0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

流片Corner Wafer介紹

ruikundianzi ? 來源:芯片開放社區(qū) ? 2023-12-01 13:31 ? 次閱讀

1.什么是Corner?

芯片制造是一個(gè)物理過程,存在著工藝偏差(包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等),導(dǎo)致不同批次之間,同一批次不同晶圓之間,同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同的。在一片wafer上,不可能每點(diǎn)的載流子平均漂移速度都是一樣的,隨著電壓、溫度不同,它們的特性也會(huì)不同,把他們分類就有了PVT(Process,Voltage,Temperature),而Process又分為不同的corner:TT:Typical N Typical P FF:Fast N Fast P SS:Slow N Slow P FS:Fast N Slow P SF:Slow N Fast P

b03401f0-8ffe-11ee-939d-92fbcf53809c.png

第一個(gè)字母代表NMOS,第二個(gè)字母代表PMOS,都是針對(duì)不同濃度的N型和P型摻雜來說的。NMOS和PMOS在工藝上是獨(dú)立做出來的,彼此之間不會(huì)影響,但是對(duì)于電路,NMOS和PMOS是同時(shí)工作的,會(huì)出現(xiàn)NMOS快的同時(shí)PMOS也快,或者慢,所以會(huì)出現(xiàn)FF、SS、FS、SF四種情況。通過Process注入的調(diào)整,模擬器件速度快慢,同時(shí)根據(jù)偏差大小設(shè)定不同等級(jí)的FF和SS。正常情況下大部分是TT,而以上5種corner在+/-3sigma可以覆蓋約99.73%的范圍,這種隨機(jī)性的發(fā)生符合正態(tài)分布。

2.Corner wafer的意義

工程片流片的時(shí)候,F(xiàn)AB會(huì)pirun關(guān)鍵層次調(diào)整inline variation,有的還會(huì)下backup wafer以保證出貨的wafer器件on target,即在TT corner附近。如果單純是為了做一些樣品出來,只進(jìn)行工程片流片,那可以不驗(yàn)證corner,但如果為了后續(xù)量產(chǎn)準(zhǔn)備,是必須要考慮corner的。由于工藝在制作過程中會(huì)有偏差,而corner是對(duì)產(chǎn)線正常波動(dòng)的預(yù)估,F(xiàn)AB也會(huì)對(duì)量產(chǎn)芯片的corner驗(yàn)證有所要求。所以在設(shè)計(jì)階段就要滿足corner,在各種corner和極限溫度條件下對(duì)電路進(jìn)行仿真,使其在各種corner上都能正常工作,才能使最終生產(chǎn)出的芯片良率高。

3.Corner Split Table策略

對(duì)于產(chǎn)品來講,一般corner做到spec上,正常情況下spec有6個(gè)sigma,如FF2(或2FF)表示往快的方向偏2個(gè)Sigma,SS3(或3SS)表示往慢的方向偏3個(gè)Sigma。Sigma主要表征了Vt的波動(dòng),波動(dòng)大sigma就大,這里3個(gè)sigma就是在工藝器件的spec線上,可以允許超出一點(diǎn)點(diǎn),因?yàn)榫€上波動(dòng)不可能正正好好做到spec上。以55nm邏輯工藝工程片為例,擬定的corner split table如圖:1.#1 & #2 兩片pilot wafer,一片盲封,一片測(cè)CP 2.#3 & #4 兩片hold在Contact,為后道改版預(yù)留工程wafer,可以節(jié)省ECO流片時(shí)間 3.#5~#12 八片hold在Poly,等pilot的結(jié)果看是否需要調(diào)整器件速度,并驗(yàn)證corner 4.除了留有足夠的芯片用于測(cè)試驗(yàn)證,Metal Fix,還應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目需求,預(yù)留盡可能多的wafer作為量產(chǎn)出貨

b0560e6c-8ffe-11ee-939d-92fbcf53809c.png

4.確認(rèn)Corner結(jié)果

首先,大部分都應(yīng)該落于四個(gè)corner決定的window范圍內(nèi),如果出現(xiàn)大的偏差,那可能是工藝shift。如果各個(gè)corner的良率都沒影響符合預(yù)期,那說明工藝窗口充分。如果有個(gè)別條件良率低,那就需要調(diào)整工藝窗口。Corner wafer的目的是驗(yàn)證設(shè)計(jì)余量,考察良率是否有損失。大體上,超出這個(gè)corner約束性能范圍內(nèi)的芯片報(bào)廢。Corner驗(yàn)證對(duì)標(biāo)的是WAT測(cè)試結(jié)果,一般由FAB主導(dǎo),但是corner wafer的費(fèi)用是由設(shè)計(jì)公司承擔(dān)的。一般成熟穩(wěn)定的工藝,同一片wafer上的芯片,同一批次的wafer甚至不同批次的wafer參數(shù)都是很接近的,偏差的范圍相對(duì)不會(huì)很大。

文章來源:芯片開放社區(qū)

