三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級(jí)，美計(jì)劃進(jìn)一步收緊對(duì)華芯片出口措施

傳感新品

【中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)化所：研究一種集成汗液傳感器同步檢測(cè)多種動(dòng)脈粥樣硬化生物標(biāo)志物！】

臨床上經(jīng)常通過測(cè)量血液粘度、血流量和血液損傷水平來評(píng)估動(dòng)脈粥樣硬化狀況。與精準(zhǔn)醫(yī)學(xué)相結(jié)合，開發(fā)方便、無創(chuàng)的動(dòng)脈粥樣硬化診斷方法至關(guān)重要。

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所張強(qiáng)和中國(guó)人民解放軍聯(lián)勤保障部隊(duì)第九八九醫(yī)院 Qi Chang 設(shè)計(jì)了一種集成的電化學(xué)傳感器，同時(shí)檢測(cè)汗液中的膽固醇、轉(zhuǎn)鐵蛋白和 K + ，這些都是動(dòng)脈粥樣硬化的生物標(biāo)志物指標(biāo)。這傳感器顯示出對(duì)動(dòng)脈粥樣硬化狀態(tài)進(jìn)行常規(guī)個(gè)性化評(píng)估的良好前景，這是精確醫(yī)學(xué)的一個(gè)值得注意的科學(xué)進(jìn)步。

研究要點(diǎn)

要點(diǎn)1 . 該傳感系統(tǒng)是通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)在柔性聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯 ( PET ) 基板上制備的，該基板由三個(gè)工作電極、兩個(gè)參比電極和一個(gè)對(duì)電極組成。在工作電極表面連續(xù)電沉積了多壁碳納米管 ( MWCNTs ) 和碳量子點(diǎn) ( C QDs ) 。固定化CQDs的MWCNTs支架提供了大量的活性位點(diǎn)。CQDs降低了電子轉(zhuǎn)移電阻，提高了電子轉(zhuǎn)移速率常數(shù) ( k 0 ′ ) 。在三個(gè)電極表面上沉積了特定的分子傳感元件。

要點(diǎn)2 . 傳感機(jī)制 ：β-CD共價(jià)連接在電極表面，作為選擇性膽固醇識(shí)別的宿主。識(shí)別反應(yīng)導(dǎo)致電信號(hào)隨膽固醇濃度的變化。對(duì)于轉(zhuǎn)鐵蛋白檢測(cè)，一種錨定在工作電極表面的高選擇性分子印跡聚合物 ( MIP ) 。轉(zhuǎn)鐵蛋白插入MIP分子腔會(huì)阻礙電子轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致電流信號(hào)減少。通過在工作電極上沉積K + 離子選擇膜 ( ISM ) 來制備K + 傳感器。ISM的K + 選擇性 磁導(dǎo)率導(dǎo)致電極表面上與 K + 成比例的獨(dú)特電勢(shì)差。

要點(diǎn)3 . 該傳感 器 為痕量汗液生物標(biāo)志物 ( 膽固醇、轉(zhuǎn)鐵蛋白和K + )的超靈敏檢測(cè)提供了一個(gè)高度電化學(xué)活性平臺(tái)。集成的非酶?jìng)鞲衅鞅憩F(xiàn)出優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。通過同時(shí)檢測(cè)接受預(yù)先設(shè)計(jì)的日?；顒?dòng)的志愿者汗液中的三種動(dòng)脈粥樣硬化生物標(biāo)志物，成功證明了該傳感器的實(shí)用性。

研究圖文

圖1 . （ a） ( I ) M-SPE和 ( II ) C-SPE的SEM。（b）SPE、M-SPE和C-SPE在5 mM K 3 [Fe ( CN ) 6 ]溶液中以100 mV/s的掃描速率的CV。（c）電極的Nyquist圖。（d）C-SPE 在 掃描速率范圍為10-500 mV/s 內(nèi) 的CV。（e）陰極和陽(yáng)極峰值電流與掃描速率平方根的關(guān)系 。

