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車規(guī)模塊系列(五):聊一聊DBB/銅綁定技術(shù)

功率半導(dǎo)體那些事兒 ? 來源:功率半導(dǎo)體那些事兒 ? 2023-10-08 10:22 ? 次閱讀

相比于之前的標準化模塊封裝,近年來各具特色的模塊封裝類型都慢慢映入眼簾,就好比之前我們聊到的DCM、HPD和TPAK等等。并且其中細節(jié)部分也有著不一樣的改進,如DBB技術(shù)、Cu-Clip技術(shù)、激光焊接、SKiN、單/雙面水冷、銀燒結(jié)、銅燒結(jié)等等,無疑給模塊封裝技術(shù)增添了更多組合的可能,以應(yīng)對不同的性價比和應(yīng)用。

今天我們就來聊聊銅綁定,以一篇丹佛斯硅動力的一篇論文來看看這個工藝的特點。

DBB技術(shù)

AUTUMN IS COMING

相對于傳統(tǒng)的鋁綁定線工藝,銅綁定線需要對芯片表面進行要求更高的金屬化,而丹佛斯鍵合緩沖Danfoss Bond Buffer (DBB)技術(shù)就是為了銅綁定線進行的表面處理。

在模塊生產(chǎn)制造過程中,在芯片頂部額外地?zé)Y(jié)一層銅層,防止芯片在超聲波焊接過程中開裂,提供了所需的機械粘接緩沖作用。芯片的頂部的銅層適合鍵合直徑可達500um的銅線,同時,芯片的底部被燒結(jié)到DBC上,銅綁定和燒結(jié)技術(shù)的結(jié)合顯著地提高可靠性以及功率密度。

DBB技術(shù)是為了減少CTE不匹配帶來的熱機械應(yīng)力,除了在鍵合過程中吸收能量以及保護芯片,其還具有一定的熱學(xué)優(yōu)勢。

DBB的主要工藝步驟如下,

3481c5e2-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

芯片燒結(jié)到DBC和芯片表面的DBB可以使用同一臺燒結(jié)設(shè)備和工藝。下面是一個DBB技術(shù)模塊的局部示意圖,

349a31e0-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

上圖中,DBC襯底和DBB銅層都有一層NiAu表面,以達到更好的延展性。

DBB中的銅層形成了一個熱容量,對于模塊的Zth有著一定的影響,但不會增加其熱阻Rth。其大面積的銅層,以及銅層的厚度比普通的Al頂層要厚得多,導(dǎo)致了更好的電流擴散,提供了更為均勻的電流密度分布。

熱特性

利用有限元仿真工具,在相同條件下對比了三種情況下的熱參數(shù),

緩沖層(70um)+銅綁定線(300um)

緩沖層(70um)+鋁綁定線(300um)

無緩沖層+鋁綁定線(300um)

熱阻抗曲線如下,

34ce4020-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

34ec6bc2-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

PaneA中,在1ms處單純Al線和緩沖層加Cu線熱阻抗相差0.01K/W主要是由于銅線具有較高的熱導(dǎo)率;PaneB中,純Al線和緩沖層加Al線熱阻差了約0.003K/W是由于緩沖層厚度較高引起的。

熱機械應(yīng)力

為了評估Si芯片和DBB銅層之間的銀燒結(jié)層內(nèi)的應(yīng)力,采Suhir的軸對稱模型,計算出了層狀材料(頂層和底層)的彈性彎曲應(yīng)力分布和連接層中的應(yīng)力,即剪切應(yīng)力。軸向?qū)ΨQ近似矩形,其半徑由邊長的一半或者對角線來定義,或者通過使用等面積的方法。Suhir表明,大面積的剪切應(yīng)力只存在于一定的外圍區(qū)域,如下圖中的曲線“剪切DBB/Chip”所示,在一定橫向尺寸內(nèi)保持不變。

350ed00e-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

同時也給出了一些相關(guān)參數(shù)對剪切力的關(guān)系。

35412a7c-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

不同DBB厚度下,DBB燒結(jié)層的剪切應(yīng)力與厚度成正相關(guān)性。

355f28e2-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

不同芯片厚度下,DBB燒結(jié)層的剪切應(yīng)力與厚度成正相關(guān),相同面積下,SiC大于Si。

356b78e0-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

不同芯片厚度下,芯片到DBC的燒結(jié)層剪切應(yīng)力??梢钥闯鲂酒奖。瑹Y(jié)層中的應(yīng)力越低。

358ee76c-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

不同DBB銅層厚度下,芯片到DBC的燒結(jié)層的剪切應(yīng)力??梢钥闯觯珼BB越厚,芯片到DBC的燒結(jié)層剪切應(yīng)力越小,但需要結(jié)合第一個柱狀圖,DBB越厚,DBB燒結(jié)層的剪切應(yīng)力越大。這兩種需要進行相應(yīng)的權(quán)衡。

TC和PC循環(huán)

TC測試在-40/+150℃,15/15min下進行,給到了開始前和750次循環(huán)后的SAM圖像,

35af9ac0-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

可以看出,燒結(jié)層都沒有變化跡象,而DBC的銅層明顯有損傷,此時DBC的可靠性成了木桶效應(yīng)的短板。

PC測試基于100A/1700V的IGBT進行,分別有DBB技術(shù)和傳統(tǒng)的鋁綁定線加焊接(ST)的樣品,測試條件如下,

35d4462c-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

35ddc238-5fe8-11ee-939d-92fbcf53809c.png

可見采用DBB技術(shù)的功率循環(huán)能力得到了飛躍的提升。

小結(jié)

今天以DBB技術(shù)為基礎(chǔ),大致聊了一下銅綁定線帶來的一些優(yōu)勢,當然歸根結(jié)底還是為了更高的功率密度和可靠性。但功率半導(dǎo)體沒有一個過程是固定不變的,都是在反反復(fù)復(fù)的折中過程中尋找著屬于自己的最優(yōu)解,DBB技術(shù)是一種,那相信其他家的銅綁定或者Cu-Clip都有屬于自己模塊的最優(yōu)解。






審核編輯:劉清

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原文標題:車規(guī)模塊系列(五):DBB/銅綁定技術(shù)

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