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怎樣使用場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行信號(hào)放大的應(yīng)用呢?

冬至子 ? 來(lái)源:電子制作站 ? 作者:Jackie Long ? 2023-11-10 14:19 ? 次閱讀

與三極管一樣,場(chǎng)效應(yīng)管不僅可以對(duì)模擬信號(hào)放大,也可作為控制開關(guān)使用,之所以我們將開關(guān)電路(而不是放大電路)的應(yīng)用提前介紹,是因?yàn)樵趯?shí)際應(yīng)用當(dāng)中,場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)作開關(guān)電路應(yīng)用的情況還是相對(duì)更多一些。

可以這么說(shuō),大多數(shù)讀者曾經(jīng)使用過(guò)或?qū)?lái)會(huì)使用三極管電路進(jìn)行信號(hào)放大的應(yīng)用,但大多數(shù)讀者都曾使用或?qū)?lái)也會(huì)使用場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行信號(hào)放大的應(yīng)用。因此,我們將場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)電路詳細(xì)描述一下。

場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路大體可分為兩大類,即 模擬開關(guān)Analog Switch)與 數(shù)字開關(guān) ,前者我們?cè)诖瞬贿M(jìn)行討論,讀者可參考文章《模擬開關(guān)》,而常用的數(shù)字開關(guān)電路大都使用增強(qiáng)型的NMOS或PMOS為核心,NMOS控制開關(guān)電路的基本結(jié)構(gòu)如下圖所示:

圖片

其中,漏極電阻R1為上拉電阻,當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管Q1截止時(shí)將輸出電壓上拉至電源V CC (高電平),可以理解為開漏(OD)輸出結(jié)構(gòu)的上拉電阻,具體可參考文章《電阻(4)之上/下拉電阻》,柵極串聯(lián)電阻R2為限流電阻,防止輸入電壓變換的瞬間導(dǎo)致柵極電流超額而損壞場(chǎng)效應(yīng)管,下拉電阻R3用來(lái)確保無(wú)輸入信號(hào)(即懸空)時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。

此開關(guān)電路的基本原理很簡(jiǎn)單!當(dāng)輸入信號(hào)Vi為低電平“L”時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),輸出電壓Vo由漏極電阻R1上拉為電源VCC(高電平),此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管Q1相當(dāng)于一個(gè)處于斷開狀態(tài)的開關(guān),如下圖所示:

圖片

當(dāng)輸入信號(hào)Vi為高電平“H”時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),輸出電壓Vo被場(chǎng)效應(yīng)管下降至低電平,此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管Q1相當(dāng)于一個(gè)處于閉合狀態(tài)的開關(guān),如下圖所示:

圖片

場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)應(yīng)用電路的要求主要有兩點(diǎn),其中之一是限流電阻R2的阻值,需要根據(jù)開關(guān)頻率、前級(jí)驅(qū)動(dòng)能力、柵-源電容CGS等因素來(lái)決定,其中CGS與柵極電阻相當(dāng)于一個(gè)RC充放電電路。一般來(lái)講,對(duì)于開關(guān)頻率相對(duì)較高的應(yīng)用,限流阻值R2一般為十幾歐姆~幾百歐姆,換言之,限流電阻R2的阻值是比較小的,如下圖所示:

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場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通速度在很大程序上取決于CGS的充放電常數(shù),柵極電阻越大,則CGS充放電速度越慢,場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)速度也就慢下來(lái)了,當(dāng)然,限流電阻也不能太小,具體得根據(jù)實(shí)際情況決定,如果開關(guān)頻率很低的話,弄個(gè)1K以上都沒(méi)有太大的影響。

而要求之二是輸入的電壓幅值。任何場(chǎng)效應(yīng)管的柵-源電壓VGS都是有極限值的,如下圖所示(來(lái)自ALPHA & OMEGA的NMOS管AO3400數(shù)據(jù)手冊(cè)),柵-源電壓不應(yīng)超過(guò)最大極值,此值一般為12V左右。

