在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點擊查看),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。
一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu)
從訪問NAND Flash來看,NAND Flash的容量結(jié)構(gòu)為:
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一個封裝好的顆粒一般有多個片選信號,即NAND CE#,代表獨(dú)立的Chip Enable片選信號。
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一個Target下有一個或多個Die/LUN ,它是能夠獨(dú)立執(zhí)行命令和報告狀態(tài)的最小單元。
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一個Die/LUN有多個Plane(e.g. 4Plane),通過多Plane并發(fā)操作提升NAND Flash讀寫性能。
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一個Plane有幾百上千個物理Block,Block是擦除操作的最小操作單元。
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一個Block中含有多個Page,Page是Program/Read的最小操作單元。
二、NAND Flash可靠性
- Endurance 耐久度
耐久度表征NAND Flash能夠承受的反復(fù)擦寫次數(shù)。NAND Flash的擦寫次數(shù)是有限的,因為每次擦寫操作都會對介質(zhì)造成損傷。如下圖所示,進(jìn)行擦寫操作時,會用十幾伏特的高電壓對晶體管進(jìn)行充放電操作,當(dāng)高能電子來回的穿越絕緣層,就會給絕緣層帶來物理損傷,最終影響數(shù)據(jù)可靠性。
- Data Retention 數(shù)據(jù)保持
隨著時間流逝,受量子隧穿效應(yīng)影響,編程操作充進(jìn)去的電子會隨機(jī)發(fā)生電子逃逸,進(jìn)而影響存儲的信息。如下圖所示,編程操作后的電荷分布如藍(lán)色線所示,Retention后電荷分布向左偏移,影響數(shù)據(jù)的正確讀取。
- 讀干擾
受閃存陣列結(jié)構(gòu)影響,我們?nèi)プx一個Page時,要對其他位置上的非讀page也施加一個電壓,造成讀干擾效應(yīng)。讀次數(shù)較少時,讀干擾影響不明顯,但是當(dāng)次數(shù)增加到幾千次時,累積的弱編程的效應(yīng)也會影響數(shù)據(jù)可靠性。如下圖所示,較低的電荷狀態(tài)更容易受到干擾。
三、NAND Flash特性
NAND Flash應(yīng)用挑戰(zhàn):
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讀寫擦操作單元不對稱
在一個block里面的讀寫擦是不對稱的,讀寫操作的粒度是page,但擦除操作的粒度是block,一般在FTL層進(jìn)行地址映射來匹配。
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寫操作之前先擦除
在寫操作之前,必須先進(jìn)行擦除工作,不然會導(dǎo)致寫的數(shù)據(jù)丟失,并且不能找回。
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有限的耐久度
磨損的次數(shù)是有限的,在反復(fù)擦寫后,閃存的壽命是有限的,需要有效的壽命管理策略來延長NAND Flash壽命。
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數(shù)據(jù)存儲錯誤
數(shù)據(jù)寫入NAND Flash后,再讀取數(shù)據(jù),總是會存在比特翻轉(zhuǎn),并且出錯數(shù)隨擦寫次數(shù)增加而增加,需要有效的糾錯算法來保證數(shù)據(jù)可靠性。
雖然Nand Flash還面臨著很多挑戰(zhàn),但它的成本優(yōu)勢明顯。為了將不可靠的介質(zhì)打造成可靠的存儲產(chǎn)品,我們會通過高效的介質(zhì)管理算法來保障產(chǎn)品的性能、壽命和可靠性。
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NAND Flash 原理深度解析(上)
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原文標(biāo)題:NAND Flash 原理深度解析(下)
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