0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-11-03 16:48 ? 次閱讀

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。

ef5dd406-78ba-11ee-939d-92fbcf53809c.jpg

碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體是國(guó)家“十四五”規(guī)劃綱要中重點(diǎn)關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項(xiàng)目,憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導(dǎo)熱等特點(diǎn),使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優(yōu)勢(shì),在中高端新能源汽車(chē)中的應(yīng)用越來(lái)越普及。

智新半導(dǎo)體有限公司是東風(fēng)公司與中國(guó)中車(chē)2019年在武漢成立的,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。碳化硅模塊項(xiàng)目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng),廣泛與中央企業(yè)、高等院校開(kāi)展合作,從模塊設(shè)計(jì)、模塊封裝測(cè)試、電控應(yīng)用到整車(chē)路試等環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)的自主掌控。目前,碳化硅模塊開(kāi)發(fā)項(xiàng)目已參與國(guó)資委專(zhuān)項(xiàng)課題1項(xiàng),參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定2項(xiàng)。

該碳化硅模塊,采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車(chē)?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。

智新半導(dǎo)體成立4年來(lái),已申請(qǐng)受理專(zhuān)利51項(xiàng),其中發(fā)明專(zhuān)利40項(xiàng),已授權(quán)專(zhuān)利20項(xiàng),其中發(fā)明專(zhuān)利11項(xiàng),并獲得湖北省“高新技術(shù)企業(yè)”認(rèn)證,武漢市專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)認(rèn)定。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1258

    文章

    3731

    瀏覽量

    247672
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    446

    瀏覽量

    44985
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2658

    瀏覽量

    48715

原文標(biāo)題:東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?345次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?367次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專(zhuān)為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?419次閱讀

    碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?272次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的原理簡(jiǎn)述

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?300次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?284次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?381次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)

    碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較

    過(guò)去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開(kāi)始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?506次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>功率</b>器件的開(kāi)關(guān)性能比較

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

    碳化硅功率器件是一類(lèi)基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見(jiàn)的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?358次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料??芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無(wú)感的。碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻每個(gè)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?739次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝<b class='flag-5'>模塊</b>簡(jiǎn)介

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2632次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

    隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:15 ?668次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

    隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來(lái)
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:29 ?1167次閱讀

    東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

    這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝,使用銅鍵合技術(shù),高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上,工作溫度可達(dá)175igbt模塊相比損失大幅減少40
    的頭像 發(fā)表于 11-02 11:19 ?498次閱讀