詳解MOS的I/V特性方程

MOS器件物理基礎(chǔ)——MOS的I/V特性

分析MOSFETs 中電荷的產(chǎn)生和傳輸建立它們與各端電壓之間的函數(shù)關(guān)系。推導出I/V特性方程。這樣就能夠?qū)⒊橄蠹墑e從器件物理級提升到電路級。

PART01

閥值電壓

考慮如圖1(a)所示的NFET。當柵壓VG從0V上升時會發(fā)生什么情況?由于柵和襯底形成一個電容器,所以當 VG逐漸升高時,p襯底中的空穴被趕離柵區(qū)而留下負離子以鏡像柵上的電荷。換句話說,就是形成了一個耗盡層圖1（b)。在這種情況下由于沒有載流子而無電流流動。

圖1(a)由柵壓控制的MOSFET;(b)耗盡區(qū)的形成;

(c)反型的開始 (d)反型層的形成

隨著VG的增加,耗盡層寬度和氧化物與硅界而處的電勢也增加。從某種意義上講,這樣的結(jié)構(gòu)類似兩個電容的串聯(lián):柵氧化層電容和耗盡區(qū)電容(圖1(c))。當界面電勢達到足夠高時,電子便從源流向界而并最終流到漏端。這時，源和漏之間的柵氧下就形成了載流子“溝道”,同時晶體管“導通”。我們也稱之為界面“反型”。形成溝道所對應(yīng)的VG稱為“閥值電壓”,VTH。如果 Vc進一步升高,則耗盡區(qū)的電荷保持相對定恒定，而溝道電荷密度繼續(xù)增加，導致源漏電流增加。

實際上,導通現(xiàn)象是柵電壓的增函數(shù)，這就使得明確地定義VTH變得比較困難。在半導本物理學中,NFET的VTH通常定義為界而的電子濃度等于p型襯底的多子濃度時的柵壓可以證明：

式中是多晶硅柵和硅襯底的功函數(shù)之差，，q是電子電荷，Nsub是襯底的摻雜濃度,Qdep是耗盡區(qū)的電荷,Cox是單位面積的柵氧化層電容.由pn結(jié)理論可知，，其中表示硅的介電常數(shù)。由于Cox在器件和電路計算中經(jīng)常出現(xiàn)，所以記住它的值是有幫助的:這樣,對于其它的氧化層厚度，Cox的值可以依比例確定。

在實際中,由上式得到的“本征”闕值電壓可能不適用于電路設(shè)計,舉例來說VTH=0因而VG≥0時器件不會大斷。因此,在器件制造過程中通常通過向溝道區(qū)注入雜質(zhì)來調(diào)整闕值電壓，其實質(zhì)是改變氧化層界面附近襯底的摻雜濃度。例如，如圖2所示如果形成了p+薄層，那么就需要增加柵壓使此區(qū)域耗盡。

圖2 用來改變閥值電壓的 p +摻雜劑的注人

以上的定義不能直接適用于 VTH的測量。在圖1(a)中，只有漏極電流可以表示器件的通或斷，因此不能揭示 VGS為何值時界面的電子濃度等于p型襯底的多子濃度。結(jié)果,給借助 I/V 測量來計算VTH帶來一些不確定性。后面的部分會講到這一點，不過在基礎(chǔ)分析中假定當 V GS ≥VTH時器件會突然導通。

PMOS器件的導通現(xiàn)象類似于NFETs,但是其所有的極性都是相反的。如圖3 中所示，如果柵-源電壓足夠“負”在氧化層-硅界面就會形成一個由空穴組成的反型層,從而為源和漏之間提供了一個導電通道。

圖3 PPET反型層的形成