0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

?定制IC測(cè)試以提高良率和可靠性嗎?

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:矽玨檢測(cè) ? 2023-09-25 10:23 ? 次閱讀

盡早確定芯片性能規(guī)格可以縮短工藝成熟所需的時(shí)間,并降低制造中的總體測(cè)試成本。

半導(dǎo)體下線時(shí)測(cè)試半導(dǎo)體的性能和功率流程的進(jìn)步,扭轉(zhuǎn)了在發(fā)貨前評(píng)估芯片的長期趨勢(shì)。雖然這聽起來很簡單,但這是一個(gè)艱巨的挑戰(zhàn),如果成功,將對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)到制造流程產(chǎn)生廣泛的影響。

制造商通常在發(fā)貨前對(duì)芯片進(jìn)行分級(jí)。并非所有芯片都是一樣的,而且這種差距通常會(huì)隨著新制造工藝的引入而擴(kuò)大。減少誤差和推動(dòng)流程成熟需要時(shí)間。過去,晶圓廠會(huì)在新工藝中考慮到這一點(diǎn)。但是,由于添加到先進(jìn)芯片中的新功能數(shù)量已經(jīng)將它們推到了標(biāo)線的大小之外。因此,盡早識(shí)別任何潛在的缺陷或不規(guī)則性至關(guān)重要,它們可能會(huì)影響這些日益復(fù)雜和昂貴的芯片的生命周期。

同時(shí),這些數(shù)據(jù)可用于微調(diào)新工藝,以更快地提高產(chǎn)量。它還可用于提高測(cè)試效率,而測(cè)試效率一直受到晶圓廠和最終客戶的壓力。過去,測(cè)試成本被牢牢固定在芯片制造總成本的2%至2.5%。這些數(shù)字一直在穩(wěn)步增長,原因如下: 芯片變得越來越復(fù)雜,在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上測(cè)試它們也更加困難。它們需要更多時(shí)間在整個(gè)流程的多個(gè)插入點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試、檢查和計(jì)量。

另外,測(cè)試探針需要定制,每個(gè)新設(shè)計(jì)的測(cè)試需要更多的探針,這進(jìn)一步增加了成本。 對(duì)可靠性的需求,特別是在任務(wù)關(guān)鍵型和安全關(guān)鍵型應(yīng)用中,需要更高的測(cè)試覆蓋率。 測(cè)試設(shè)備本身的復(fù)雜性不斷增加,需要更多的設(shè)備來完成工作。有更多的傳感器、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)來分析這些傳感器生成的數(shù)據(jù),以及更多的整體測(cè)試,因?yàn)槊總€(gè)芯片有更多的功能,每個(gè)封裝有更多的芯片。

“我們正在研究的是如何優(yōu)化整個(gè)價(jià)值鏈,特別是當(dāng)你有更復(fù)雜的問題需要解決2.5D和3D設(shè)備,異構(gòu)集成在一個(gè)封裝中,并且你無法訪問該封裝中的所有內(nèi)容,”愛德萬測(cè)試美國應(yīng)用研究和技術(shù)副總裁Ira Leventhal說?!皩?duì)于 HPC 設(shè)備,您會(huì)發(fā)現(xiàn)測(cè)試成本從傳統(tǒng)的收入 2.5% 上升到 3% 或 4%。那么如何才能恢復(fù)呢?你不能只是不斷地添加測(cè)試。

與其看每一次插入,不如問:“我在這里做什么,如何優(yōu)化它們?從長遠(yuǎn)來看,并行做更多的事情是解決這個(gè)問題的唯一途徑?!?/p>

更早的數(shù)據(jù)和更好的反饋可以幫助以其他方式直接或間接地抵消這些成本。

“我們看到從經(jīng)典的基于性能的分級(jí)越來越多地轉(zhuǎn)向基于應(yīng)用程序的分級(jí),”Leventhal 說?!斑^去,設(shè)備要簡單得多。它們被映射到非常具體的應(yīng)用程序中。現(xiàn)在,有了AI芯片,你可能會(huì)有很多應(yīng)用。它們的設(shè)備中有許多不同的單元和多個(gè)內(nèi)核,因此將該設(shè)備與應(yīng)用程序的分檔變得比處理器芯片的速度分檔復(fù)雜得多。更具預(yù)測(cè)性的模型將真實(shí)地告訴您這些設(shè)備可以持續(xù)使用多長時(shí)間。”

