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開關(guān)電源炸機(jī)究竟是什么原因呢

思睿達(dá)工業(yè)通信芯方案 ? 2023-09-05 08:10 ? 次閱讀

電源工程師最怕什么?炸機(jī)!炸機(jī)的狀況總會(huì)成為他們心里說不出的“痛”,里面昂貴的元器件如果出現(xiàn)炸機(jī)狀況,那么在設(shè)計(jì)過程中的成本就會(huì)大幅提升。那么問題來了,開關(guān)電源炸機(jī)究竟是什么原因呢?


炸機(jī)的原因有很多,首先要做的事情就是找到問題的關(guān)鍵。本文我們通過案例整理了一些解決思路和要點(diǎn),希望對(duì)大家有所幫助。

以下為測(cè)試樣機(jī)圖片:


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CR6249TM樣機(jī)圖片


【應(yīng)用】小功率電源適配器/蜂窩電話充電器/數(shù)碼電源充電器/電腦和服務(wù)器輔助電源/替代線性調(diào)整器和RCC【規(guī)格】24V1A

【控制IC】CR6249TM


關(guān)于CR6249TM

產(chǎn)品概述

CR6249TM是一款高性能原邊檢測(cè)控制的PWM開關(guān),待機(jī)功耗小于75mW。CR6249TM內(nèi)部采用了多模式控制的效率均衡技術(shù),用于優(yōu)化芯片系統(tǒng)待機(jī)功耗。QR控制模式提升效率,同時(shí)采用了初級(jí)電感量補(bǔ)償技術(shù)和內(nèi)部集成的輸出線電壓補(bǔ)償技術(shù),保證了芯片在批量生產(chǎn)過程中CC/CV輸出精度,內(nèi)置的全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償技術(shù)保證了系統(tǒng)在全電壓范圍(90V~264V)內(nèi)輸出恒定的功率。

CR6249TM集成了多種功能和保護(hù)特性,包括欠壓鎖定(UVLO),VDD過壓 保護(hù)(OVP),軟啟動(dòng),過溫保護(hù)(OTP),逐周期電流限制(OCP),CS 引腳懸空保護(hù),輸出短路保護(hù),內(nèi)置前沿消隱電路,輸出整流二極管短路保護(hù)電路,輸出過壓保護(hù)電路。而且內(nèi)置所有PIN腳懸空保護(hù)功能,使得芯片具有更高的可靠性。

主要特點(diǎn)

●待機(jī)功耗低于75mW

●原邊檢測(cè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),無需光耦和TL431

●全電壓范圍內(nèi)高精度恒壓和恒流輸出

●可編程CC/CV模式控制

●采用多模式控制的效率均衡技術(shù)

●高能效QR控制模式

●內(nèi)置輸出線電壓補(bǔ)償功能

●內(nèi)置初級(jí)電感量偏差補(bǔ)償功能

●內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償功能

●動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)功能

●內(nèi)置過溫度保護(hù)功能

●內(nèi)置輸出短路保護(hù)功能

●內(nèi)置前沿消隱

●啟動(dòng)電流和工作電流低

●VDD端過壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

●逐周期過流保護(hù)

●內(nèi)置輸出整流二極管短路保護(hù)

●內(nèi)置輸出過壓保護(hù)功能

●內(nèi)置所有PIN腳懸空保護(hù)功能

●DIP-8L綠色封裝

基本應(yīng)用

●小功率電源適配器

●蜂窩電話充電器

●數(shù)碼電源充電器

●電腦和服務(wù)器輔助電源

●替代線性調(diào)整器和RCC

典型應(yīng)用

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引腳分布

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引腳描述

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【問題描述】

客戶反映,生產(chǎn)過程中,部分炸機(jī)。


【解決思路】

樣機(jī)炸毀的原因有很多,首先要做的事情就是找到問題點(diǎn):1、首先可以在炸毀的樣機(jī)上確定哪些元器件損壞,大概哪個(gè)地方發(fā)生爆炸來大致確定問題所在。


2、再拿一臺(tái)良品樣機(jī)做基本的測(cè)試,把所有有可能發(fā)生的隱患都檢測(cè)一遍,例如MOS及肖特基的應(yīng)力安全、變壓器是否磁飽和等。


3、最后再分析元器件的選型是否合理,以及工廠的生產(chǎn)是否有疏漏,生產(chǎn)的哪一步環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。

【調(diào)通要點(diǎn)】

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經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn)AC264V時(shí)MOS管的應(yīng)力達(dá)到630V,而MOS的最大應(yīng)力只有650V,已經(jīng)差不多到達(dá)臨界值,繼續(xù)測(cè)試。


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測(cè)試開關(guān)切載瞬間MOS應(yīng)力達(dá)到的最大值有662V,已經(jīng)超過了MOS管的最大值650V,說明炸機(jī)很有可能是因?yàn)镸OS的損壞。


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猜測(cè)MOS的應(yīng)力不夠而產(chǎn)生的炸機(jī),于是想辦法改善MOS應(yīng)力。經(jīng)觀察波形可見紅色方框內(nèi)的尖尖過高,說明吸收電路并未完全發(fā)揮作用,于是嘗試調(diào)整吸收電路。


【最終結(jié)果】

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經(jīng)過改善后可以看到AC264V樣機(jī)正常工作時(shí),MOS應(yīng)力在590V左右,而開機(jī)切載瞬間MOS的最大應(yīng)力只有600V,留有一定余量,消除了MOS尖峰過高而導(dǎo)致炸機(jī)的隱患。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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