圖 2. （ a）膽固醇傳感器的傳感機(jī)制示意圖。（b）傳感器在人造汗液中膽固醇0-100 μM范圍內(nèi)的DPV。（c）膽固醇傳感器的相應(yīng)校準(zhǔn)曲線。（d）膽固醇傳感器的選擇性測(cè)試。I：0.1 M PBS；II、10 -7 M膽固醇；III：10 -7 M膽固醇+10 -6 M尿素；IV：10 -7 M膽固醇+10 -6 M葡萄糖；V：10 -7 M膽固醇+10 -6 M尿酸；VI：10 -6 M膽固醇。（e）10個(gè)獨(dú)立的膽固醇傳感器進(jìn)行再現(xiàn)性測(cè)試。（f）膽固醇傳感器在20天內(nèi)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。（g）膽固醇傳感器在 實(shí)際汗液中的 DPV。（h）在實(shí)際汗液中測(cè)試時(shí)的相應(yīng)校準(zhǔn)曲線。

圖 3. （ a）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器的傳感機(jī)制。（b）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器在人工汗液中0-10 -2 g/L濃度范圍內(nèi)的安培響應(yīng)。（c）相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線。（d）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器的選擇性測(cè)試。（e）10個(gè)獨(dú)立轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器和10 -5 g/L轉(zhuǎn)鐵蛋白進(jìn)行再現(xiàn)性測(cè)試。（f）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器在20天內(nèi)的長(zhǎng)期穩(wěn) 定性。（ g）轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器在真實(shí)汗液中的安培響應(yīng)。（h）實(shí)際汗液分析的轉(zhuǎn)鐵蛋白傳感器的相應(yīng)校準(zhǔn)曲線。

圖4 . （ a）K + 傳感器的感應(yīng)機(jī)構(gòu)。（b）人工汗液中K + 傳感器在10 -7 -10 -1 M濃度范圍內(nèi)的OCPT響應(yīng)。（c）相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線。（d）K + 傳感器在不同pH下的OCPT響應(yīng)。（e）在存在各種離子的情況下對(duì)K + 傳感器進(jìn)行離子干擾測(cè)試。（f）10個(gè)K + 傳感器進(jìn)行重復(fù)性測(cè)試。（g）K + 傳感器在1小時(shí)測(cè)量期間的信號(hào)穩(wěn)定性。（h）K + 傳感器在20天內(nèi)具有10 mM K + 的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。（i）K + 傳感器在實(shí)際汗液中的OCPT響應(yīng)和（j）相應(yīng)的校準(zhǔn)曲線。

圖5 . （ a）傳感器對(duì)攝入三個(gè)雞蛋后汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的反應(yīng)。（b）傳感器對(duì)攝入0.375 g KCl后汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的反應(yīng)。（c）攝入2.5 mg鐵元素后，傳感器對(duì)汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的反應(yīng)。（d）三名具有不同BMI值的受試者對(duì)汗液中（I）膽固醇、（II）K+和（III）轉(zhuǎn)鐵蛋白的傳感器反應(yīng)。

傳感動(dòng)態(tài)

【英飛凌推出集成MEMS傳感器與ASIC的胎壓監(jiān)測(cè)傳感器】

英飛凌將自身在汽車領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)證的專業(yè)知識(shí)與面向汽車胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)（TPMS）市場(chǎng)的專利玻璃-硅-玻璃MEMS硅麥傳感器結(jié)合，推出XENSIV SP49胎壓監(jiān)測(cè)傳感器。該傳感器集成了MEMS傳感器與ASIC，可提供先進(jìn)的胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)所需的智能輪胎功能。XENSIV SP49胎壓監(jiān)測(cè)傳感器采用性能強(qiáng)大的 32位Arm M0+內(nèi)核、大容量閃存和RAM，并具有低功耗監(jiān)測(cè)（LPM）以及更優(yōu)化的快速加速度感應(yīng)功能，適用于輪胎位置自動(dòng)檢測(cè)、輪胎充氣輔助、爆胎檢測(cè)、負(fù)載檢測(cè)等智能輪胎功能。