其中大部分內(nèi)容越來越針對(duì)特定領(lǐng)域,這只會(huì)增加復(fù)雜性。對(duì)于一種應(yīng)用或使用模型來說足夠好的東西在另一種應(yīng)用或使用模型中可能會(huì)非常不同,其中預(yù)期壽命可能更長或更短,規(guī)格可能更寬松或更嚴(yán)格。

NI首席解決方案營銷人員 James Guilmart 表示:“這確實(shí)不僅僅是查看參數(shù)數(shù)據(jù)和通過/失敗標(biāo)準(zhǔn)就能夠?qū)崿F(xiàn)?!薄斑@更多的是關(guān)于復(fù)雜的動(dòng)力學(xué)和多變量分析,這種獨(dú)特的組合已經(jīng)接近邊緣,當(dāng)我們查看這些更先進(jìn)的特定于應(yīng)用程序的應(yīng)用時(shí),將需要更多的多變量分析來更精細(xì)地對(duì)這些芯片進(jìn)行分類,以了解它們?cè)诂F(xiàn)場(chǎng)的表現(xiàn)如何。然后,您需要確保這符合該設(shè)備的預(yù)期用例?!?/p>

定制測(cè)試過程

所有這些步驟也都需要花錢,無論是因?yàn)闇y(cè)試花費(fèi)更多時(shí)間,整個(gè)制造過程中插入點(diǎn)更多,還是需要新設(shè)備來探測(cè)更多芯片并評(píng)估結(jié)果。

關(guān)鍵始終在于插入的目標(biāo)是什么,”Teradyne 戰(zhàn)略應(yīng)用軟件解決方案經(jīng)理 Michelle Evans說道。“根據(jù)設(shè)備的類別,您可以在一次插入過程中進(jìn)行中間合并。并且您可以進(jìn)行條件分支。對(duì)于移動(dòng)應(yīng)用程序處理器,您可以將它們分到不同的階段?!比缃?,移動(dòng)應(yīng)用處理器就做到了這一點(diǎn)。然而,當(dāng)你進(jìn)入醫(yī)療領(lǐng)域時(shí),那就是另一種不同的分類。它要么有效并滿足要求,要么不有效。

隨著芯片被組合在一個(gè)封裝中,這變得更具挑戰(zhàn)性。引線并不總是暴露的,這就是為什么人們對(duì)片上監(jiān)控的遙測(cè)類型數(shù)據(jù)如此感興趣。首先是挑戰(zhàn)提取必要的數(shù)據(jù),然后能夠在整個(gè)流程的適當(dāng)點(diǎn)使用它。

proteanTecs測(cè)試和分析副總裁 Alex Burlak 表示:“在測(cè)試儀上,您需要正確的信息來幫助您決定和執(zhí)行分檔策略”?!澳謾n所依據(jù)的物理測(cè)量參數(shù)是什么?這就是我們的代理組合的用武之地。您需要從芯片內(nèi)的多個(gè)位置對(duì)芯片內(nèi)的參數(shù)數(shù)據(jù)、晶體管工藝分級(jí)、泄漏特征、RC 延遲、實(shí)際邏輯路徑的路徑延遲等有精細(xì)的可視性。這種方法可以在比現(xiàn)在更早的階段提供準(zhǔn)確的性能分級(jí)——甚至在晶圓分類時(shí)也是如此。這是每個(gè)芯片在線完成的。這意味著您現(xiàn)在可以保留模具庫而不是成品庫存。您可以在選擇封裝之前進(jìn)行分類,您可以根據(jù)此數(shù)據(jù)配對(duì)性能相似的芯片。”

