為什么用PTAT電流來偏置亞閾值導通的MOS管或BJT？
熱電壓Vt可以用式1表示為：
公式表明Vt與絕對溫度T成正比（PTAT）。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來偏置亞閾值區(qū)的MOS管，可以消除Vt對gm的影響。
兩個diode的電壓差寫為：
如果兩個二極管的結(jié)面積A和電流 I 匹配并且其比例大于 1, 這個電壓差就趨近于Vt，那么兩個二極管的電壓差是PTAT電壓。我們已經(jīng)知道工作在亞閾值區(qū)的MOS管其I-V特性類似于diode，那我們根據(jù)式2可以得出這樣一個結(jié)論：
如果兩個MOSFET的電流和寬長比匹配并且比例大于1，那么這個電壓差近于 Vt，或者說，兩個亞閾值區(qū) MOSFET 的Vgs差值是PTAT電壓。
此時，如果我們要得到一個PTAT電流，可以通過 ＶＰＴＡＴ／Ｒ來得到。電阻R的溫漂越小越好。
下圖是一種常用的產(chǎn)生PTAT電流的常用結(jié)構(gòu)：
電阻Rｐ上產(chǎn)生的電流可以表示為：
通常MP２與MP１的寬長比為４：１等。根據(jù)個人經(jīng)驗，MP２工作在亞閾值區(qū)時Ｖｇｔ可為－５０ｍＶ左右。如果在低壓低功耗設(shè)計下這一個值甚至可達到－２００ｍＶ。當然，這不是絕對的，基本就在這個范圍左右。僅供參考?。。?/p>
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
9331瀏覽量
163865 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
142文章
6860瀏覽量
211438 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
107文章
2294瀏覽量
65517 -
BJT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
218瀏覽量
18009
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
MOS管的應用及導通特性和應用驅(qū)動電路的總結(jié)。
VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的
發(fā)表于 11-12 15:40
MOS管的應用及導通特性和應用驅(qū)動電路的總結(jié)。
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大
發(fā)表于 12-18 15:37
三極管BJT與場效應管FET有什么區(qū)別
1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制，BJT放大電流，F(xiàn)ET將柵極電壓轉(zhuǎn)換為漏極電流。
發(fā)表于 06-13 04:20
怎樣通過BJT去設(shè)計運放？偏置管是尾電流源的那個管子嗎？
怎樣通過BJT去設(shè)計運放？偏置管是尾電流源的那個管子嗎？找到穩(wěn)定β范圍是單獨對一個BJT器件進行仿真嗎？當
發(fā)表于 06-22 07:44
MOS管并聯(lián)是什么意思
一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會變小。(2)、
發(fā)表于 10-29 07:04
為什么用MOS管做開關(guān)管？
一. 電子開關(guān)設(shè)計1. 為什么用MOS管做開關(guān)管？2. MOS驅(qū)動電路用圖騰柱還是
發(fā)表于 12-28 07:17
高電源抑制比的CMOS亞閾值多輸出電壓基準
基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件，運用CMOS電流?；鶞蕦ATA和PTAT電流求和的思想，提出一
發(fā)表于 12-30 10:25
?26次下載
使用亞閾值MOS晶體管和單BJT實現(xiàn)的帶隙基準電壓源論文免費下載
介紹了一種采用亞閾值mos晶體管和單bjt的低溫系數(shù)（tc）和大功率電源紋波抑制（psrr）cmos子帶隙基準電壓源（sub-bgr）電路。
發(fā)表于 09-30 08:00
?2次下載
晶體管與MOS管的并聯(lián)理論
一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會變小。(2)、
發(fā)表于 10-22 17:21
?28次下載
教你如何使用三極管BJT驅(qū)動MOS管
受限于MOS管的驅(qū)動閾值，在許多的應用場景中無法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動MOS的導通與關(guān)斷，此時需要在
發(fā)表于 06-07 16:52
?1.1w次閱讀
MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里來的？
MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里來的？? MOS管中的橫向BJT是一種重要的結(jié)構(gòu)，它能夠起
為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？
，減小亞閾值區(qū)電流對于提高晶體管的能效具有重要意義。但亞閾值區(qū)
什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？
什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？亞
工商網(wǎng)監(jiān)
評論