英飛凌推出XENSIV胎壓傳感器，以智能功能滿足胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的需求

SP49是英飛凌上一代SP40 TPMS新一代產(chǎn)品，與SP40引腳對(duì)引腳兼容，配備硬件主/從 I?C接口及軟件模擬UART、SPI和PWM接口，適用于1GHz以下頻率，并可擴(kuò)展以用于BLE TPMS。這款傳感器達(dá)到ASIL-A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，集成度高且經(jīng)過優(yōu)化，具備現(xiàn)代TPMS模塊所需的所有功能。SP49集成了微控制器、傳感器和便捷的外設(shè)，因此只需要少量無源元件，即可構(gòu)成完整的TPMS傳感器單元。該半導(dǎo)體器件采用低功耗設(shè)計(jì)，是電池供電應(yīng)用的理想選擇。

除了能夠利用內(nèi)部集成的間隔計(jì)時(shí)器實(shí)現(xiàn)喚醒功能外，SP49傳感器還適用于需要低功耗的獨(dú)立遠(yuǎn)程壓力傳感解決方案。在這些應(yīng)用中，該款具有喚醒功能和一流靈敏度的低頻接收器能夠?qū)崿F(xiàn)按需測(cè)量。

【A股半導(dǎo)體加入“增持回購(gòu)軍團(tuán)” 華潤(rùn)微實(shí)控人拋出1億元增持計(jì)劃】

今年下半年A股半導(dǎo)體板塊整體回調(diào)，越來越多行業(yè)龍頭上市公司加入“護(hù)盤”大軍，公布增持以及回購(gòu)計(jì)劃以及更新進(jìn)展。10月16日晚間，A股功率半導(dǎo)體IDM龍頭華潤(rùn)微(688396)披露實(shí)際控制人子公司不低于1億元的增持計(jì)劃。

根據(jù)告知函，基于對(duì)公司未來發(fā)展的信心以及長(zhǎng)期投資價(jià)值認(rèn)可，中國(guó)華潤(rùn)計(jì)劃自12個(gè)月內(nèi)通過公司控股股東CRH (Microelectronics) Limited（華潤(rùn)集團(tuán)（微電子）有限公司）或中國(guó)華潤(rùn)其他全資子公司增持上市公司股份，合計(jì)增持金額不低于1億元。

目前中國(guó)華潤(rùn)持有CRH(Micro)100%股份，并通過CRH(Micro)持有華潤(rùn)微總股本的66.58%，為公司的實(shí)際控制人，另外，本次中國(guó)華潤(rùn)方面將通過自有資金或自籌資金增持公司股份。

今年上半年，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)歸屬凈利潤(rùn)7.78億元，同比下降約四成。對(duì)于下半年業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)來源，華潤(rùn)微高管在9月份接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司重慶12吋產(chǎn)線及封裝基地產(chǎn)能逐步上量，做好產(chǎn)能準(zhǔn)備；另外，公司積極布局潛力賽道，新能源、汽車電子、工控通信等應(yīng)用領(lǐng)域占比不斷提，IGBT、第三代化合物、傳感器、模塊等將是未來產(chǎn)品的增長(zhǎng)點(diǎn)。

據(jù)預(yù)測(cè)，華潤(rùn)微重慶12吋2023年底規(guī)劃產(chǎn)能爬坡至2萬(wàn)片，目前公司封裝能力月產(chǎn)能8.7億顆，未來公司將以重慶封測(cè)基地項(xiàng)目為抓手，全面覆蓋功率半導(dǎo)體產(chǎn)品模塊封裝、晶圓中道生產(chǎn)線、面板級(jí)封裝、第三代半導(dǎo)體封裝等技術(shù)領(lǐng)先門類，有序推進(jìn)封裝工藝升級(jí)。