僅僅因?yàn)樾酒?小芯片在集成到封裝中之前通過了測(cè)試,并不意味著它們?cè)诜庋b密封后將保持良好狀態(tài)。

“芯片可以單獨(dú)測(cè)試,但封裝和互連部分從未測(cè)試過,但它存在于最終產(chǎn)品中,”Teradyne 的 Evans 說?!暗谝徊绞窍龂?yán)重缺陷,然后進(jìn)入關(guān)鍵任務(wù)領(lǐng)域。如果它處于最高速度、最高功率或任何使其成為關(guān)鍵任務(wù)的部件的標(biāo)準(zhǔn),您首先要對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。這使您可以創(chuàng)建我所說的“真值表”。您已經(jīng)創(chuàng)建了一個(gè)中間標(biāo)志,允許您繼續(xù)或走流程中的不同路線,所有這些都在一次插入中完成。總會(huì)有一些條件分支?!?/p>

在系統(tǒng)中進(jìn)行測(cè)試

并非所有內(nèi)容都必須以最佳性能運(yùn)行。隨著先進(jìn)封裝成為前沿設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn),一些新方法正在被催生。

“考慮這個(gè)問題的傳統(tǒng)方法是,您不想將高速部件和低速部件放入兩芯片模塊中,因?yàn)槟鷷?huì)受到最差部件的限制,”高級(jí)工程師 Mark Laird 說道。Synopsys的資深應(yīng)用工程師?!暗乙部吹搅艘粋€(gè)更有趣的用例,他們關(guān)心總功率。因此,您試圖平衡同一模塊上的高功率和低功率,都是一種不同的優(yōu)化?!?/p>

這里的轉(zhuǎn)變是性能和功耗的系統(tǒng)級(jí)視圖,而不是單個(gè)芯片。我們正在使用 Vmin數(shù)據(jù)集,但不僅僅是預(yù)測(cè)ATE 上的V min 。我們還在系統(tǒng)中進(jìn)行預(yù)測(cè),因?yàn)锳TE 與 SLT 測(cè)試儀上的Vmin可能會(huì)有相當(dāng)大的變化。有時(shí) ATE 的 V min 值會(huì)低于SLT,但我也看到過 V min 值更高在 SLT 上,因此它取決于產(chǎn)品。您可以為臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器使用相同的部件,但是它們將具有不同的封裝,這兩種產(chǎn)品的引腳排列不同。您希望能夠預(yù)測(cè)晶圓分類時(shí)的最終分級(jí),然后將該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)給我們說,我認(rèn)為這不僅會(huì)是服務(wù)器部件,而且是服務(wù)器部件的分類——例如,高速服務(wù)器部件,萊爾德說。

使用更好的數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化

所有這一切的基礎(chǔ)是向更好的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變,以及利用這些數(shù)據(jù)的更好方法。EDA 供應(yīng)商一直在與代工廠和設(shè)備制造商合作,統(tǒng)一從概念到現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)。這種端到端數(shù)據(jù)流現(xiàn)在開始整合來自各個(gè)工藝步驟的數(shù)據(jù),基本上將 DFT 和其他工藝從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到晶圓廠再到現(xiàn)場(chǎng)。從測(cè)試的角度來看,最大的轉(zhuǎn)變是從一開始就制定良好的測(cè)試計(jì)劃,因?yàn)樵S多前沿設(shè)計(jì)都是高度定制的且極其復(fù)雜。例如,任何元件中的時(shí)序不匹配都可能對(duì)封裝中其他元件的性能產(chǎn)生廣泛影響。然而,一旦解決了所有問題并設(shè)置了參數(shù),那么測(cè)試過程的其余大部分都可以自動(dòng)化。

NI 的 Guilmart 表示:“盡管查看這些變量時(shí)很復(fù)雜,但一旦理解了它,添加了歷史背景,并知道數(shù)據(jù)指向什么,那么它就會(huì)變得自動(dòng)化?!薄瓣P(guān)鍵推動(dòng)因素之一是數(shù)據(jù)模型。我們?nèi)绾潍@取這些數(shù)據(jù)以及如何存儲(chǔ)它?我們的數(shù)據(jù)模式的結(jié)構(gòu)是什么?我們確實(shí)優(yōu)先考慮產(chǎn)品的生命周期。對(duì)于每個(gè)芯片,您希望將所有數(shù)據(jù)流及其經(jīng)歷的數(shù)據(jù)和測(cè)試結(jié)果關(guān)聯(lián)起來。您擁有它的整個(gè)生產(chǎn)過程數(shù)據(jù)。當(dāng)我們獲得最終測(cè)試數(shù)據(jù)并開始分析它并尋找偏差時(shí),我們可以將所有這些放在一起并開始對(duì)它們進(jìn)行聚類并開始找出導(dǎo)致異常的原因?!?/p>

