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為什么buck電路中開(kāi)關(guān)器多用mosfet而不用bjt?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-12 15:26 ? 次閱讀

為什么buck電路中開(kāi)關(guān)器多用mosfet而不用bjt?

Buck電路是一種常見(jiàn)的DC-DC轉(zhuǎn)換電路,可實(shí)現(xiàn)輸入電壓向輸出電壓的降壓轉(zhuǎn)換。在Buck電路中,開(kāi)關(guān)器是其中最重要的組件之一,它決定了電路的工作原理和效率。

開(kāi)關(guān)器的兩種主要類型是MOSFET和BJT。然而,在Buck電路中,MOSFET通常更受歡迎,而B(niǎo)JT則較少使用。這主要?dú)w因于以下幾個(gè)原因:

1. 低開(kāi)關(guān)損耗

MOSFET具有非常低的開(kāi)關(guān)損耗,因?yàn)樗鼈兪情_(kāi)關(guān)式的器件。當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),它的內(nèi)阻非常小,故具有非常低的導(dǎo)通損耗。當(dāng)MOSFET保持關(guān)閉狀態(tài)時(shí),其開(kāi)路電阻非常大,因此電流流經(jīng)MOSFET時(shí)非常小,進(jìn)而產(chǎn)生非常小的開(kāi)關(guān)損耗。相比之下,BJT需要以基極的正向電流控制其導(dǎo)通,因此其導(dǎo)通損耗相對(duì)較高。

2. 高輸入電阻

MOSFET具有非常高的輸入電阻,對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求更低。而且操作起來(lái)較容易,因?yàn)橹恍枰┘悠溟T極電壓即可。而B(niǎo)JT具有較低的輸入電阻,因此要求驅(qū)動(dòng)電路具有更高的功率。

3. 高頻特性

MOSFET具有很好的高頻特性,可以非常快速地切換。這是由其柵氧化物和二極管結(jié)的特性決定的。這使得MOSFET可以用于高頻轉(zhuǎn)換器和PWM控制系統(tǒng)。相比之下,BJT具有較差的高頻特性,不能快速地切換。

4. 逆電壓容忍度

MOSFET具有良好的逆電壓容限容忍度,能夠承受大約20V至200V的逆電壓。而B(niǎo)JT具有較低的逆電壓容忍度,通常只能承受5V至10V的逆電壓。這限制了BJT在高壓應(yīng)用中的使用。

5. 整合度和成本因素

現(xiàn)代MOSFET可用于高性能復(fù)雜模塊或電路。通??梢詫?a href="http://srfitnesspt.com/soft/data/4-10/" target="_blank">控制電路集成到單個(gè)芯片中,這為制造商提供了更便宜的解決方案。而B(niǎo)JT需要使用多個(gè)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)同樣的功能,其成本更高。

通過(guò)對(duì)以上的分析,可以看出為什么MOSFET是更好的開(kāi)關(guān)器件選擇??偨Y(jié)起來(lái),MOSFET具有更低的開(kāi)關(guān)損耗、高輸入電阻、高頻特性、高逆電壓容限容忍度、更好的整合度和成本優(yōu)勢(shì)。這使得MOSFET成為Buck電路的首選開(kāi)關(guān)器件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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