11月8日,以“存儲(chǔ)趨勢(shì) 智創(chuàng)芯生”為主題的2024存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì) (MTS 2024) 在深圳隆重舉辦。
西安紫光國(guó)芯攜專業(yè)DRAM KGD解決方案、DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品等前沿存儲(chǔ)技術(shù)成果亮相,與行業(yè)伙伴共同探討未來(lái)存儲(chǔ)新趨勢(shì)。其中,新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品為首次亮相。
西安紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的專業(yè)DRAM KGD解決方案提供商,產(chǎn)品應(yīng)用在通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、安防等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域。
本次展出的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品在進(jìn)一步優(yōu)化芯片尺寸的同時(shí)提升了主要性能指標(biāo),可廣泛應(yīng)用于IPC、STB和汽車電子等市場(chǎng),并已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
512Mb DDR2是采用先進(jìn)工藝的第二代標(biāo)準(zhǔn)DDR KGD芯片,在工作電壓1.5V時(shí)可同步支持1333Mbps,能夠充分滿足視頻監(jiān)控芯片的功耗和帶寬需求。
該款產(chǎn)品可助力IPC SoC客戶進(jìn)一步提升其整體性能,完善國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈布局。
1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品最高速度可達(dá)2133Mbps,在可靠性和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)更優(yōu),將為消費(fèi)類、車規(guī)和工控市場(chǎng)帶來(lái)更具性價(jià)比的選擇。
依托近20年DRAM芯片研發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及模組產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn), 西安紫光國(guó)芯開發(fā)的新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品在各項(xiàng)性能上得到了全面優(yōu)化。
通過(guò)新一代內(nèi)存技術(shù),本款產(chǎn)品在容量、功耗、總線效率等方面有顯著提升,速度可達(dá)5600Mbps,滿足了企業(yè)級(jí)應(yīng)用在性能和質(zhì)量方面的更高要求,可為國(guó)產(chǎn)CPU平臺(tái)以及英特爾第5代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器Emerald Rapids等平臺(tái)提供內(nèi)存解決方案。
本次亮相的還有采用新一代工藝開發(fā)的1Gb DDR3顆粒產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比,芯片尺寸減少,最高速率提升至2133Mbps,工作電壓降低,支持DDR3L,產(chǎn)品力得到大幅提升。
該款產(chǎn)品還通過(guò)了包括JEDEC Timing、Qualification等多項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試,擁有更完善的量產(chǎn)測(cè)試覆蓋率,進(jìn)一步提升了產(chǎn)品性能并增強(qiáng)了可靠性,可滿足工業(yè)控制、電力、醫(yī)療、汽車電子等高端應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)總是挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存,作為以存儲(chǔ)技術(shù)為核心的產(chǎn)品和服務(wù)提供商,西安紫光國(guó)芯將繼續(xù)以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),持續(xù)精耕細(xì)作,推出具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品和服務(wù)。
同時(shí),在紫光集團(tuán)“大研發(fā)、大制造、大市場(chǎng)”戰(zhàn)略部署下,期待與產(chǎn)業(yè)伙伴攜手推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè),賦能產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:西安紫光國(guó)芯攜新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品等最新技術(shù)成果亮相MTS 2024
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