反過來,這些數(shù)據(jù)與片上/封裝內(nèi)數(shù)據(jù)集成,以提供芯片在晶圓廠、封裝內(nèi)部以及最終在現(xiàn)場(chǎng)的行為的可見性。其中一些與proteanTecs的Burlak所謂的“邊緣庫”有關(guān),后者是可以集成到測(cè)試程序中的軟件。所有的建模和分析都是在分析平臺(tái)中完成的。我們的邊緣庫部署在ATE上,處理來自代理的所有信息和其他客戶數(shù)據(jù),運(yùn)行模型,并在芯片仍在測(cè)試儀上時(shí)預(yù)測(cè)什么是正確的芯片。

結(jié)論

在制造過程中盡早進(jìn)行分檔是提高可靠性和降低測(cè)試成本的重要一步。但這只是可靠性等式的一個(gè)方面,其中還包括計(jì)量和檢測(cè)。評(píng)估芯片在特定應(yīng)用和易于理解的用例中隨時(shí)間推移的行為變化,大大增加了成功實(shí)施和可靠性能的機(jī)會(huì)。

Advantest 的 Leventhal 說,“現(xiàn)在,我們正在進(jìn)一步預(yù)測(cè)影響可靠性的因素。這不是一個(gè)容易解決的問題。你需要預(yù)先做好基礎(chǔ)工作,收集這些數(shù)據(jù)并將其整合在一起,然后能夠利用這些信息為你帶來優(yōu)勢(shì)并對(duì)其進(jìn)行預(yù)測(cè)?!?/p>

對(duì)于設(shè)備制造商和芯片公司來說,這帶來了許多新的機(jī)遇。隨著各地的復(fù)雜性不斷增加,理解交互和正確解釋大量數(shù)據(jù)的能力正在迫使更多的自動(dòng)化和設(shè)備升級(jí)。對(duì)于芯片制造商以及整個(gè)制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)來說,成功的數(shù)據(jù)集成可以為顯著提高設(shè)備質(zhì)量、穩(wěn)定多個(gè)流程的成本以及減少現(xiàn)場(chǎng)故障。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2542

    文章

    50279

    瀏覽量

    750193
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    19044

    瀏覽量

    228497
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26658

    瀏覽量

    212864
  • 芯片封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    464

    瀏覽量

    30475
  • HPC
    HPC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    306

    瀏覽量

    23616

原文標(biāo)題:?定制IC測(cè)試以提高良率和可靠性

文章出處:【微信號(hào):ICViews,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    如何提高電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的可靠性

    要選擇或構(gòu)建可靠的電源,需要充分了解影響產(chǎn)品可靠性的因素和壓力。本文將探討可靠性的含義以及可靠性和故障之間的關(guān)鍵差異,如CUI題為“電源
    的頭像 發(fā)表于 03-11 08:32 ?4717次閱讀
    如何<b class='flag-5'>提高</b>電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的<b class='flag-5'>可靠性</b>

    嵌入式軟件可靠性設(shè)計(jì)

    設(shè)備的可靠性涉及多個(gè)方面:穩(wěn)定的硬件、優(yōu)秀的軟件架構(gòu)、嚴(yán)格的測(cè)試以及市場(chǎng)和時(shí)間的檢驗(yàn)等等。
    發(fā)表于 07-11 10:09 ?414次閱讀

    KLA發(fā)布全新汽車產(chǎn)品組合以提高芯片可靠性

    KLA 的全新Surfscan? SP A2/A3、8935 和 C205 檢測(cè)系統(tǒng)以及創(chuàng)新的 I-PAT? 在線篩選解決方案提高了汽車芯片的可靠性
    發(fā)表于 06-23 14:40 ?3232次閱讀
    KLA發(fā)布全新汽車產(chǎn)品組合以<b class='flag-5'>提高</b>芯片<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>及<b class='flag-5'>可靠性</b>

