0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

全球第一個基于二維半導(dǎo)體材料的內(nèi)存處理器

旺材芯片 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2023-11-14 17:31 ? 次閱讀

當(dāng)信息通信技術(shù) (ICT) 處理數(shù)據(jù)時,它們會將電能轉(zhuǎn)化為熱量。如今,全球 ICT 生態(tài)系統(tǒng)的 CO 2足跡已與航空業(yè)相媲美。然而事實證明,計算機(jī)處理器消耗的大部分能量并沒有用于執(zhí)行計算。相反,用于處理數(shù)據(jù)的大部分能量都花在了內(nèi)存和處理器之間的字節(jié)傳輸上。

在《自然電子》雜志上發(fā)表的一篇論文中,洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院納米電子與結(jié)構(gòu)實驗室 (LANES) 工程學(xué)院的研究人員提出了一種新處理器,通過將數(shù)據(jù)處理和存儲集成到單個設(shè)備上來解決這種低效率問題,即所謂的“處理器”。內(nèi)存處理器。

他們開辟了新天地,創(chuàng)造了第一個基于二維半導(dǎo)體材料的內(nèi)存處理器,包含 1,000 多個晶體管,這是工業(yè)生產(chǎn)道路上的一個重要里程碑。

該研究的領(lǐng)導(dǎo)者 Andras Kis 表示,當(dāng)今 CPU 效率低下的罪魁禍?zhǔn)资瞧毡椴捎玫鸟T·諾依曼架構(gòu)。具體來說,用于執(zhí)行計算和存儲數(shù)據(jù)的組件的物理分離。由于這種分離,處理器需要從內(nèi)存中檢索數(shù)據(jù)來執(zhí)行計算,這涉及移動電荷、對電容器充電和放電以及沿線路傳輸電流,所有這些都會消耗能量。

直到大約 20 年前,這種架構(gòu)才有意義,因為數(shù)據(jù)存儲和處理需要不同類型的設(shè)備。但馮諾依曼架構(gòu)越來越受到更高效替代方案的挑戰(zhàn)。

“如今,人們正在不斷努力將存儲和處理合并到更通用的內(nèi)存處理器中,其中包含既可以用作內(nèi)存也可以用作晶體管的元件,”Kis 解釋道。他的實驗室一直在探索使用半導(dǎo)體材料二硫化鉬 (MoS2) 來實現(xiàn)這一目標(biāo)的方法。

LANES 博士助理 Guilherme Migliato Marega 及其合著者在《自然電子》論文中提出了一種基于 MoS2的內(nèi)存處理器,專用于數(shù)據(jù)處理中的基本運(yùn)算之一:向量矩陣乘法。這種操作在數(shù)字信號處理和人工智能模型的實現(xiàn)中無處不在。其效率的提高可以為整個 ICT 行業(yè)帶來大量的能源節(jié)約。

他們的處理器將 1,024 個元件組合到一個一厘米的芯片上。每個元件都包含一個 2D MoS 2晶體管以及一個浮動?xùn)艠O,用于在其存儲器中存儲電荷,以控制每個晶體管的導(dǎo)電性。以這種方式耦合處理和內(nèi)存從根本上改變了處理器執(zhí)行計算的方式。

“通過設(shè)置每個晶體管的電導(dǎo)率,我們可以通過向處理器施加電壓并測量輸出來一步執(zhí)行模擬矢量矩陣乘法,”Kis 解釋道。

材料 MoS 2的選擇在內(nèi)存處理器的開發(fā)中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。首先,MoS 2是一種半導(dǎo)體——這是晶體管發(fā)展的要求。與當(dāng)今計算機(jī)處理器中使用最廣泛的半導(dǎo)體硅不同,MoS 2形成穩(wěn)定的單層,只有三個原子厚,僅與周圍環(huán)境發(fā)生微弱的相互作用。

它的薄度提供了生產(chǎn)極其緊湊的設(shè)備的潛力。最后,這是基斯實驗室熟悉的材料。2010 年,他們使用透明膠帶從晶體上剝離的單層材料 創(chuàng)建了第一個單 MoS2晶體管。

