一、產(chǎn)品簡述
MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器,適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。
當(dāng)將該器件配置為跨阻放大器(TIA)時(shí), 7GHz 增益帶寬積(GBWP)可為高跨阻增益下實(shí)現(xiàn)寬閉環(huán)帶寬的應(yīng)用提供支持。
MS8258D 具有反饋引腳(FB),可簡化輸入和輸出之間的反饋網(wǎng)絡(luò)連接。
MS8258D 經(jīng)過優(yōu)化,可用于光學(xué)飛行時(shí)間(ToF)系統(tǒng),其中 MS8258D 與時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換芯片(TDC)搭配使用。MS8258D 可搭配高速模
數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),用于高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng)。
MS8258D 采用 DFN8 封裝,工作溫度范圍為-40°C 至+125°C。
二、主要特點(diǎn)
兼容替代 TI OPA858
高增益帶寬積:7GHz
解補(bǔ)償,增益≥ 7V/V(穩(wěn)定)
低輸入電壓噪聲:3nV/√Hz
壓擺率:2000V/μs
寬輸入共模范圍:
-低于正電源 1.4V
-高于負(fù)電源 0.2V
TIA 配置下的輸出擺幅:2.5Vpp (VDD=5V)
電源電壓范圍:3.3V 至 5.5V
靜態(tài)電流:25mA
DFN8 封裝
工作溫度范圍:-40°C 至+125°C
三、應(yīng)用
高速跨阻放大器
激光測距
激光雷達(dá)接收器
液位變送器(光學(xué))
光時(shí)域反射器(OTDR)
分布式溫度檢測
3D 掃描儀
飛行時(shí)間(ToF)系統(tǒng)
自主駕駛系統(tǒng)
r瑞 盟 代 理 1 5 9 2 6 4 8 1 7 1 0
芯片概述
MS8258D 具有 7GHz 增益帶寬積與 3nV/√Hz 的低電壓噪聲,為寬帶跨阻應(yīng)用、高速數(shù)據(jù)處理和其他應(yīng)用提供了可行的放大器。
MS8258D 具有優(yōu)異的動態(tài)性能。除了小信號帶寬外,MS8258D 還具有 740MHz的大信號帶寬(VOUT = 2VPP)和 2000V/μs 的壓擺率。
MS8258D 采用 DFN8 封裝,具有一個(gè)反饋引腳(FB),可在放大器的輸出和反相輸入之間,建立簡單的反饋網(wǎng)絡(luò)連接。放大器輸入引腳
上的過量電容會導(dǎo)致相位裕度惡化,這個(gè)問題在寬頻放大應(yīng)用中尤其嚴(yán)重。為了減少輸入節(jié)點(diǎn)上雜散電容的影響,MS8258D 在反饋引腳和
反相輸入引腳之間有一個(gè)隔離引腳(NC),增加了它們之間的物理間隔,從而減少了寄生電容。MS8258D 還具有低至 0.6pF 的總輸入電容。
壓擺率和輸出電壓范圍
除了寬的小信號帶寬外,MS8258D 還具有 2000V/μs 的高壓擺率。在高速脈沖應(yīng)用中,壓擺率是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),MS8258D 的高壓擺
率能支持 10ns 以下的窄脈沖,如光時(shí)域反射器和激光雷達(dá)。MS8258D 的寬頻帶和高壓擺率特性使其成為一個(gè)理想的高速信號放大器。為
了實(shí)現(xiàn)高壓擺率和低輸出阻抗,MS8258D的輸出擺幅被限制在大約 3.0V。MS8258D 通常與高速流水線 ADC 和閃存 ADC 一起使用,后
者的輸入范圍有限。因此,MS8258D 的輸出擺幅加上比同類領(lǐng)先的電壓噪聲,使信號鏈的整體動態(tài)范圍最大化。
引腳布局
優(yōu)化 MS8258D 引腳布局,以盡量減少寄生電感和電容,這在高速模擬設(shè)計(jì)中至關(guān)重要。FB 引腳內(nèi)部連接到放大器的輸出。FB 引腳與
放大器的反相輸入被一個(gè) NC 引腳分開。NC 引腳必須保持浮動。這種引腳布局有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):
1. 一個(gè)反饋電阻(RF)可以連接在封裝同一側(cè)的 FB 和 IN-引腳之間,而不是繞過封裝。
2. NC 引腳的隔離作用使 FB 和 IN-引腳之間的電容耦合最小化。
PCB 版圖指導(dǎo)
要使 MS8258D 這樣的高頻放大器達(dá)到最佳性能,需要仔細(xì)注意 PCB 板布局寄生效應(yīng)和外部元件類型。
優(yōu)化性能的建議包括:
1. 盡量減少從信號 I/O 引腳到交流地的寄生電容。輸出和反相輸入引腳上的寄生電容會導(dǎo)致不穩(wěn)定。為了減少不必要的電容,建議不要在信
號輸入和輸出引腳下走電源和地線。否則,接地和電源平面必須在電路板的其他地方不被破壞。當(dāng)將放大器配置為 TIA 時(shí),如果所需的反饋
電容低于 0.15pF,可以考慮使用兩個(gè)串聯(lián)的電阻,每個(gè)電阻的值是單個(gè)電阻的一半,以盡量減少電阻的寄生電容。
2. 盡量減少從電源引腳到高頻旁路電容的距離(小于 6 毫米)。使用 100pF 至 0.1μF 的 C0G 和 NPO 型去耦電容(額定電壓至少是放大
器最大電壓的 3 倍)以確保有一個(gè)低阻抗的路徑通往放大器的電源。在器件引腳處,不允許接地和電源平面布局與信號 I/O 引腳相近,避免
狹窄的電源和地線,以減少引腳和去耦電容之間的電感。
3. 謹(jǐn)慎選擇和放置外部元件,以保持 MS8258D 的高頻性能。使用低感抗的電阻器,緊湊的整體布局。切勿在高頻應(yīng)用中使用繞線電阻,因
為輸出引腳和反相輸入引腳對寄生效應(yīng)最敏感,所以如果有反饋和串聯(lián)輸出電阻的話,一定要把它們放在最接近的位置,將其他網(wǎng)絡(luò)元件
(如非反相輸入終端電阻)放在靠近輸出引腳的地方。當(dāng)將 MS8258D 配置為電壓放大器時(shí),應(yīng)盡可能保持較低的電阻值,并與負(fù)載驅(qū)動匹
配。降低電阻值可使電阻噪聲保持在較低水平,并使寄生電容的影響降至最低。注意,較低的電阻值會增加動態(tài)功率,因?yàn)?RF 和 RG 成為
放大器輸出負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的一部分。
審核編輯:湯梓紅
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