同日，從事電源管理及信號(hào)鏈芯片供應(yīng)商的希荻微披露完成回購(gòu)。

今年8月18日，希荻微首次披露了回購(gòu)股份事項(xiàng)；截至10月13日，公司通過集中競(jìng)價(jià)交易累計(jì)回購(gòu)81.1萬(wàn)股，占公司總股本0.2%，回購(gòu)成均價(jià)18.5元/股，支付的資金總額約1500萬(wàn)元；所回購(gòu)股份計(jì)劃將在未來適宜時(shí)機(jī)全部用于員工持股計(jì)劃或股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃。

作為A股Nor Flash存儲(chǔ)龍頭，今年9月兆易創(chuàng)新拋出8000萬(wàn)元至1.5億元回購(gòu)計(jì)劃；最新披露，截至2023年10月16日，公司通過集中競(jìng)價(jià)交易方式累計(jì)回購(gòu)股份約73萬(wàn)股，占公司總股本的比例為0.11%，購(gòu)買的最高價(jià)格為102.44元/股，最低價(jià)格為98.33元/股，已支付的總金額約7345萬(wàn)元（不含交易費(fèi)用）。

A股存儲(chǔ)器龍頭江波龍也在今年8月31日江波龍也拋出了增持計(jì)劃，公司實(shí)際控制人、控股股東、董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理蔡華波，董事兼副總經(jīng)理王景陽(yáng)，董事、副總經(jīng)理兼財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人朱宇計(jì)劃增持公司股份總金額合計(jì)不低于1500萬(wàn)元。隨后公司進(jìn)一步補(bǔ)充增持計(jì)劃，即蔡華波計(jì)劃增持不低于700萬(wàn)元，王景陽(yáng)增持不低于500萬(wàn)元，朱宇增持不低于不低于300萬(wàn)元。

LED芯片龍頭三安光電大股東已經(jīng)完成增持。9月19日晚間公告，公司間接控股股東三安集團(tuán)完成增持股份計(jì)劃，累計(jì)斥資近1億元增持股份比例至5.0081%。增持完成后，控股股東三安集團(tuán)以及一致行動(dòng)人累計(jì)持股比例升至29.338%。

龍芯中科作為國(guó)產(chǎn)通用CPU龍頭，截至2023年9月30日，公司通過集中競(jìng)價(jià)交易回購(gòu)公司股份157,974股，占公司總股本0.04%，回購(gòu)成交的最高價(jià)為87.99元/股，最低價(jià)為86.24元/股，支付的資金總額為1374.65萬(wàn)元。不過，近期公司披露鼎暉華蘊(yùn)及其一致行動(dòng)人鼎暉祁賢合計(jì)減持約417萬(wàn)股，截至10月12日上述股東持股比例由6.35%變動(dòng)至5.31%。

作為A股晶圓代工巨頭之一，華虹公司也在今年8月底推出了增持計(jì)劃，公司執(zhí)行董事兼總裁唐均君等高管，計(jì)劃后續(xù)6個(gè)月內(nèi)通過集中競(jìng)價(jià)方式增持公司股份，合計(jì)增持金額不低于225萬(wàn)元且不超過450萬(wàn)元。

同時(shí)，華虹公司間接控股股東上海華虹（集團(tuán)）也計(jì)劃6個(gè)月內(nèi)增持公司股份，合計(jì)增持金額不低于5000萬(wàn)元且不超過1億元。

【美計(jì)劃進(jìn)一步收緊對(duì)華芯片出口措施，阿斯麥CEO：實(shí)際會(huì)削弱西方自己】

美國(guó)彭博社15日援引知情人士的消息稱，在限制對(duì)華出口先進(jìn)芯片一年后，美國(guó)計(jì)劃進(jìn)一步收緊相關(guān)措施，以阻止中國(guó)獲得可能有助于其軍事發(fā)展的尖端技術(shù)，新規(guī)可能會(huì)在本周發(fā)布。中國(guó)外交部發(fā)言人毛寧16日在例行記者會(huì)上強(qiáng)調(diào)，美方應(yīng)當(dāng)停止將經(jīng)貿(mào)科技問題政治化、工具化、武器化，停止擾亂全球產(chǎn)供鏈穩(wěn)定。中方將密切關(guān)注有關(guān)動(dòng)向，堅(jiān)決維護(hù)自身權(quán)益。

