機械硬盤(HDD) 最小組成單元是扇區(qū)
硬盤結(jié)構(gòu)
硬盤工作原理
起初,讀/寫磁頭??吭诒P片在主軸附件的一個特殊區(qū)域,啟停區(qū)。
主軸連接所有盤片,并連接到一個馬達(dá)上。主軸電機以恒定的速度旋轉(zhuǎn),帶動盤片旋轉(zhuǎn)。
主軸旋轉(zhuǎn)時,讀/寫磁頭和盤片間有個很微小的空氣間隙,稱磁頭飛行高度。
讀/寫磁頭被安裝在磁頭臂頂端,磁頭臂帶動磁頭移動到需要被寫入或取出數(shù)據(jù)的盤片位置上方。
磁頭在硬盤表面以二進(jìn)制的形式讀寫數(shù)據(jù),讀取的數(shù)據(jù)儲存在硬盤的flash芯片中,最后傳到程序中運行。
注意
盤片進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲,控制電路控制盤片高速旋轉(zhuǎn),磁頭臂控制磁頭進(jìn)行讀/寫(每個盤片有兩個讀寫磁頭,分別位于兩個表面)
盤片轉(zhuǎn)速以RPM為單位,現(xiàn)在企業(yè)一般用的是10K~15K(此時硬盤一般是在真空中運行的)
盤片上有盤面(兩面),盤面上有磁道,磁道上有扇區(qū)。
數(shù)據(jù)寫入是按照柱面縱向?qū)懭氲模ㄏ鹊谝豢v,然后第二縱這樣)
為什么縱向讀寫
讀寫時需要確定在哪個磁道讀寫數(shù)據(jù)(尋道時間)+ 確定磁道后確定哪個扇區(qū)(旋轉(zhuǎn)時延)+ 數(shù)據(jù)讀寫傳輸?shù)臅r間
縱向讀寫的話在物理上(尋道時間+旋轉(zhuǎn)時延)花費的時間要少一點
硬盤上的數(shù)據(jù)組織
盤面:硬盤的每一個盤片都有兩個盤面,每個盤面都能存儲數(shù)據(jù),成為有效盤片。
每一個有效盤面都有一個盤面號,按從上到小的順序從0開始依次編號。
在硬盤系統(tǒng)中,盤面號又叫磁頭號,因為每一個有效盤面都有一個對應(yīng)的讀寫磁頭。
磁道(Track):磁道是在盤片上圍繞在主軸周圍的同心環(huán),數(shù)據(jù)被記錄在磁道上。
磁道從最外圈向內(nèi)圈從0開始順序編號。
硬盤的每一個盤面有300~1024個磁道,新式大容量硬盤每面的磁道數(shù)更多,通常用盤片上每英寸的磁道數(shù)(TPI,也稱磁道密度)來衡量盤片上磁道排列的緊密程度。
磁道是肉眼看不見的,只是盤面上以特殊形式磁化了的一些磁化區(qū)。
柱面(Cylinder):在同一個硬盤中所有盤片(包含上下兩個盤面)具有相同編號的磁道形成一個圓柱,稱之為硬盤的柱面。
每個柱面上的磁頭由上而下從0開始編號,數(shù)據(jù)的讀寫按柱面進(jìn)行。
即磁頭讀寫數(shù)據(jù)時先在同一柱面內(nèi)從0磁頭開始進(jìn)行操作,依次往下在同一柱面的不同盤面(即磁頭)上進(jìn)行操作。
只有同一柱面所有的磁頭全部讀寫完成后磁頭才轉(zhuǎn)移到寫一個柱面,因為選取磁頭只需通過電子切換即可,而選取柱面?zhèn)缺仨毻ㄟ^機械切換,即尋道。
通常硬盤中磁頭的位置由柱面號來說明,而不是用磁道號來說明。
扇區(qū)(Sector):每個磁道被分為更小的單位,稱為扇區(qū),劃分扇區(qū)的目的是為了使數(shù)據(jù)存儲更加條理化。
扇區(qū)是硬盤中可以單獨尋址的最小存儲單元。不同硬盤磁道的扇區(qū)數(shù)可以不同。
通常情況下,一個扇區(qū)可以保存512字節(jié)的用戶數(shù)據(jù),但也有一些硬盤可以被格式化為更大的扇區(qū)大小,如4KB扇區(qū)。
硬盤指標(biāo)
硬盤容量
硬盤容量=柱面數(shù)*磁頭數(shù)*扇區(qū)數(shù)*扇區(qū)大小,單位為MB或GB
影響硬盤容量的因素有單碟容量和碟片數(shù)量。
硬盤緩存
為解決硬盤在讀寫數(shù)據(jù)時CPU的等待問題,在硬盤上設(shè)置適當(dāng)?shù)母咚倬彺?/p>
平均訪問時間
平均尋道時間:指硬盤的磁頭從初始位置移動到盤面指定磁道所需的時間(越小越好)
平均等待時間:指磁頭已處于要訪問的磁道,等待所要訪問的扇區(qū)旋轉(zhuǎn)至磁頭下方的時間(越小越好)
數(shù)據(jù)傳輸速率
內(nèi)部傳輸速率:指理情況下磁頭讀寫硬盤時的最高速率
外部傳輸速率/接口傳輸速率:它指的是系統(tǒng)總線與硬盤緩沖區(qū)之間的數(shù)據(jù)傳輸率,與硬盤接口類型和硬盤緩存的大小有關(guān)。
硬盤IOPS和傳輸帶寬
