SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

光伏逆變器是將太陽能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。

“大組件、大逆變器、大跨度支架、大組串”是光伏產(chǎn)業(yè)的趨勢，光伏電站的電壓等級也正逐步從1000V提升至1500V及以上。

光伏逆變器產(chǎn)品圖

更高的電壓等級對功率器件的物理性能提出了更高的要求，于是在光伏逆變器中碳化硅越來越被關(guān)注及使用。

相較于硅基功率器件，SiC MOS具有更低的導(dǎo)通損耗、更低的開關(guān)損耗、無電流拖尾現(xiàn)象、高開關(guān)速度等優(yōu)點。同時SiC可以在高溫等惡劣的環(huán)境中工作，有利于提高光伏逆變器的使用壽命。

我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導(dǎo)通電阻的國產(chǎn)SiC MOSFET，最大漏源電流56A(Tc= 25°C)，工作結(jié)溫范圍-55°C～175°C，最大耗散功率不高于300W，反向電容13pF，已在多家頭部客戶批產(chǎn)，性能反饋優(yōu)異。

除了SiCMOS，我司在光伏逆變器中還可提供變壓器、電感定制，電流傳感器、數(shù)字隔離器、MOS管、運算放大器、TVS、熱敏電阻等國產(chǎn)器件的選型匹配。全芯時代致力提供最優(yōu)的芯片應(yīng)用和流通解決方案，歡迎您持續(xù)關(guān)注我們！

審核編輯：湯梓紅