彭博社援引知情人士的消息稱，相關(guān)措施旨在彌補(bǔ)去年10月限制措施的漏洞，拜登政府將尋求加強(qiáng)對(duì)向中國(guó)公司出售用于人工智能（AI）的圖形芯片和先進(jìn)芯片制造設(shè)備的控制。此外，白宮還將對(duì)試圖通過其他國(guó)家運(yùn)輸以規(guī)避出口限制的中國(guó)企業(yè)實(shí)施額外檢查，并將中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司列入貿(mào)易限制名單，要求美國(guó)海外的芯片制造商必須獲得華盛頓的許可證才能為這些公司供貨。

路透社披露的消息則顯示，新限制措施將阻止一些恰好滿足當(dāng)前技術(shù)參數(shù)限制的AI芯片的對(duì)華出口。報(bào)道稱，在美國(guó)去年發(fā)布對(duì)華芯片出口限制后，英偉達(dá)公司就針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)推出了H800芯片，以代替被禁售的H100型號(hào)AI芯片。而H800被普遍認(rèn)為是華盛頓希望阻止對(duì)華出口的對(duì)象之一。路透社稱，美國(guó)還計(jì)劃取消用于限制AI芯片出口的“帶寬參數(shù)”，用其他標(biāo)準(zhǔn)取而代之，以擴(kuò)大限制范圍。

彭博社稱，近期，中國(guó)華為公司發(fā)布了新款智能手機(jī)，其搭載芯片所展現(xiàn)的制造能力“遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出美國(guó)試圖阻止其進(jìn)步的范圍……這一成就讓華盛頓打壓北京的能力遭到懷疑，并引發(fā)拜登政府對(duì)華為及其合作伙伴實(shí)施更多制裁的政治壓力”。

此外，拜登政府對(duì)中國(guó)持續(xù)不斷的打壓也遭到業(yè)界反對(duì)。彭博社稱，英偉達(dá)、高通和英特爾這三大美國(guó)本土芯片巨頭的首席執(zhí)行官一直在警告美國(guó)政府不要對(duì)華采取高壓手段。在減少中國(guó)獲得高尖端技術(shù)的同時(shí)，他們擔(dān)心對(duì)向中國(guó)出口非尖端芯片的新限制將剝奪他們的大量收入來源。美國(guó)商會(huì)估計(jì)，如果出現(xiàn)最糟糕的情況，即對(duì)中國(guó)的銷售完全停止，美國(guó)芯片公司每年可能會(huì)損失830億美元、12.4萬(wàn)個(gè)工作崗位，相關(guān)研發(fā)支出每年將減少120億美元。

香港半導(dǎo)體行業(yè)分析師林子恒16日對(duì)《環(huán)球時(shí)報(bào)》記者分析稱，拜登政府在芯片領(lǐng)域的限制行動(dòng)意圖明顯，就是想“扼殺”中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)，削弱中國(guó)在未來全球高科技領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)中的實(shí)力，并維護(hù)自身的科技霸權(quán)。林子恒認(rèn)為，媒體報(bào)道的新限制措施更有針對(duì)性，可能會(huì)為中國(guó)芯片行業(yè)以及人工智能行業(yè)的發(fā)展帶來新挑戰(zhàn)，但也會(huì)激發(fā)出中國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的攻關(guān)動(dòng)力。

荷蘭***制造商阿斯麥CEO溫寧克近期接受外媒采訪時(shí)表示，試圖通過禁止技術(shù)移民和出口管制等方式孤立中國(guó)，實(shí)際上會(huì)削弱西方自己?！爸袊?guó)有14億人，其中很多人都很聰明。他們會(huì)提出我們還沒想到的解決方案。你在迫使他們變得非常善于創(chuàng)新?！薄都~約時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，近幾個(gè)月，美國(guó)芯片公司一直在發(fā)出警告，美國(guó)（的限制）可能加快中國(guó)發(fā)展獨(dú)立自主的芯片產(chǎn)業(yè)，從而為中國(guó)制造的芯片主導(dǎo)世界鋪平道路。

