MOS之所以能夠以電壓控制,并起到開(kāi)關(guān)的作用,正是由于上述反型層的機(jī)制,其中閾值電壓是反型層的重要參數(shù)。是能帶彎曲到臨界反型的柵極所加電壓值。對(duì)于的理解,首先需要了解有哪些物理量會(huì)導(dǎo)致能帶彎曲。能帶彎曲的本質(zhì)是能級(jí)被電子占據(jù)的概率的改變。從器件結(jié)構(gòu)上看,影響半導(dǎo)體能帶彎曲的因素要么源自于柵極,要么源自于絕緣層,下面分開(kāi)進(jìn)行論述。
1.柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差
上一節(jié)討論反型層時(shí),假設(shè)了多晶硅柵極的功函數(shù)與費(fèi)米能級(jí)持平,實(shí)際情況并不如此。下面我們分兩種情況來(lái)討論,一是柵極直接采用金屬Al,二是柵極采用N型重?fù)诫s的多晶硅(因?yàn)槎嗑Ч杩沙惺芨邷?,?shí)際更常用)。(功函數(shù)為材料費(fèi)米能級(jí)與真空自由電子能級(jí)的差值,這里不作詳述)
1-1. 采用金屬Al作為柵極
Al的功函數(shù)大約為, 本征硅的功函數(shù)大約為,假設(shè),那么P型硅功函數(shù)大約為,N型硅功函數(shù)大約為, 。
當(dāng)金屬Al、氧化硅和硅獨(dú)立存在時(shí),顯然三種材料的費(fèi)米能級(jí)不在同一個(gè)位置。但當(dāng)三種材料合到一起成為一體,電子可以在能級(jí)之間傳輸,那么在熱平衡狀態(tài)下,費(fèi)米能級(jí)一定平衡到同一高度,這會(huì)導(dǎo)致氧化硅和硅的能帶彎曲。
因?yàn)锳l的功函數(shù)最小,那么越靠近金屬Al的位置,原來(lái)氧化硅和硅同一能級(jí)被電子占有的概率越高,即更加靠近費(fèi)米能級(jí),表現(xiàn)為能級(jí)向下彎曲。
反之,如果要將能帶變平,就必須外加電壓,克服金屬Al和硅之間的功函數(shù)差,假設(shè)該電壓為,
即,若沒(méi)有這個(gè)功函數(shù)差,那么閾值電壓就要多施加1.05V。
1-2. 采用多晶硅(N型重?fù)诫s)作為柵極
與上面關(guān)于金屬Al作為柵極的分析有相似和不同。
相似點(diǎn)是,若要讓能帶變平,首先需要外施加電壓以克服N型重?fù)诫s多晶硅之間的功函數(shù)差,參照PN結(jié)內(nèi)建電勢(shì)的計(jì)算(原理相同,回顧《IGBT中的若干PN結(jié)》),假設(shè)該電壓為,那么,
其中,為P-base摻雜濃度, 為N型重?fù)诫s多晶硅濃度。
不同點(diǎn)是,多晶硅是半導(dǎo)體,作為柵極必須還要克服電子激發(fā)并越過(guò)禁帶寬度,使其成為良導(dǎo)體,硅的禁帶寬度約為1.12eV。假設(shè)外加電壓為,那么
假設(shè)Na=1e17cm3, Npoly=1e20cm-3,ni=1.45e10cm-3,那么計(jì)算可得
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