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4778

    瀏覽量

    127567
  • NMOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    285

    瀏覽量

    34215
  • 芯片制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    601

    瀏覽量

    28726
  • 刻蝕
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    159

    瀏覽量

    12940

原文標(biāo)題:流片Corner Wafer介紹

文章出處:【微信號(hào):IP與SoC設(shè)計(jì),微信公眾號(hào):IP與SoC設(shè)計(jì)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    的時(shí)間與金錢成本

    相對(duì)芯片大規(guī)模量產(chǎn)來說,前期的所需費(fèi)用也不可小覷,尤其是對(duì)于不少Fabless公司來說,從第一版設(shè)計(jì)到定型,往往需要經(jīng)歷多次,從MPW、Full Mask到量產(chǎn)。設(shè)計(jì)失誤或代工
    的頭像 發(fā)表于 09-22 08:16 ?7994次閱讀

    wafer成本計(jì)算

    Hi 各位大哥大姐  小弟想請(qǐng)教下如何核算wafer的成本呢?MPW,NRE,MP.... 拜謝ing....
    發(fā)表于 12-23 10:54

    長(zhǎng)期收購(gòu)藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.

    長(zhǎng)期收購(gòu)藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
    發(fā)表于 01-10 17:50

    用ADE XLall跑all Corner時(shí) 第一個(gè)Corner為什么總是會(huì)報(bào)錯(cuò)?

    在用 ADE XL仿真出現(xiàn)一個(gè)error ERRO ID:5010在用 ADE XLall 跑all Corner 的時(shí)候,第一個(gè)Corner總是會(huì)報(bào)錯(cuò)。不知道怎么回事,outputlog里面又沒有顯示有錯(cuò),
    發(fā)表于 06-25 06:04

    電池過保護(hù)基本知識(shí)介紹

    電池過保護(hù)基本知識(shí)介紹保護(hù)概述:過保護(hù)
    發(fā)表于 11-27 14:40 ?3609次閱讀

    電池過保護(hù)的工作原理

    本文主要介紹了電池過保護(hù)工作原理及電池過保護(hù)的優(yōu)點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:54 ?5685次閱讀

    國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)持續(xù)勇闖“”關(guān)

    MPW(Multi Project Wafer)是很多小設(shè)計(jì)公司采用的方式。簡(jiǎn)單來說,MPW就是將多個(gè)具有相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一圓上流
    發(fā)表于 11-15 15:06 ?2245次閱讀

    講講芯片的制造那些事兒

    將硅錠切成1mm左右一片片wafer(晶圓)。晶圓尺寸有大有小,比如8inch, 12inch的晶圓,光刻的時(shí)候直接刻整個(gè)圓,然后切下來好多小芯片。
    發(fā)表于 02-02 15:46 ?3579次閱讀

    FPGA中的fast corner和slow corner介紹

    在FPGA的時(shí)序分析頁(yè)面,我們經(jīng)常會(huì)看到`Max at Slow Process Corner`和`Min at Fast Process Corner`,具體是什么含義呢?
    的頭像 發(fā)表于 05-05 15:50 ?1589次閱讀
    FPGA中的fast <b class='flag-5'>corner</b>和slow <b class='flag-5'>corner</b><b class='flag-5'>介紹</b>

    RC Corner基礎(chǔ)知識(shí)詳細(xì)講解

    90nm后更新的工藝,考慮到互連線coupling的影響,出現(xiàn)了RCworst, RCbest corner.
    的頭像 發(fā)表于 06-11 15:32 ?5724次閱讀
    RC <b class='flag-5'>Corner</b>基礎(chǔ)知識(shí)詳細(xì)講解

    UltraEM?的Corner Sweep仿真實(shí)例

    UltraEM可以使用Corner Sweep來仿真工藝變化對(duì)器件結(jié)構(gòu)造成的影響,具體包含三種仿真模式:MonteCarlo仿真、Perturbation仿真與Corner仿真。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 10:25 ?749次閱讀
    UltraEM?的<b class='flag-5'>Corner</b> Sweep仿真實(shí)例

    芯片是什么意思 芯片流程介紹

    芯片是什么意思 芯片流程介紹 芯片是芯片
    的頭像 發(fā)表于 09-02 17:36 ?1.1w次閱讀

    芯片制造Corner介紹

    1.Corner是芯片制造是一個(gè)物理過程,存在著工藝偏差(包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等),導(dǎo)致不同批次之間,同一批次不同晶圓之間,同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同的。 在一wafer
    的頭像 發(fā)表于 11-01 15:57 ?5031次閱讀
    芯片制造<b class='flag-5'>流</b><b class='flag-5'>片</b><b class='flag-5'>Corner</b><b class='flag-5'>介紹</b>

    什么是芯片?芯片為什么這么貴?

    介紹了芯片的原理同時(shí)介紹了首顆極大規(guī)模全異步電路芯片成功。
    的頭像 發(fā)表于 11-30 10:30 ?2806次閱讀

    芯片后端signoff的RC corner指什么?

    今天想聊一聊STA相關(guān)的RC corner的問題。我先簡(jiǎn)單介紹一些什么是signoff的corner,然后重點(diǎn)聊一聊RC corner
    的頭像 發(fā)表于 12-05 14:11 ?1160次閱讀