IOPS:每秒的輸入輸出量(讀寫次數(shù));理論上可以計算出硬盤的最大IOPS,即IOPS=1000ms/(尋道時間+旋轉(zhuǎn)延遲)
傳輸帶寬(吞吐量):單位時間成功傳輸?shù)臄?shù)據(jù)數(shù)量
并行傳輸和串行傳輸
并行:傳輸效率高,但是傳輸距離不長,傳輸頻率不高;(一般10多米左右)
串行:傳輸速率不高,但是可以通過傳輸頻率來提高整體傳輸速度(隨意一般串行比并行的傳輸速率要高)
影響性能的因素
固態(tài)硬盤(SSD) 最小存儲單元是Cell
SSD的特點
使用flash技術(shù)存儲信息,數(shù)據(jù)傳輸速度比HDD快
內(nèi)部沒有機械結(jié)構(gòu)因此耗電量更小、散熱小、噪音小
SSD盤使用壽命受擦寫次數(shù)影響(硬盤最小組成單元Cell不斷擦寫,當(dāng)擦寫次數(shù)達(dá)到極限后,就不能繼續(xù)讀寫數(shù)據(jù)了)
SSD架構(gòu)
SSD主要是由存儲單元(主要是閃存顆粒)和控制單元組成
SSD控制器:負(fù)責(zé)主機到后端介質(zhì)的讀寫訪問和協(xié)議轉(zhuǎn)換,表項管理、數(shù)據(jù)緩存及校驗等,是SSD的核心部件。
主機接口:主機訪問SSD的協(xié)議和物理接口,如SATA、SAS和PCIe。
DRAM:FTL(Flash translation layer,閃存轉(zhuǎn)換層)表項和數(shù)據(jù)的緩存,以提供數(shù)據(jù)訪問性能。
存儲單元:NAND FLASH 顆粒
NAND FLASH:數(shù)據(jù)存儲的物理器件,是一種非易失性隨機訪問存儲介質(zhì)。
多通道并發(fā),通道內(nèi)Flash顆粒復(fù)用時序。支持TCQ/NCQ,一次響應(yīng)多個IO請求。
NAND Flash
NAND 閃存顆粒采用浮柵晶體管存儲數(shù)據(jù)
內(nèi)部存儲單元組成包括:LUN、Plane、Block、Page、Cell
LUN:能夠獨立封裝的最小物理單元,通常包含多個plane
Plane:擁有獨立的Page寄存器,通常包含1K或2K奇數(shù)Block或偶數(shù)Block
Block:能夠執(zhí)行擦除操作的最小單元,通常由多個Page組成
Page:能夠執(zhí)行編程和讀操作的最小單元,通常大小為16KB
Cell:Page中的最小操作擦寫讀單元,對應(yīng)一個浮柵晶體管,可以存儲1bit或多bit
對NAND Flash的讀寫數(shù)據(jù)的操作主要涉及擦除(Erase)、編程(Program)和讀(Read)
Nand flsh為非易失性介質(zhì),在寫入新數(shù)據(jù)之前必須保證Block被擦除過,對Block擦除一次后再寫入一次稱為一次P/E Cycle
閃存介質(zhì)
NAND Flash顆粒根據(jù)Cell存儲不同的bit數(shù)據(jù)位分為不同的閃存介質(zhì)(主要有四種)
地址映射管理
主機通過LBA訪問SSD,SSD主控通過FTL閃存轉(zhuǎn)換將其轉(zhuǎn)換為PBA進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取
LBA:Logical Block Address,邏輯區(qū)塊地址
可以指某個數(shù)據(jù)區(qū)塊的地址或者某個地址上所指向的數(shù)據(jù)區(qū)塊。
PBA:Physics Block Address,物理區(qū)塊地址
FTL閃存轉(zhuǎn)換層
基本概念
FTL起著翻譯官的作用,它將Host(電腦、手機等)發(fā)送至Device(eMMC、SSD)的邏輯地址轉(zhuǎn)換為寫入Flash的物理地址(地址映射管理)。
工作原理
Host給定一個邏輯地址,F(xiàn)TL根據(jù)這個邏輯地址在邏輯映射表上建立映射關(guān)系,連接到Flash上的物理地址。
一般來說,F(xiàn)TL將邏輯地址處理后,建立的映射關(guān)系包含了Flash的Block編號、Page編號等,數(shù)據(jù)讀取時便根據(jù)這些信息在Flash對應(yīng)的位置上找到數(shù)據(jù),傳輸至Host。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:機械硬盤(HDD)與固態(tài)硬盤(SSD)
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