    102 改善BGA枕頭效應(yīng),提高焊接可靠性

    可靠性焊接技術(shù)
    車同軌,書同文,行同倫
    發(fā)布于 :2022年08月07日 16:03:32

    可靠性測(cè)試

    各位大爺覺得可靠性測(cè)試有沒有必要做?
    發(fā)表于 07-07 17:25

    如何提高航空插頭的可靠性

    總裝工藝和與線纜的端接工藝等也都十分重要。以前鍍金接觸件大多都是采用手工鍍金,很容易出現(xiàn)個(gè)別插孔內(nèi)壁局部沒有膜層,呈現(xiàn)氧化色,為了解決這一問題,采用了超聲波鍍金,提高了其接觸的可靠性。  三、生產(chǎn)工藝
    發(fā)表于 08-01 17:14

    汽車電子電器電性能測(cè)試和環(huán)境可靠性測(cè)試分解

    專業(yè)致力于汽車電子電器設(shè)備開發(fā)、電性能測(cè)試以及環(huán)境可靠性測(cè)試,歡迎同行技術(shù)交流及合作
    發(fā)表于 02-05 15:58

    IC產(chǎn)品的可靠性測(cè)試,你了解多少?

    的問題,可靠性解決的是一段時(shí)間以后的問題。Quality的問題解決方法往往比較直接,設(shè)計(jì)和制造單位在產(chǎn)品生產(chǎn)出來后,通過簡單的測(cè)試就可以知道產(chǎn)品性能是否達(dá)到SPEC的要求,這種測(cè)試IC
    發(fā)表于 11-23 09:59

    IC產(chǎn)品的可靠性測(cè)試,你了解多少?

    的問題,可靠性解決的是一段時(shí)間以后的問題。Quality的問題解決方法往往比較直接,設(shè)計(jì)和制造單位在產(chǎn)品生產(chǎn)出來后,通過簡單的測(cè)試就可以知道產(chǎn)品性能是否達(dá)到SPEC的要求,這種測(cè)試IC
    發(fā)表于 11-26 16:59

    芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析

    芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22
    發(fā)表于 04-26 17:03

    芯片IC可靠性測(cè)試、ESD測(cè)試、FA失效分析

    分析、芯片提升、封裝工藝管控?集成電路競(jìng)品分析、工藝分析?芯片級(jí)失效分析方案turnkey?芯片級(jí)靜電防護(hù)測(cè)試方案制定與平臺(tái)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)?靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議?集成電路可靠性驗(yàn)證?
    發(fā)表于 05-17 20:50

    【PCB】什么是高可靠性?

    )管理團(tuán)隊(duì):操作規(guī)范、風(fēng)險(xiǎn)識(shí)別、問題剖析、策略分析 等;3.品?;?)品質(zhì):實(shí)時(shí)監(jiān)控;2)品質(zhì)可靠度:實(shí)時(shí)/定期核查;3)品質(zhì)一致:實(shí)時(shí)/按需稽查;4)平均無故障使用時(shí)長:定期
    發(fā)表于 07-03 11:09

    什么是高可靠性?

    IPQC、制程IPQA、終檢FQC、出貨OQC、信耐性測(cè)試 等;8)管理團(tuán)隊(duì):操作規(guī)范、風(fēng)險(xiǎn)識(shí)別、問題剖析、策略分析 等;3.品?;?)品質(zhì):實(shí)時(shí)監(jiān)控;2)品質(zhì)可靠度:實(shí)時(shí)/定期
    發(fā)表于 07-03 11:18

    請(qǐng)問PCBA可靠性測(cè)試有什么標(biāo)準(zhǔn)可循嗎?

    剛剛接觸PCBA可靠性,感覺和IC可靠性差異蠻大,也沒有找到相應(yīng)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。請(qǐng)問大佬們?cè)谧鯬CBA可靠性時(shí)是怎么做的,
    發(fā)表于 02-15 10:21

    SD NAND?可靠性驗(yàn)證測(cè)試

    SDNAND可靠性驗(yàn)證測(cè)試的重要SDNAND可靠性驗(yàn)證測(cè)試至關(guān)重要。通過檢驗(yàn)數(shù)據(jù)完整、設(shè)備壽
    的頭像 發(fā)表于 12-14 14:29 ?590次閱讀
    SD NAND?<b class='flag-5'>可靠性</b>驗(yàn)證<b class='flag-5'>測(cè)試</b>