在過去13年中,他們的流程已顯著成熟,其中 Migliato Marega 的貢獻(xiàn)發(fā)揮了關(guān)鍵作用?!皬膯蝹€晶體管發(fā)展到超過 1,000 個晶體管的關(guān)鍵進(jìn)步在于我們可以沉積的材料的質(zhì)量。經(jīng)過大量工藝優(yōu)化,我們現(xiàn)在可以生產(chǎn)覆蓋有均勻 MoS 2 均質(zhì)層的整個晶圓。這讓我們能夠采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工具在計算機(jī)上設(shè)計集成電路,并將這些設(shè)計轉(zhuǎn)化為物理電路,為大規(guī)模生產(chǎn)打開了大門?!盞is 說道。

除了純粹的科學(xué)價值外,基斯還認(rèn)為這一結(jié)果證明了瑞士和歐盟之間密切科學(xué)合作的重要性,特別是在《歐洲芯片法案》的背景下,該法案旨在增強(qiáng)歐洲在半導(dǎo)體技術(shù)和芯片領(lǐng)域的競爭力和彈性。應(yīng)用程序。

“與此同時,它表明在瑞士開展的工作如何能夠使歐盟受益,因為歐盟尋求重振電子制造。例如,歐盟可以專注于開發(fā)非馮·諾依曼技術(shù),而不是與其他國家進(jìn)行同樣的競賽。”他總結(jié)道。







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    19038

    瀏覽量

    228477
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5371

    文章

    11250

    瀏覽量

    359785
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9582

    瀏覽量

    137471
  • 半導(dǎo)體芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    60

    文章

    910

    瀏覽量

    70483
  • 電容充放電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    94

    瀏覽量

    5795

原文標(biāo)題:全球首顆用2D半導(dǎo)體做的芯片:1000個晶體管

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    二維材料 ALD 的晶圓級集成變化

    來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志文章 在晶圓級集成 ALD 生長的二維材料,需要克服先進(jìn)工藝開發(fā)的挑戰(zhàn)。 作者:Friedrich Witek,德國森泰科儀器(SENTECH Instruments)公司
    的頭像 發(fā)表于 06-24 14:36 ?205次閱讀
    <b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b> ALD 的晶圓級集成變化

    超薄二維材料能使可見光發(fā)生偏振旋轉(zhuǎn)

    二維半導(dǎo)體中的法拉第效應(yīng) 幾個世紀(jì)以來,人們直知道光在某些情況下表現(xiàn)出類似波的行為。當(dāng)光穿過某些材料時,它們能夠改變光波的偏振(即振蕩方向)。光通信網(wǎng)絡(luò)的核心部件“光隔離
    的頭像 發(fā)表于 06-12 06:37 ?176次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>能使可見光發(fā)生偏振旋轉(zhuǎn)

    世界上第一個石墨烯半導(dǎo)體的“石墨烯”究竟是什么?

    有媒體報道稱有研究團(tuán)隊創(chuàng)造了世界上第一個由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體(Functional Graphene Semiconductor)。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:26 ?1021次閱讀

    用于生長高質(zhì)量二維半導(dǎo)體的重凝硫前驅(qū)體研究

    以過渡金屬硫族化合物(TMDCs)為代表的二維半導(dǎo)體具有原子級的厚度、獨特的能帶結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電學(xué)光學(xué)性質(zhì),是下代電子、光電子器件的重要材料體系。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 09:22 ?612次閱讀
    用于生長高質(zhì)量<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的重凝硫前驅(qū)體研究

    二維材料增強(qiáng)光纖

    ? 二維材料可用于涂覆光纖以增強(qiáng)非線性相互作用,為構(gòu)建未來非線性和超快激光系統(tǒng)開辟新途徑。NIR 和 SWIR 光譜測量并量化輸出特性和光學(xué)行為。石墨烯和過渡金屬硫?qū)倩?(TMD)等原子薄
    的頭像 發(fā)表于 12-01 06:34 ?319次閱讀

