(duì)這個(gè)高頻的交流電來(lái)說(shuō)，是通路的。

如果這個(gè)交流電的頻率較低，正半周將電容器充滿電荷以后，負(fù)半周仍未到來(lái)，則電流會(huì)在中途斷流，電容器對(duì)于這個(gè)低頻的交流電來(lái)說(shuō)，就不是完全通路了。

如果充電的時(shí)間相對(duì)于交流電的半周期來(lái)講，是有較大比例的，那么這個(gè)電容器對(duì)這個(gè)頻率的交流電來(lái)講，還沒(méi)有完全斷路，只是有一定的阻抗。

如果充電的時(shí)間相對(duì)于那個(gè)頻率的交流電的半周期來(lái)講，是極短的，那么電容器就可以認(rèn)為完全斷路，沒(méi)有電流流過(guò)。

解釋二：

根據(jù)容抗的公式Xc = 1/（ωC）= 1/（2πfC）可知，頻率f越大，容抗越小，所以越容易通過(guò)

同理，頻率越小，容抗越大，所以越不容易通過(guò)。

為什么小電容通高頻，大電容通低頻？

解釋一：

大電容需要的介質(zhì)面積比較大，而電極和介質(zhì)是卷在一起或堆疊在一起的，要做到面積比較大，必然卷的或者堆疊的比較多，其分布電感就會(huì)變大，而分布電感越大，高頻越不容易通過(guò)。

從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說(shuō)，電容越大，阻抗越小，通過(guò)的頻率也越高，但實(shí)際上超過(guò)1UF的電容大多為電解電容，有很大的電感成分，所以頻率高后反而阻抗會(huì)比較大，有時(shí)候會(huì)看到有一個(gè)電容量較大的電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高頻阻低頻，電容越大低頻越容易通過(guò)，電容越小高頻越容易通過(guò)，具體用在濾波中，大電容濾低頻，小電容濾高頻。

解釋二：

理論上電容越大阻抗越小，頻率越高越容易通過(guò)，理論是沒(méi)錯(cuò)。

低頻通不過(guò)小電容：不是絕對(duì)通不過(guò)，只是阻抗較大不容易通過(guò)。

高頻通不過(guò)大電容：理論上大電容高頻更容易通過(guò)，只不過(guò)由于大電容制造工藝所限，一般都是卷制的，大電容本身分布電感比小電容要大得多，由于感抗與高頻阻抗成反比關(guān)系，所以就限制了高頻信號(hào)的通過(guò)，一般電源濾波回路負(fù)責(zé)人的廠家會(huì)在大電容旁邊再裝個(gè)瓷片小電容濾除高頻干擾信號(hào)。