在彭博社看來，美國(guó)芯片企業(yè)幾個(gè)月來的呼吁，多少得到了白宮的回應(yīng)。根據(jù)新規(guī)定，除最強(qiáng)大的消費(fèi)級(jí)圖形芯片之外，美國(guó)企業(yè)將被允許向中國(guó)出口所有其他產(chǎn)品。此外，美國(guó)官員稱，更新后的規(guī)定將不包括限制中國(guó)企業(yè)使用美國(guó)或其盟友的云計(jì)算服務(wù)。美國(guó)政府將發(fā)布意見征詢，以更好地了解與此相關(guān)的可能的國(guó)家安全風(fēng)險(xiǎn)以及潛在的解決方案。美國(guó)還延長(zhǎng)了對(duì)韓國(guó)三星電子、SK海力士等企業(yè)的豁免，從而讓它們可以繼續(xù)向自己在中國(guó)（大陸）的工廠供應(yīng)含有美國(guó)技術(shù)的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

【消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級(jí)，正采購(gòu)新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND】

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國(guó)公司獲得美國(guó)政府無限期豁免，其中國(guó)工廠無需特別許可即可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備。

對(duì)于三星來說這無疑是一個(gè)好消息，而且他們?cè)谌〉没砻夂笠泊_實(shí)在采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報(bào)道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴(kuò)張。

消息人士稱，三星已開始采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第 8 代 NAND 的設(shè)備，這也被業(yè)界視為克服全球 NAND 需求疲軟導(dǎo)致產(chǎn)能下降的戰(zhàn)略步驟。

公開資料顯示，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司 2012 年落戶西安高新區(qū)，而三星半導(dǎo)體西安工廠是該公司唯一的海外存儲(chǔ)器半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

該工廠于 2020 年增設(shè)了第二期工廠項(xiàng)目，目前已發(fā)展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產(chǎn) 20 萬(wàn)片 12 英寸晶圓，這占據(jù)了三星 NAND 總產(chǎn)量的 40% 以上。

三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元，2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元（當(dāng)前約 1096.5 億元人民幣）。

外媒認(rèn)為，三星決定升級(jí)其西安工廠的原因有兩個(gè)。其一主要在全球 NAND 市場(chǎng)環(huán)境沒有表現(xiàn)出明顯的復(fù)蘇跡象，而在這種情況下三星需要保持其在 NAND 市場(chǎng)的全球領(lǐng)導(dǎo)地位；另一個(gè)原因就是美國(guó)剛剛發(fā)布的無限期豁免。

由于產(chǎn)能嚴(yán)重過剩，再加上去年年底以來全球 IT 市場(chǎng)需求嚴(yán)重低迷，半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟嚴(yán)重影響了三星的 NAND 業(yè)務(wù)，導(dǎo)致庫(kù)存水位一直增加，進(jìn)而導(dǎo)致虧損不斷擴(kuò)大。即使在通過減產(chǎn)政策略降低產(chǎn)量后略有改善，但目前三星依然需要盡快實(shí)現(xiàn)工藝升級(jí)。

通過升級(jí)最新的第 8 代 NAND 產(chǎn)品，三星不僅可以確保價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，而且考慮到第 8 代 NAND 相比第 6 代晶圓投入減少約 30%，更能平衡市場(chǎng)供應(yīng)和需求。

據(jù)稱，作為第 6 代（128 層）V-NAND 主要生產(chǎn)基地，西安工廠自三星 4 月份宣布減產(chǎn)以來，其開工率也出現(xiàn)了大幅下降，目前整體開工率已降至 20% 左右。

外媒認(rèn)為，美國(guó)雖然暫時(shí)放寬了對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的限制，但這對(duì)于三星和 SK 海力士來說僅僅只是一個(gè)暫時(shí)的喘息機(jī)會(huì)。

審核編輯 黃宇