日本不僅推進2nm工程,還在推進更發(fā)達的半導體制造技術。日本半導體公司Rapidus和東京大學表示,將與法國半導體研究機構leti共同開發(fā)設計電路寬度為1納米(納米)的新一代半導體的基礎技術,到2024年為止,將正式開展人力交流和技術共享。Rapidus將利用leti的技術構筑1納米芯片產(chǎn)品供應體制。
雙方的目標是,確立設計開發(fā)線寬為1.4m1納米的半導體所必需的基礎技術。這個節(jié)點需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結構,leti在該領域的膜形成等關鍵技術上占據(jù)優(yōu)勢。
此前,日本北海道的Rapidus報道說,以2027年批量生產(chǎn)2nm制程晶圓為目標,正在與比利時的半導體開發(fā)機構imec、美國ibm進行合作。新一代1nm產(chǎn)品的能源效率和性能比2nm node高出10~20%,預計將在2030年以后普及。拉菲德斯不僅在leti技術上,在1nm技術上也與ibm合作。
Rapidus已經(jīng)在2023年初向ibm派遣了數(shù)百名工程師,讓他們學習最新的2nm技術,imec也正在討論不久后在日本設立分公司。
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