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羅姆新增SiC和IGBT模型,可提供超3,500種LTspice?模型

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2023-10-17 11:24 ? 次閱讀

據(jù)AMEYA360介紹:全球知名半導(dǎo)體制造羅姆(總部位于日本京都)擴(kuò)大了支持電路仿真工具* 1 LTspice? 的SPICE模型* 2 陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能,可以提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管二極管MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此,羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型,這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前,羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率已超過80%,有助于客戶利用嵌入了功率元器件等分立產(chǎn)品的電路仿真工具來提高設(shè)計(jì)便利性。

另外,除了產(chǎn)品頁面外,羅姆官網(wǎng)自2023年10月起還開設(shè)了可以瀏覽所有仿真模型的“設(shè)計(jì)模型”頁面,在這里可以輕松下載各種模型。此外,還一并提供添加庫和創(chuàng)建符號(hào)(電路圖符號(hào))的指南文檔等,有助于客戶順利創(chuàng)建電路和執(zhí)行仿真。

未來,羅姆將繼續(xù)擴(kuò)大支持各種仿真工具的模型陣容,通過提供滿足客戶需求的在線工具和資源(例如已經(jīng)發(fā)布的“ROHM Solution Simulator* 5”),助力解決客戶在電路設(shè)計(jì)過程中的問題。

<背景>

近年來,在電路設(shè)計(jì)中使用電路仿真的機(jī)會(huì)越來越多,可用的工具也多種多樣。其中,LTspice?是具有代表性的電路仿真工具之一,其用戶包括從學(xué)生到企業(yè)工程師的廣大群體。為了滿足眾多用戶的需求,羅姆進(jìn)一步擴(kuò)充了支持LTspice?的分立產(chǎn)品模型陣容。 文章來源:http://www.ameya360.com/hangye/110326.html,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除!

<仿真模型一覽頁面>

?設(shè)計(jì)模型除了LTspice?模型外,羅姆還發(fā)布了支持不同使用工具環(huán)境的各種仿真模型。

<支持文檔>

?LTspice?模型的使用方法

?LTspice?模型的使用方法:收斂速度改善技巧

?LTspice?是 Analog Devices, Inc.的注冊(cè)商標(biāo)。使用其他公司的商標(biāo)時(shí),請(qǐng)遵循權(quán)利方制定的使用規(guī)定。

<術(shù)語解說>

*1) 電路仿真工具

一種無需實(shí)際準(zhǔn)備電子元器件而僅使用軟件進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的工具。

*2) SPICE模型

在電子電路仿真工具中使用的、用數(shù)學(xué)公式來表現(xiàn)元器件工作特性的數(shù)據(jù)。仿真工具對(duì)應(yīng)的SPICE模型的格式可能因文本文件的格式而異。

*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。

*4) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管

)同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管。

*5) ROHM Solution Simulator

在羅姆上運(yùn)行的免費(fèi)電路仿真工具。從元器件選型和元器件單品驗(yàn)證到系統(tǒng)級(jí)的運(yùn)行驗(yàn)證,均可通過該仿真工具來實(shí)現(xiàn)。

審核編輯:湯梓紅


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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