    二維材料層的共振拉曼光譜

    ? 拉曼光譜直是表征石墨烯、六方氮化硼或過渡金屬硫?qū)倩?(TMD) 等二維材料的最重要的測量技術(shù)之。分析其拉曼光譜可以揭示有關(guān)層數(shù)、
    的頭像 發(fā)表于 11-30 15:34 ?437次閱讀
    <b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>層的共振拉曼光譜

    首次實現(xiàn)GHz頻率的二維半導(dǎo)體環(huán)形振蕩電路

    GHz頻率的二維半導(dǎo)體環(huán)形振蕩電路,比原有記錄提升200倍,并預(yù)測了二維半導(dǎo)體應(yīng)用于1nm節(jié)點集成電路的潛力與技術(shù)路徑。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:36 ?809次閱讀
    首次實現(xiàn)GHz頻率的<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>環(huán)形振蕩<b class='flag-5'>器</b>電路

    數(shù)組轉(zhuǎn)為二維python

    數(shù)組轉(zhuǎn)為二維數(shù)組是常見的問題,特別是在處理數(shù)據(jù)時。
    的頭像 發(fā)表于 11-23 14:54 ?4658次閱讀

    綜述:基于二維材料的氣體傳感研究進(jìn)展

    )、MXenes等。由于二維材料具有納米尺寸的層狀結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的半導(dǎo)體性能、大比表面積,因此,在氣體傳感領(lǐng)域具有其它材料不可比擬的優(yōu)勢。 據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 11-23 09:13 ?564次閱讀

    研究二維材料中的鐵電性

    光譜學(xué)在材料科學(xué)和二維材料特性研究中發(fā)揮著重要作用。拉曼光譜和次諧波光譜揭示了材料的結(jié)構(gòu),需要使用科學(xué)光譜系統(tǒng)進(jìn)行靈敏檢測。 2D
    的頭像 發(fā)表于 11-22 06:29 ?433次閱讀
    研究<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>中的鐵電性

    python如何定義二維空數(shù)組

    在Python中,可以通過使用列表嵌套的方式來定義二維空數(shù)組。具體步驟如下: Step 1: 創(chuàng)建空的二維列表 要創(chuàng)建
    的頭像 發(fā)表于 11-21 15:12 ?1553次閱讀

    半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(六)

    鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的,作為固態(tài)電路時代的最初的標(biāo)志。
    的頭像 發(fā)表于 11-20 10:10 ?704次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)之<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b>特性(六)

    基于二維材料的氣體傳感研究進(jìn)展

    、優(yōu)異的半導(dǎo)體性能、大比表面積,因此,在氣體傳感領(lǐng)域具有其它材料不可比擬的優(yōu)勢。 據(jù)麥姆斯咨詢報道,針對二維氣敏材料及其復(fù)合
    的頭像 發(fā)表于 11-10 09:11 ?589次閱讀
    基于<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>的氣體傳感<b class='flag-5'>器</b>研究進(jìn)展

    制造二維TMD晶體管面臨的挑戰(zhàn)

    半導(dǎo)體 (CMOS) 器件的最新進(jìn)展,并特別強(qiáng)調(diào)了二維界在五關(guān)鍵研究領(lǐng)域仍需解決的問題:接觸、溝道生長、柵極氧化物、可變性和摻雜。雖然二維TMD晶體管具有巨大的潛力,但還需要更多的研
    的頭像 發(fā)表于 11-07 09:55 ?1221次閱讀
    制造<b class='flag-5'>二維</b>TMD晶體管面臨的挑戰(zhàn)

    二維材料給功率半導(dǎo)體帶來了什么?

    9月15日,華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國重點實驗室的翟天佑教授團(tuán)隊宣布,其研發(fā)團(tuán)隊在二維高性能浮柵晶體管存儲方面取得重要進(jìn)展。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 14:12 ?1216次閱讀
    <b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>材料</b>給功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>帶來了什么?