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IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對于微電子技術(shù)猿來說,想必已經(jīng)耳熟能詳。
然而對于工作需要用到IGBT、但從未專業(yè)學(xué)習過IGBT的人來說,IGBT到底是個什么玩意兒、它為什么叫IGBT、它的核心關(guān)鍵詞是什么、要怎么理解它等一系列問題并無法一次性在某個地方獲取到,都需要查閱大量的資料,學(xué)習大量的基礎(chǔ)才能有個初步的了解。
為了讓更多的人在更少的時間內(nèi)掌握IGBT,我將在這個公眾號內(nèi)下不定時更新自己所總結(jié)的知識,盡量嘗試用最通俗易懂的語言解釋其內(nèi)部的原理,希望能夠幫助和我剛工作時一樣,對IGBT一頭霧水的小可愛們。
對于純小白來說,了解一件東西最好的方式就是從名稱入手,抽絲剝繭,逐步了解。所以我們先從IGBT的全稱說起:絕緣柵雙極性晶體管,英文全稱為Insulated GateBipolar Transistor。
主語是晶體管,修飾詞(性質(zhì))有三個,分別是絕緣、柵、雙極性。
晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,在這里可以理解為一種利用電信號(電流/電壓)控制開關(guān)斷的開關(guān)器件,不同于機械開關(guān),它的開關(guān)速度非???。
三個修飾詞“絕緣、柵、雙極性”的核心關(guān)鍵詞在**“柵極”和“雙極性”上。**
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“柵極”意味著IGBT是個電壓控制型器件,這是相比于電流型控制器件而言。
簡單來說,電壓型控制器件主要是通過控制端電壓來控制器件的開通與關(guān)斷,而電流型控制器件的開關(guān)斷則主要被控制端電流的大小控制。
電流控制型器件的共同特點是導(dǎo)通損耗小,所需驅(qū)動功率小,但是驅(qū)動電路復(fù)雜,工作頻率較低,如晶閘管、GTR等。
而電壓控制型器件的共同特點在于輸入阻抗高、所需驅(qū)動功率小、驅(qū)動電路簡單、工作頻率高,如IGBT、MOSFET等。
此外,壓控器件在整體功耗方面也要低于流控器件。
因此,根據(jù)具體工況條件及應(yīng)用要求,不同晶體管會被應(yīng)用在不同領(lǐng)域中。
IGBT一般可應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域(變頻器、UPS電源、EPS電源)、新能源發(fā)電領(lǐng)域(風能發(fā)電、太陽能發(fā)電)、新能源汽車領(lǐng)域(充電樁、電動控制、車載空調(diào))等,由于篇幅有限,這里就不再贅述。
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“雙極性”是相較于“單極性”而言。兩者最主要的區(qū)別在于器件工作時,移動的電荷載流子是電子還是空穴,亦或是二者都有。
若只有一種載流子參與導(dǎo)電,則稱為單極性晶體管,如MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、SBD(肖特基二極管)等。
若電子和空穴都參與了導(dǎo)電,則稱為雙極性晶體管,如BJT(雙極結(jié)型晶體管)、IGBT等。
兩者相對比,雙極性晶體管由于同時有電子和空穴參與導(dǎo)電,所以其關(guān)斷速度相比單極性晶體管來說更慢。
具體原因我們以今天的主角IGBT為例,通過分析IGBT在關(guān)斷過程中載流子的移動和分布來解釋以上這點。
當IGBT正常工作時,p-base表面會形成導(dǎo)通溝道,電子從發(fā)射極經(jīng)n型漂移區(qū)流向集電極,而空穴將不斷地從集電極注入到n型漂移區(qū)。此時IGBT的外部表現(xiàn)為:存在負載電流,IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)。
由于該區(qū)域?qū)挾容^寬,部分空穴會在此處與電子進行復(fù)合,其余空穴則擴散至p-base/n漂移區(qū)結(jié)(圖中J1結(jié)),最終由發(fā)射極收集。
熟悉了IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時內(nèi)部載流子的運動,我們再來看關(guān)斷過程,IGBT的關(guān)斷過程可以視為兩個階段。
在第一階段中,由于溝道反型層消失,所以負載電流會快速下降。
在第二階段中,集電極-發(fā)射極電壓VCE逐漸增加,IGBT漂移區(qū)逐漸耗盡,漂移區(qū)中的剩余空穴載流子漂移至J1結(jié),最終由發(fā)射極抽取。
當耗盡區(qū)不再擴展時,剩余空穴將通過與剩余電子復(fù)合消失,這個復(fù)合消失的過程就會造成IGBT的拖尾電流。
而單極性元器件由于只是一種載流子導(dǎo)電,并不存在拖尾電流,因此關(guān)斷速度會更快。
此外,由于電子和空穴的復(fù)合過程所需時間長短與載流子本身壽命有關(guān),所以IGBT器件的關(guān)斷速度也受載流子壽命影響。
以上就是從名稱來了解IGBT器件的全部內(nèi)容,希望能對剛剛接觸到IGBT的小伙伴們有幫助。
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