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這種開關(guān)電路的用法主要有兩種,其中之一就是將具體的負(fù)載(如電燈泡、馬達(dá)、電磁閥、繼電器、蜂鳴器等等)代替漏極電阻R 1 ,這樣輸入信號(hào)Vi高低電平就可以控制負(fù)載是否供電,如下圖所示為電燈泡控制開關(guān)電路:

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當(dāng)輸入為低電平“L”時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管Q1是截止的,因此電燈泡兩端是沒(méi)有電壓的,當(dāng)輸入為高電平“H”時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管Q1是導(dǎo)通的,此時(shí)電源VCC施加到電燈泡兩端,如下圖所示:

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電燈泡是阻性負(fù)載(相當(dāng)于一個(gè)電阻),如果換成是感性負(fù)載,我們還必須在感性負(fù)載兩端反向并聯(lián)一個(gè)二極管,如下圖所示繼電器應(yīng)用電路:

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因?yàn)楦行载?fù)載相當(dāng)于一個(gè)電感,當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí),電感中的電流將會(huì)產(chǎn)生突變,如果此時(shí)沒(méi)有一個(gè)電流回路慢慢使電流下降,電感兩端將產(chǎn)生很高的反向電動(dòng)勢(shì),并聯(lián)的二極管D1即用來(lái)為感性負(fù)載續(xù)流(防止場(chǎng)效應(yīng)管Q1被擊穿的同時(shí)也可以保護(hù)繼電器本身),因而稱之為續(xù)流二極管,如下圖所示:

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開關(guān)電路的另一個(gè)用法是作為高速開關(guān),如BUCK變換器中的開關(guān)管,如下圖所示(來(lái)自TI公司電源芯片TPS56120X數(shù)據(jù)手冊(cè))

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我們用下圖所示開關(guān)電路仿真一下:

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其相關(guān)波形如下圖所示:

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還有一種PMOS開關(guān)電路,它的典型應(yīng)用電路如下圖所示:

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這種電路一般用在電源控制應(yīng)用中,比如消費(fèi)類電子待機(jī)時(shí)的控制開關(guān)管,它的原理也比較簡(jiǎn)單,在分析時(shí)只需要注意一點(diǎn):PMOS管的柵-源電壓V GS在零電壓時(shí)為截止的,而VGS為負(fù)電壓時(shí)是導(dǎo)通的

當(dāng)輸入為低電平“L”時(shí),三極管Q1是截止的,對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路而言,三極管相當(dāng)于不存在,場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極與源極通過(guò)電阻R1連接在一起,換句話說(shuō),柵-源電壓VGS等于零電壓,此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管Q2是截止的,相當(dāng)于一個(gè)處于斷開狀態(tài)的開關(guān),如下圖所示:

圖片

當(dāng)輸入為高電平“H”時(shí),三極管Q1是飽和導(dǎo)通的,場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極電壓約為0V,換言之柵-源電壓約為(-V IN ),此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管Q2是導(dǎo)通的,相當(dāng)于一個(gè)處于導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān),如下圖所示:

圖片

與NMOS開關(guān)管一樣,我們也可以用PMOS開關(guān)管點(diǎn)亮燈泡,如下圖所示:

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至于其原理比較簡(jiǎn)單,我們就不再介紹了,與NMOS開關(guān)電路同樣需要注意的是:柵-源電壓不能超過(guò)其極限值。如果輸入電壓VIN超過(guò)柵-源極限值(比如15V、24V、36V等等),此開關(guān)電路就不能直接使用,怎么辦?很簡(jiǎn)單,用電阻分壓就可以了,如下圖所示:

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這里我們有一個(gè)問(wèn)題:PMOS管與NMOS管在開關(guān)應(yīng)用的時(shí)候有區(qū)別嗎?答案是肯定的!從網(wǎng)上搜一下就有類似這樣的信息:PMOS比NMOS的導(dǎo)通電阻R DS(ON) 高、速度慢、價(jià)格貴等等,但是為什么會(huì)有這些差別呢?

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