共源共柵放大器工作原理及應(yīng)用特點

共源共柵放大器用于增強模擬電路的性能。利用共源共柵是一種常見的方法，可用于晶體管和真空管的應(yīng)用。Roger Wayne Hickman 和 Frederick Vinton Hunt 在 1939 年撰寫的一篇文章中使用了tern共源共柵，討論的是穩(wěn)壓器應(yīng)用。他們設(shè)計了兩個三極管的共源共柵，其中第一個三極管采用共陰極設(shè)置，下一個三極管采用公共柵極代替五極管。因此，它的名稱可以假設(shè)為級聯(lián)三極管的減少，其具有像五極管一樣的相關(guān)特性。

那么，共源共柵放大器工作原理究竟是怎樣的？本文IC先生網(wǎng)將詳細的介紹，希望通過閱讀本文之后，大家能夠?qū)苍垂矕欧糯笃鞔笾鹿ぷ鬟^程有所理解。

什么是共源共柵放大器？

共源共柵放大器包括兩級，例如CE（共發(fā)射極）級和CB（共基極）級，其中 CE 饋入 CB。當我們與單級放大器進行比較時，其組合可以具有不同的特性，例如高輸入/輸出隔離、高 i/p 阻抗、高 O/p 阻抗和高帶寬。

在當前電路中，可以通過使用兩個晶體管（即BJT（BJT）或 FET）來頻繁使用該放大器。這里，一個晶體管的工作方式類似于 CE 或公共源極，而其他晶體管的工作方式類似于 CB 或公共柵極。該放大器增強了 I/O 隔離，就像 O/P 到 I/P 之間沒有直接耦合一樣，從而減少了米勒效應(yīng)，從而提供高帶寬。

共源共柵放大器電路

使用 FET 的共源共柵放大器電路如下所示。該放大器的輸入級是FET和連接到其柵極端子的 Vin（輸入電壓）的公共源。該放大器的輸出級是 FET 的共柵極，其輸入相位非常高。O/P 級的漏極電阻為 Rd，Vout（輸出電壓）可從次級晶體管的漏極端子獲取。

由于Q2晶體管的柵極接地，因此晶體管的源極電壓和漏極電壓幾乎保持穩(wěn)定。這意味著較高的 Q2 晶體管為較低的 Q1 晶體管提供較低的 i/p 電阻。這會降低較低晶體管的增益，從而米勒效應(yīng)也會降低。所以帶寬將會增加。

下部晶體管的增益降低不會影響總增益，因為上部晶體管會補償它。上晶體管不會受到米勒效應(yīng)的影響，因為漏極到源極漂移電容的充電和放電可以通過漏極電阻進行。頻率響應(yīng)以及負載僅對高頻產(chǎn)生影響。

在該電路中，可以實現(xiàn)輸出與輸入的隔離。下部晶體管在源極和漏極端子處包括近似穩(wěn)定的電壓，而上部晶體管在其兩個端子處包括近似穩(wěn)定的電壓?；旧蠜]有從 o/p 到 i/p 的反饋。因此，兩個端子使用穩(wěn)定電壓的中間連接來很好地隔離。

優(yōu)點和缺點

共源共柵放大器優(yōu)點包括以下內(nèi)容：

該放大器提供高帶寬、增益、轉(zhuǎn)換速率、穩(wěn)定性以及輸入阻抗。對于雙晶體管電路，零件數(shù)量極少。

共源共柵放大器缺點包括以下內(nèi)容：

該放大器需要兩個具有高壓電源的晶體管。對于雙晶體管共源共柵，兩個晶體管應(yīng)在處理過程中通過足夠的 VDS 進行偏置，從而對電源電壓產(chǎn)生較小的限制。

因此，這就是共源共柵放大器理論。這些放大器有兩種類型，例如折疊共源共柵放大器和 bimos 共源共柵放大器。這里有一個問題要問你，共源共柵放大器的頻率響應(yīng)？

審核編輯 黃宇