國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心和北京研究員,開源芯片中科海芯最近在北京設立RISC-V車規(guī)級半導體技術聯合實驗室,將圍繞國產車企芯片需求提升國產車規(guī)級芯片的研發(fā)效率、“上車”能力,國產汽車半導體自給率按下“加速鍵”鍵。
中國作為汽車制造大國,汽車產量繼續(xù)保持世界第一,對汽車芯片的需求旺盛,是國產新能源汽車特別是芯片的“大戶”。與消費者芯片不同,汽車嘉賓芯片的信賴性、一貫性、穩(wěn)定性要求事項要面臨更加殘酷的環(huán)境才會更高。如果適應-40-150極端溫度、高振動、多灰塵、電磁干擾、適應0-100%濕度區(qū)間等,設計壽命一般在15年或20萬公里以上,對芯片質量提出了更高的要求。
北京開源芯片研究院首席科學家包云崗對記者說:“ARM架構在全球芯片領域長期占據主導地位。在汽車規(guī)格芯片領域,中外還存在很大差異,目前絕大多數國產汽車的cpu核心仍要依賴國外授權,面臨供應鏈風險。他表示:“從開發(fā)、生產、驗證、乘車到自主控制的國產汽車規(guī)格芯片,加快速度迫在眉睫?!?/p>
“RISC-V架構是中國芯片可以自主控制的‘敲門磚’,有望為提高國產汽車芯片自給率提供更多的可能性。國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心主任原誠寅說,在這樣的背景下,聯合實驗室應運而生。
根據計劃,RISC-V車規(guī)級芯片技術共同發(fā)揮實驗室平臺和資源優(yōu)勢,在北京研究所開源芯片具有競爭力的,可信度高,自主可控的國產車規(guī)級IP核,由中科海芯負責將其做成產品,由國家在創(chuàng)造中心設計,開發(fā),產品會形成推進到。并通過驗證、乘車規(guī)范化流程及相關工具,共同提高汽車個人級芯片的開發(fā)效率,不斷探索實現中國汽車芯片產業(yè)鏈、供應鏈自主可控。
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